寸。
[0083] 功率區(qū)245,正如其名，包括用于將功率分布給第二半導體器件211的金屬和通 孔。此外，功率區(qū)245內(nèi)的通孔和金屬也將用作熱導管以去除第二半導體器件211的熱量。 這樣，可將功率區(qū)245內(nèi)的通孔和金屬的尺寸設定為不同于信號區(qū)243內(nèi)的通孔和金屬的 尺寸，以適應額外的熱傳遞。在一個實施例中，功率區(qū)245內(nèi)的通孔可具有介于約5μπι至 約75μm之間（諸如，約60μm)的第二直徑，而金屬可具有介于約1. 5μm至約5μm之間 (諸如，約2μπι)的第二厚度。然而，可以可選地使用任意其他合適的尺寸。
[0084] 接地區(qū)247,正如其名，為第二半導體器件211提供接地電位。此外，在一個實施例 中，接地區(qū)247還與功率區(qū)245協(xié)作使用以去除來自第二半導體器件211的熱量。這樣，可 將接地區(qū)247內(nèi)的通孔和金屬的尺寸設定為與功率區(qū)245內(nèi)的通孔和金屬相似的尺寸，但 是，根據(jù)需要，可以不同地設定它們的尺寸。
[0085] -旦已形成第二金屬化層223,可形成第三接觸焊盤249以在第三金屬化層233和 例如第二襯底401之間提供電連接。在一個實施例中，第三接觸焊盤249與第一接觸焊盤 109(參見圖1所述）相似。例如，第三接觸焊盤249可以為使用沉積和圖案化工藝形成的 鋁接觸焊盤，但是可以可選地使用任意其他合適的工藝。
[0086] 圖3示出了第一封裝件100和第二封裝件200的粘合。在一個實施例中，通過先對 準第一外部連接件113和第二外部連接件203可將第一封裝件100接合至第二封裝件200。 一旦接觸，可實施回流以回流第一外部連接件113和第二外部連接件203的材料，從而將第 一封裝件100物理和電接合至第二封裝件200。然而，根據(jù)所選擇的第一外部連接件113和 第二外部連接件203的結構，可以可選地使用諸如銅-銅接合的任意其他合適的接合方法， 并且所有這樣的接合方法完全旨在包含于實施例的范圍內(nèi)。
[0087] 圖3還示出了連接于第三接觸焊盤249的第三外部連接件301的形成。第三外部 連接件301可以為諸如球柵陣列的接觸凸塊，但是，可以可選地使用諸如微凸塊、C4凸塊等 的任意合適的形狀和尺寸。在一個實施例中，第三外部連接件301包括諸如錫、銀、或銅的 材料，但是，可以可選地使用任意合適的材料。在第三外部連接件301是錫焊料凸塊的實施 例中，通過諸如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉移、球置放等的任意合適的方法先形成厚度例如約 為100μm的錫層，從而可形成第三外部連接件301。一旦在結構上已形成錫層，實施回流， 以將材料成型為期望的凸塊形狀。
[0088] 圖4A示出了同時使用第四外部連接件405和第五外部連接件403 (如圖4A所示， 已與第三外部連接件301接合）實現(xiàn)第二封裝件200和第二襯底401的接合。在一個實施 例中，第二襯底401可以例如為用于互連多種電組件以便為用戶提供期望功能的印刷電路 板。可選地，第二襯底401可以為另一個襯底且包括多個導電層（未單獨示出），這些多個 導電層中的一些為位于第二襯底401中的夾層。這些層可被蝕刻成各種寬度和長度的跡線 并且通過夾層通孔連接。同時，線和通孔可形成電網(wǎng)以將來自第二襯底401的一側的DC功 率、接地和信號按線路發(fā)送至第二襯底401的另一側。本領域的技術人員會認識到，第二襯 底401可以由諸如雙馬來酰亞胺三嗪（BT)的有機（層壓）材料、諸如液晶聚合物（LCP)的 聚合物基材料、諸如低溫共燒陶瓷（LTCC)的陶瓷材料、硅或玻璃插件等制造而成。本領域 的技術人員還會認識到，導電層和通孔可以由諸如銅、鋁、銀、金、其他金屬、合金的任意其 他合適的導電材料、它們的組合等形成，并且通過任意合適的技術（諸如電化學鍍（ECP)、 無電鍍）、其他沉積方法（諸如濺射、印刷、和化學氣相沉積（CVD)方法）等形成。
[0089]在一些實施例中，第二襯底401可包括電兀件，如電阻器、電容器、信號分布電路、 它們的組合等。這些電元件可以是有源的、無源的、或它們的組合。在其他實施例中，第二 襯底401的內(nèi)部不具有有源和無源電元件。所有這樣的組合完全旨在包含于實施例的范圍 內(nèi)。
[0090]第二襯底401可包括第四接觸焊盤407,以將第二襯底401電連接至例如第二封 裝件200。在一個實施例中，第四接觸焊盤407可與第一接觸焊盤109相似（參照圖1所 述）。例如，第四接觸焊盤407可以為通過沉積和圖案化工藝形成的鋁接觸焊盤。然而，第 四接觸焊盤407可以可選地與第一接觸焊盤109不同。
[0091]在一個實施例中，可形成第五外部連接件403以在第四接觸焊盤407和第三接觸 焊盤249之間提供外部連接。第五外部連接件403可以為諸如球柵陣列的接觸凸塊，但是， 可以可選地使用諸如微凸塊、C4凸塊等的任意合適的形狀和尺寸。在一個實施例中，第五 外部連接件403包括諸如錫、銀、或銅的材料，但是，可以可選地使用任意其他合適的材料。 在第五外部連接件403是錫焊料凸塊的實施例中，通過諸如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉移、球 置放等的任意合適的方法先形成厚度為（例如）約100μm的錫層，從而可形成第五外部連 接件403。一旦在結構上形成錫層，實施回流，以使材料成型為期望的凸塊形狀。
[0092] 第四外部連接件405用于電連接性和導熱率。這樣，第四外部連接件405具有不 同于第五外部連接件403的物理屬性。在一個實施例中，第四外部連接件405是一種導熱 率高于第五外部連接件403的材料，其允許熱量從第二半導體器件211流經(jīng)功率區(qū)245和 接地區(qū)247以及第四外部連接件405。這樣可以更好地去除第二半導體器件211的熱量。
[0093] 在一個特定實施例中，第四外部連接件405包括銅，但是，可以可選地使用諸如鋁 或金的任意其他合適的導電（電或熱）材料。此外，在圖4A公開的實施例中，由銅制成的 第四外部連接件405成型為銅塊，其具有介于約0.2mm至約50. 0mm之間（諸如，約1.0mm) 的第三寬度W3以及介于約0· 2mm至約50. 0mm之間（諸如，約1. 0mm)的第一深度D丨（未在 圖4A的截面圖中示出，但被定位為進出圖4A的頁面，如圖4B所示）。第四外部連接件405 具有足以將第四接觸焊盤407電且熱連接至第三接觸焊盤249的第一高度氏。這樣，盡管 第一高度氏的準確高度尺寸至少部分地取決于器件的整體設計，但是，在一個實施例中，第 一高度氏可介于約0· 1謹至約0· 3謹之間，如，約0· 16謹。
[0094] 可選地，除了簡單的導電塊以外，第四外部連接件405可由其他材料形成。但是， 可以可選地使用諸如導電箱（例如，銅箱）或導電漿（例如，銅漿）的任意合適的傳導（電 和熱）型材料。所有這樣的材料可完全旨在包含于實施例的范圍內(nèi)。
[0095] 此外，第四外部連接件405不受限于上述和附圖所示的塊形狀。但是，還可使用諸 如圓形和多邊形的任意合適形狀、以及諸如星形、十字形或U形的其他不規(guī)則形狀。所有這 樣的形成完全旨在包含于實施例的范圍內(nèi)。
[0096] 在第四外部連接件405是銅塊的實施例中，通過先將焊劑409放置在第四接觸焊 盤407上可將第四外部連接件405放置在第四接觸焊盤407上。例如，通過刷涂、噴射、模 板印刷（stencil)、或其他方法可應用焊劑409。焊劑409通常具有去除氧化阻擋物的酸性 成分和有助于防止集成電路在工藝過程中移動的粘合性。焊劑409可同時放置在連接至第 四接觸焊盤407的第四外部連接件405以及第五外部連接件403上（為了清楚，未在圖4A 中示出），但是，根據(jù)需要，焊劑409可僅放置在連接至第四接觸焊盤407的第四外部連接件 405上、或它們的任意組合。
[0097] 然而，盡管在該實施例中描述使用焊劑409,但是，也可以使用其他類型的材料來 輔助第四外部連接件405和第四接觸焊盤407之間的連接。可以可選地使用諸如焊料漿的 任意其他合適的材料。所有這樣的材料完全旨在包含于實施例的范圍內(nèi)。
[0098] -旦焊劑409設置在適當位置，使用（例如）拾放操作可物理放置第四外部連接 件405以與焊劑409接觸，但是，可以可選地使用任意合適的放置方法。一旦第四外部連接 件405處于適當?shù)奈恢?，可將額外的焊劑409放置在第三接觸焊盤249上并且可實施熱工 藝以接合第四外部連接件405與功率區(qū)245和接地區(qū)247內(nèi)的第四接觸焊盤407和第三接 觸焊盤249。在一個特定實施例中，熱工藝可以是上述的回流工藝，以回流第五外部連接件 403,但是，可以可選地使用單獨的熱工藝。這樣，回流工藝將回流第五外部連接件403以及 接合第四外部連接件40