芯片120的 第三墊145和第四墊147與支撐構(gòu)件110的第一墊115和第二墊117接觸，而發(fā)光芯片120 的第三墊145和第四墊147被熱粘合到支撐構(gòu)件110的第一墊115和第二墊117。在這種 情況中，當(dāng)從第一墊115和第三墊145之間的分界面以及第二墊117和第四墊147之間的 分界面推粘貼構(gòu)件150時(shí)，粘貼構(gòu)件150移動(dòng)，從而使粘貼構(gòu)件150被引入支撐構(gòu)件110的 第一孔11和第二孔13。另外，粘貼構(gòu)件150的一部分被移動(dòng)到發(fā)光芯片120的外部區(qū)域及 墊115、117、145和147之間的區(qū)域。當(dāng)粘貼構(gòu)件150固化，布置在支撐構(gòu)件110的第一孔 11和第二孔13中的粘貼構(gòu)件150可以形成突出部。
[0068] 在按壓過程之前粘貼構(gòu)件150的厚度范圍為20μm到25μm，而按壓過程之后從墊 115、117、145和147之間的分界完全移走。在這種情況中，在鄰近墊115、117、145和147的 區(qū)域處需要用于接收粘貼構(gòu)件150的空間。如果熱按壓過程期間，在鄰近墊115、117、145 和147的區(qū)域處沒有用于粘貼構(gòu)件150的空間，則粘貼構(gòu)件150不能完全從墊115、117、145 和147之間的分界面移走。在這種情況中，在墊115、117、145和147之間的分界面可能發(fā) 生不完全接觸，導(dǎo)致電接觸失效。根據(jù)本實(shí)施例，孔11和13對(duì)應(yīng)于鄰近墊115、117、145和 147或與墊115、117、145和147重疊的區(qū)域處的粘貼構(gòu)件150形成，從而使孔11和13可以 在粘貼構(gòu)件150的熱按壓過程期間充當(dāng)粘貼構(gòu)件150的接收空間。粘貼構(gòu)件150的一部分 可以移入支撐構(gòu)件110和發(fā)光芯片或外部區(qū)域之間的空間。
[0069] 當(dāng)粘貼構(gòu)件150固化時(shí)，發(fā)光芯片120被粘合到支撐構(gòu)件110,因此發(fā)光芯片120 可以被切割成包裝尺寸或可以被用于發(fā)光模塊。雖然實(shí)施例已經(jīng)描述了一個(gè)發(fā)光芯片120 被安裝在支撐構(gòu)件110上，但在支撐構(gòu)件110上可以設(shè)置至少兩個(gè)彼此間隔開預(yù)定距離的 發(fā)光芯片120。
[0070] 圖5A是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖，而圖5B是示出圖5A中所示 的支撐構(gòu)件的示例的平面圖。在以下圖5A和圖5B的描述中，將通過引用相同部件而并入 第一實(shí)施。
[0071] 參考圖5A，發(fā)光器件包括支撐構(gòu)件110、在支撐構(gòu)件110上的發(fā)光芯片120以及在 支撐構(gòu)件110和發(fā)光芯片120之間的粘貼構(gòu)件150。
[0072] 如圖5A和圖5B所示，第一凹部118可以形成于鄰近第一孔11和第二孔13的至 少一個(gè)的區(qū)域處的支撐構(gòu)件110的上部部分，且第一凹部118從本體111的頂面向下凹陷。 防護(hù)層113可以在第一凹部118中形成，且本實(shí)施例不限于此。第一凹部118可以被布置 在支撐構(gòu)件110的第一墊115和第二墊117之間。第一凹部118可以被布置為鄰近第一墊 115的第一接觸部51以及第二墊117的第二接觸部71中的至少一者。另外，第一墊115的 第一接觸部51以及第二墊117的第二接觸部71中的至少一者可以延伸到第一凹部118中 形成的防護(hù)層113的表面。如圖5A所示，第一凹部118的上部寬度可比第一接觸部51和 第二接觸部71之間的間隙窄。如圖5B所示，第一凹部118的長度可以比第一接觸部51和 第二接觸部71的長度短或長。參考圖5B，第一凹部118的寬度方向可以是橫向方向，而第 一凹部118的長度方向可以是縱向方向。
[0073] 根據(jù)另一個(gè)示例，第一凹部118可以位于其它位置。例如，第一凹部118可以位于 第一墊115和支撐構(gòu)件110的上部邊緣之間，或者第二墊117和支撐構(gòu)件110的上部邊緣 之間。在第一墊115和第二墊117周圍可布置多個(gè)第一凹部118,且本實(shí)施例不限于此。粘 貼構(gòu)件150的一部分152可以插入第一凹部118,但是本實(shí)施例不限于此。當(dāng)粘貼構(gòu)件150 被熱按壓時(shí)，在第一墊115和第二墊117周圍布置一個(gè)或多個(gè)第一凹部118,從而在熱按壓 過程期間隨著粘貼構(gòu)件150移動(dòng)，粘貼構(gòu)件150可以被有效地接收在第一凹部118中。
[0074] 第一凹部118可以具有比本體111的厚度小的深度。第一凹部118的底部可以位 于比突出部151和153的底面低。
[0075] 圖6是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。在以下圖6的描述中，將通 過引用相同的部件而并入圖1、圖5A和圖5B的描述。
[0076] 參考圖6,發(fā)光器件包括支撐構(gòu)件110、在支撐構(gòu)件110上的發(fā)光芯片120以及在 支撐構(gòu)件110和發(fā)光芯片120之間的粘貼構(gòu)件150。
[0077] 支撐構(gòu)件110包括在本體111中形成的第一凹部118,而發(fā)光芯片120包括向基板 121的頂面或發(fā)光結(jié)構(gòu)125凹陷的第二凹部128。第一凹部118可以在豎直方向與第二凹 部128重疊。在另一個(gè)示例中，第一凹部118可以沿豎直方向從第二凹部128偏移，或者在 豎直方向不與第二凹部128相重疊。
[0078] -個(gè)或多個(gè)第二凹部128可以被布置在發(fā)光芯片120的第一墊115和第二墊117 之間的區(qū)域。第二凹部128可以被構(gòu)造成對(duì)應(yīng)第一絕緣層131的露出深度。在另一個(gè)示例 中，第二凹部128可以被構(gòu)造成對(duì)應(yīng)第二電極層142、連接層143和第一絕緣層131中的至 少一者的露出深度。也就是說，第二凹部128可以被構(gòu)造成對(duì)應(yīng)第二電極層142、連接層143 或第一絕緣層131距第二絕緣層133的露出深度。第二凹部128可以通過第一絕緣層131 的一部分、第二絕緣層133以及連接層143來形成。粘貼構(gòu)件110的部分152A可以被布置 在第二凹部128和第一凹部118中。
[0079] 第二凹部128可以具有從第二絕緣層133的底面的預(yù)定深度，而第二凹部128的 深度可以比第一凹部118的深度低。
[0080] 粘貼構(gòu)件150可以填充第一凹部118和第二凹部128。例如，當(dāng)布置在發(fā)光芯片 120和支撐構(gòu)件110之間的粘貼構(gòu)件150被按壓時(shí)，粘貼構(gòu)件150移動(dòng)進(jìn)而填充第一凹部 118和第二凹部128。
[0081] 圖7是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。在以下圖7的描述中，將通 過引用相同的部件并入圖1的描述。
[0082] 參考圖7,發(fā)光器件包括支撐構(gòu)件110、在支撐構(gòu)件110上的發(fā)光芯片120以及在 支撐構(gòu)件110和發(fā)光芯片120之間的粘貼構(gòu)件150。
[0083] 粘貼構(gòu)件150的外部部分155可在發(fā)光結(jié)構(gòu)125外延伸。粘貼構(gòu)件150的外部部 分155可以與布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)125的外表面的第二絕緣層133的部分134接觸。粘貼構(gòu)件 150的外部部分155的頂面可以位于比第一傳導(dǎo)半導(dǎo)體層122的頂面低、比第一傳導(dǎo)半導(dǎo)體 層122的底面高的位置。粘貼構(gòu)件150的外部部分155以及第二絕緣層133的部分134可 以沉積在發(fā)光結(jié)構(gòu)125的外表面上，從而防止?jié)駳鉂B入發(fā)光結(jié)構(gòu)125的外表面。在另一個(gè) 示例中，可以移除布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)125的外表面的第二絕緣層133的部分134。在這種情況 中，粘貼構(gòu)件150的外部部分155可以被粘合到發(fā)光結(jié)構(gòu)125的外表面，也就是說，第二傳 導(dǎo)半導(dǎo)體層124、有源層123和第一傳導(dǎo)半導(dǎo)體層122的外表面。
[0084] 根據(jù)第四實(shí)施例，粘貼構(gòu)件150可以被粘合在發(fā)光芯片120和支撐構(gòu)件110之間， 而粘貼構(gòu)件150的外部部分155可以被粘合在發(fā)光芯片120的外部區(qū)域和支撐構(gòu)件之間。 由于粘貼構(gòu)件150填充發(fā)光芯片120的外部區(qū)域，因此可以防止粘貼構(gòu)件150向支撐構(gòu)件 110外突出。
[0085] 圖8是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。在以下圖8的描述中，將通 過引用相同的部件并入圖7的描述。
[0086] 參考圖8,發(fā)光器件包括支撐構(gòu)件110、在支撐構(gòu)件110上的發(fā)光芯片120以及在 支撐構(gòu)件110和發(fā)光芯片120之間的粘貼構(gòu)件150。
[0087] 發(fā)光芯片120可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)125和基板121，而粗糙圖案121A可以形成于基 板121的頂面上。粗糖圖案121A可以改變光穿過基板121的臨界角，從而可以提尚光提取 效率。
[0088] 樹脂層180可以形成在基板121上。樹脂層180可被制備為單層或多層。樹脂層 180可以包括轉(zhuǎn)變發(fā)光芯片120發(fā)出的光的波長的磷光體。樹脂層180可以包括沒有雜質(zhì) 的透明層（比如磷光體），或者可以具有透明層和磷光體層的堆疊結(jié)構(gòu)。
[0089] 具有曲率的透鏡可以被聯(lián)接到樹脂層上，但是本實(shí)施例并不局限于此。
[0090]圖9是示出圖7中所示的發(fā)光器件的另一個(gè)實(shí)施例。
[0091] 參考圖9,發(fā)光器件包括支撐構(gòu)件110、在支撐構(gòu)件110上的發(fā)光芯片120以及在 支撐構(gòu)件110和發(fā)光芯片120之間的粘貼構(gòu)件150。
[0092] 發(fā)光芯片120可以通過移除在圖7的發(fā)光結(jié)構(gòu)125上形成的基板121來獲得?；?板121可以經(jīng)過物理方案或化學(xué)方案來移除。例如，基板121可以通過照射激光束或通過 執(zhí)行濕法蝕刻來移除。
[0093] 當(dāng)基板121被移除時(shí)，可以露出發(fā)光結(jié)構(gòu)125的表面，即第一傳導(dǎo)半導(dǎo)體層122的 頂面。第一傳導(dǎo)半導(dǎo)體層122的頂面可形成有粗糙圖案，但是本實(shí)施例并不局限于此。在 另一個(gè)示例中，在移除基板121的區(qū)域可露出緩沖層或無摻雜的半導(dǎo)體層。緩沖層或無摻 雜的半導(dǎo)體層可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)125上。
[0094] 透明樹脂層180可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)125上。透明樹脂層180可被制備為單層 或多層，并且如果必要可包括磷光體。另外，具有曲率的透鏡被聯(lián)接到樹脂層180上，但是 本實(shí)施例并不局限于此。
[0095] 圖10是示出根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)剖視圖。在以下圖10的描述中，將 通過引用圖10中的相同的部件并入圖1所示的發(fā)光芯片120和支撐構(gòu)件110的結(jié)構(gòu)。
[0096] 參考圖10,發(fā)光器件包括支撐構(gòu)件110、在支撐構(gòu)件110上的發(fā)光芯片120以及在 支撐構(gòu)件110和發(fā)光芯片120之間的粘貼構(gòu)件160。
[0097] 支撐構(gòu)件110可以包括本體111、防護(hù)層113以及第一墊115和第二墊117。
[0098] 發(fā)光芯片120可以包括基板121、發(fā)光結(jié)構(gòu)125、電極層141和142、絕緣層131和 132、連接層143以及第三墊145和第四墊147。
[0099] 粘貼構(gòu)件160可以包括傳導(dǎo)膜，例如導(dǎo)電膜。傳導(dǎo)膜可以包括在絕緣膜中的至少 一個(gè)傳導(dǎo)顆粒（conductiveparticle)61。傳導(dǎo)顆粒61，例如，可以包括金屬、金屬合金和 碳中的至少一者。傳導(dǎo)顆粒61可以包括附、六8、411、41、0、(：11和(：中的至少一者。傳導(dǎo)顆 粒61可以包括各向異性傳導(dǎo)膜或各向異性傳導(dǎo)粘合劑。
[0100] 之后將參考圖11來描述粘貼構(gòu)件160的粘合過程。粘貼構(gòu)件160可以被布置在 發(fā)光芯片120和支撐構(gòu)件110之間，接著執(zhí)行熱按壓過程。因此，傳導(dǎo)膜的傳導(dǎo)顆粒61被 分布在支撐構(gòu)件110的第一墊115和第二墊117以及發(fā)光芯片120的第三墊145和第四