與源極區(qū)域5a、5c連接。漏極電極24經由接觸孔21與各漏極區(qū)域5b、5d連接。源極區(qū)域5a、5c和漏極區(qū)域5b、5d通過柵極絕緣膜6而與柵極電極14絕緣。
[0052]N溝道TFT 31的源極區(qū)域5a、5c經由源極電極23和未圖示的數(shù)據線而與數(shù)據線驅動電路101電連接。N溝道TFT 31的柵極電極14經由未圖示的掃描線而與掃描線驅動電路104電連接。N溝道TFT 31的漏極區(qū)域5b、5d經由漏極電極24而與像素電極9電連接。
[0053]圖4是示出本實施方式的柵極電極14的剖面圖。如圖4所示，本實施方式的柵極電極14的截面形狀例如是梯形形狀。柵極電極14從柵極絕緣膜6側依次層疊有阻擋金屬膜(第二導電膜)73、AINd合金膜(鋁釹合金膜)72、和蓋金屬膜(導電膜)71而形成。
[0054]阻擋金屬膜73是為了抑制AINd合金膜72的形成材料擴散至柵極絕緣膜6而設置的膜。作為阻擋金屬膜73的形成材料，例如，優(yōu)選使用鈦(Ti)。這是由于能夠提高阻擋金屬膜73的阻擋性。阻擋金屬膜73的厚度H113例如為50nm以上且lOOnm以下左右。
[0055]AINd合金膜72是用鋁釹合金(AINd)形成的膜，通過在鋁(A1)中添加釹(Nd)而組合成招釹合金。按照原子組成百分比，釹(Nd)的添加比例例如為0.5atom%以上且2atom%以下左右。
[0056]蓋金屬膜71是為了抑制發(fā)生AINd合金膜72的腐蝕、小丘(hillock)而設置的膜。作為蓋金屬膜71的形成材料，例如，可選擇鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉬(Mo)等。蓋金屬膜71的形成材料優(yōu)選為鈦(Ti)或者氮化鈦(TiN)。這是由于鈦(Ti)或者氮化鈦(TiN)的熔點比鋁釹(AINd)低、處理容易。
[0057]蓋金屬膜71的厚度H111是AINd合金膜72的厚度H112的1/4倍以上。另外，例如，蓋金屬膜71的厚度H111是AINd合金膜72的厚度H112的1/2倍以下。
[0058]AINd合金膜72的厚度H112例如為200nm以上且400nm以下左右。蓋金屬膜71的厚度H111例如為50nm以上且150nm以下左右。
[0059]需要說明的是，在本實施方式中，柵極電極14與未圖示的掃描線(柵極布線)一體地構成。換而言之，掃描線被形成為包括柵極電極14。另外，源極電極23與未圖示的數(shù)據線(源極布線)一體地構成。換而言之，數(shù)據線被構成為包括源極電極23。在俯視觀察時，數(shù)據線與掃描線設置為正交。
[0060]存儲電容33具備上部電極16和下部電極28。上部電極16與未圖示的電源布線連接。下部電極28經由連接部28a而與N溝道TFT 31的漏極區(qū)域5b、5d連接。
[0061]設于外圍區(qū)域的N溝道TFT 30和P溝道TFT 32是構成數(shù)據線驅動電路101和掃描線驅動電路104的TFT。N溝道TFT 30具備高濃度源極區(qū)域5a、低濃度源極區(qū)域5c、高濃度漏極區(qū)域5b、低濃度漏極區(qū)域5d、源極電極23、漏極電極24、以及柵極電極(導電圖案)13。P溝道TFT 32具備源極區(qū)域5j、漏極區(qū)域5k、源極電極23、漏極電極24、以及柵極電極(導電圖案)15。
[0062]N溝道TFT 30和P溝道TFT 32的各源極區(qū)域及各漏極區(qū)域與設于圖像顯示區(qū)域11的N溝道TFT 31同樣，和源極電極23及漏極電極24電連接。N溝道TFT 30的漏極電極24與P溝道TFT 32的源極電極23通過布線25而被電連接。
[0063]第一層間絕緣膜20是設于各柵極電極以及上部電極16上的絕緣膜。第二層間絕緣膜26是設于各源極電極、各漏極電極、以及布線25上的絕緣膜。在第二層間絕緣膜26上設有像素電極9。在第二層間絕緣膜26中形成有接觸孔27。像素電極9經由接觸孔27而與漏極電極24電連接。
[0064]如圖2所示，在元件基板10的液晶層50側，對應每個像素12設置有像素電極9。像素電極9是使用銦錫氧化物(ΙΤ0:1ndium Tin Oxide)等光透射率高的導電材料而形成的透明電極。在像素電極9上形成有第一取向層17。
[0065]在對置基板90的液晶層50側，形成有邊框53及未圖示的遮光膜。在邊框53及遮光膜之上形成有覆蓋圖像顯示區(qū)域11的整個面的公共電極91。公共電極91與像素電極9同樣，例如是由ΙΤ0等形成的透明電極。在公共電極91上形成有第二取向層92。未對液晶層50施加電場狀態(tài)下的液晶層50的取向狀態(tài)由第一取向層17及第二取向層92控制。
[0066]要顯示的圖像的圖像信號從液晶裝置100的外部經由外部電路安裝端子102供給到液晶裝置100。數(shù)據線驅動電路101根據圖像信號中包含的表示每個像素12的灰度值的圖像數(shù)據，將驅動液晶層50的驅動電壓波形輸出到作為開關元件的N溝道TFT 31。掃描線驅動電路104根據圖像信號中包含的表示像素12的顯示定時的數(shù)據，對N溝道TFT 31的柵極電極14施加電壓，控制N溝道TFT 31的導通截止。
[0067]當N溝道TFT 31導通時，上述驅動電壓波形被供給到像素電極9，對像素電極9施加電壓。公共電極91的電位例如被保持為多個像素12所共用的公共電位。對液晶層50施加相當于像素電極9與公共電極91之間的電位差的電壓。通過因該電壓而產生的電場，液晶層50的取向狀態(tài)發(fā)生變化。入射到液晶層50的光的偏光狀態(tài)根據液晶層50的取向狀態(tài)而按各像素12發(fā)生變化。使從液晶層50射出的光通過未圖示的偏光板，從而從偏光板射出與圖像數(shù)據對應的灰度值的光。這樣一來，本實施方式的液晶裝置100能夠顯示與圖像數(shù)據對應的圖像。
[0068]接著，說明本實施方式的液晶裝置100的制造方法。圖5的(a)至圖5的⑷以及圖6的(a)至圖6的(d)是示出本實施方式的液晶裝置100中的元件基板10的制造方法的步驟的剖面圖。在圖5的(a)至圖5的⑷以及圖6的(a)至圖6的⑷中示出了外圍區(qū)域以及圖像顯示區(qū)域11這兩者的制造步驟。
[0069]首先，如圖5的(a)所示，在透明基板1上形成絕緣層2，并在其上形成半導體層3。在本實施方式中，作為半導體層的形成材料，例如采用非晶硅。然后，通過對由非晶硅形成的半導體層3實施激光退火處理等加熱處理，使非晶硅再結晶而轉換成多晶硅。由此，形成由多晶硅形成的半導體層4。
[0070]接著，如圖5的(b)所示，采用公知的光刻法、蝕刻技術而將由多晶硅形成的半導體層4圖案化為島狀。由此，形成由多晶硅形成的島狀的半導體層5。接著，在島狀的半導體層5上，例如，通過CVD (Chemical Vapor Deposit1n,化學氣相沉積)法等形成柵極絕緣膜6，從而形成層疊有透明基板1、絕緣層2、半導體層5和柵極絕緣膜6的層疊部件(基材)80。
[0071]接著，如圖5的(c)所示，在圖像顯示區(qū)域11中形成開放了將成為N溝道TFT 31的漏極區(qū)域5b、5d與存儲電容33的連接部28a的區(qū)域、以及將成為存儲電容33的下部電極28的區(qū)域的抗蝕劑圖案7。對形成抗蝕劑圖案7的方法沒有特別的限定，例如，可采用光亥IJ法。此時，外圍區(qū)域的整個面被抗蝕劑圖案7覆蓋。
[0072]接著，例如，經由柵極絕緣膜6將PH3/H2離子等N型雜質離子注入將成為連接部28a及下部電極28的區(qū)域的半導體層5。由此，形成連接部28a以及存儲電容33的下部電極28。然后，去除抗蝕劑圖案7。
[0073]接著，如圖5的⑷所示，形成開放了圖像顯示區(qū)域11中的將成為N溝道TFT 31的高濃度源極區(qū)域5a及高濃度漏極區(qū)域5b的部位、以及外圍區(qū)域中的將成為N溝道TFT30的高濃度源極區(qū)域5a及高濃度漏極區(qū)域5b的部位的抗蝕劑圖案60。對抗蝕劑圖案60的形成方法沒有特別的限定，例如，可與上述的抗蝕劑圖案7的相同。
[0074]接著，例如，經由柵極絕緣膜6將PH3/H2離子等N型雜質離子注入將成為N溝道TFT 31,30的高濃度源極區(qū)域5a及高濃度漏極區(qū)域5b的部位的半導體層5。由此，形成N溝道TFT 31,30的高濃度源極區(qū)域5a和高濃度漏極區(qū)域5b。然后，去除抗蝕劑圖案60。
[0075](導電圖案形成方法)
[0076]接著，如圖6