的光輻射導(dǎo)引中的顯著改進(jìn)。
[0036]圖1在示意性圖解中示出采用激光二極管1的形式的半導(dǎo)體激光器的一個示例，激光二極管1由半導(dǎo)體材料的各層構(gòu)成并且具有主體2，更窄的條帶3被布置在主體2的頂側(cè)上。窄條帶3例如借助于干法蝕刻而由主體2的半導(dǎo)體層加工所成。半導(dǎo)體層被布置在條帶3和主體2這兩者中。條帶3構(gòu)成由半導(dǎo)體材料、特別是半導(dǎo)體材料的層組成的脊部。在主體2中形成具有有源區(qū)4的pn結(jié)。在條帶3下面，在生成光輻射的有源區(qū)4的區(qū)域中示意性地圖解了橢圓形式的光模式(optical mode) 5。光福射的光模5的形成依賴于光福射的光學(xué)導(dǎo)引。通過沿著激光二極管中的條帶3的縱向方向6使光導(dǎo)引層對應(yīng)，來導(dǎo)引由有源區(qū)4生成的光輻射。在相對的端面、側(cè)面處提供鏡面層(mirror layers)(未圖解)，鏡面層造成光輻射的反射，其中鏡面層被體現(xiàn)為是至少部分地透射的以便從半導(dǎo)體激光器耦合出由有源區(qū)4生成的光。
[0037]靠近有源區(qū)4的條帶3的臺階的布置(即角部區(qū)域的布置)對于所生成的光輻射的有效率的導(dǎo)引而言、即對于形成被窄地界定的光模式(narrowly delimited opticalmode)5而言是有利的。因此，有源區(qū)4和橫向表面9、10之間的距離應(yīng)當(dāng)盡可能小。通過保護(hù)層11覆蓋條帶3的側(cè)表面13、14以及主體2的第一和第二表面9、10，保護(hù)層11構(gòu)成電介質(zhì)鈍化層。導(dǎo)電層12被應(yīng)用在條帶3和保護(hù)層11的頂側(cè)上并且構(gòu)成與條帶3的電接觸。在每種情況下腔體15形成在保護(hù)層11與條帶3的側(cè)表面13、14和/或主體2的表面9、10之間。在所圖解的示例性實(shí)施例中，在被布置在條帶3的側(cè)表面13、14和主體的對應(yīng)的表面9、10之間的角部區(qū)域16中，腔體15鄰接側(cè)表面13、14以及主體2的鄰接表面9、10這兩者。取決于所選取的實(shí)施例，腔體15還可以僅鄰接主體的第一表面9或第二表面10、或者條帶3的第一側(cè)表面13和/或第二側(cè)表面14。還可以僅在沿著條帶3的一個縱向側(cè)或沿著條帶3的兩個縱向側(cè)的各區(qū)段中提供腔體15。
[0038]更進(jìn)一步地，還可以通過保護(hù)層11形成腔體15，保護(hù)層11具有特別是以多孔的和/或裂縫的形式(fissured fash1n)體現(xiàn)的多個腔體。在角部區(qū)域16中的任何類型的材料切口造成在光輻射的導(dǎo)引上的改進(jìn)，特別是在主體2中布置的被界定的光模式5上的改進(jìn)。在角部區(qū)域16中越是提供更少的保護(hù)層11的材料，由光輻射在鄰接條帶3的側(cè)表面13、14和/或鄰接主體2的表面9、10的折射率上感受到的折射率越是更小并且實(shí)際跳變越是更大。
[0039]如圖1中圖解那樣，形成完整的腔體15增加了從主體或者條帶3的材料的折射率到針對空氣的折射率1的在折射率上的跳變。結(jié)果，即使在角部區(qū)域16和有源區(qū)4之間的增加的距離的情況下也實(shí)現(xiàn)有效率的模式導(dǎo)引。角部區(qū)域16的增加的距離造成減少的引起損傷的情況(諸如例如，有源區(qū)4和半導(dǎo)體層的光波導(dǎo)引區(qū)域中的再復(fù)合中心、散射中心和吸收中心)。因而，增加了激光二極管的光學(xué)效率，并且還附加地改進(jìn)了長期穩(wěn)定性。作為形成腔體15的結(jié)果，即使在角部區(qū)域16和有源區(qū)4之間的增加的距離的情況下也實(shí)現(xiàn)更大的橫向光波導(dǎo)引。這造成改進(jìn)的性能，特別是造成減小的閾值電流和增加的時效穩(wěn)定性(aging stability)。此外，由于增加的制造容限(tolerance)而改進(jìn)了在激光二極管的生產(chǎn)期間的產(chǎn)出。更進(jìn)一步地，即使在更窄的條帶3的情況下也可能進(jìn)行多模操作。更進(jìn)一步地，出現(xiàn)第一端面7或第二端面8的鏡面層(側(cè)面)的減小的光負(fù)載。此外，針對條帶3的被限定的寬度而實(shí)現(xiàn)增加的增益。
[0040]圖1中的腔體15并不到達(dá)直到條帶3的頂側(cè)那么遠(yuǎn)，而是相反以被由保護(hù)層11的厚度間隔開的方式終止于條帶的頂側(cè)之下。在該實(shí)施例中，將保護(hù)層11引導(dǎo)至直到條帶3的側(cè)表面13、14那么遠(yuǎn)。因此通過保護(hù)層11將腔體15橫向地封閉。在第一端面7和/或第二端面8上，通過電介質(zhì)鏡面層(未圖解)封閉腔體15。
[0041]圖2示出了激光二極管1的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中在該實(shí)施例中，通過導(dǎo)電層12朝向頂部封閉腔體15。在該實(shí)施例中，保護(hù)層11處在距條帶3的側(cè)表面13、14 一段距離處并且形成向上開口的間隙17。間隙17在例如作為金屬層而形成的導(dǎo)電層12旁邊。
[0042]圖3示出了激光二極管1的進(jìn)一步的實(shí)施例，其中在該實(shí)施例中腔體15實(shí)質(zhì)上僅形成在條帶3的側(cè)表面13、14和主體2的對應(yīng)的表面9、10之間的角部區(qū)域16中。在該實(shí)施例中，可以通過在鄰接角部區(qū)域16的主體的表面9、10中的切口 18來專門地形成腔體15。切口 18可以具有例如2nm至lOOnm的深度。對應(yīng)地，切口 18還可以具有如垂直于條帶3的側(cè)表面13、14查看的對應(yīng)的寬度。切口 18例如在各區(qū)段中或者沿著條帶3的整個長度延伸。借助于蝕刻方法，特別是借助于干法蝕刻方法，可以將切口 18引入到主體2的表面9、10中。在該實(shí)施例中，保護(hù)層11基本上在側(cè)表面13、14的整個高度上抵靠于條帶3的側(cè)表面13、14。
[0043]取決于所選取的實(shí)施例，腔體15可以具有在條帶3的側(cè)表面13、14的高度的5%和100%之間的高度。此外，在垂直于條帶3的側(cè)表面13、14的方向上，腔體15可以具有在2nm和500nm之間范圍內(nèi)(優(yōu)選地300nm)的寬度。取決于所選取的實(shí)施例，腔體的橫截面可以按照沿著條帶3的寬度和/或按照沿著條帶3的高度而變化。
[0044]圖4示出了激光二極管1的實(shí)施例，其中將切口 18引入到鄰接角部區(qū)域16的主體2的表面9、10中。此外，在保護(hù)層11和條帶3的對應(yīng)的側(cè)表面13、14以及主體2的對應(yīng)的表面9、10之間提供腔體15。在所圖解的示例性實(shí)施例中，腔體15具有垂直于條帶3的寬度，該寬度大于平行于條帶3側(cè)表面13、14的腔體的高度。
[0045]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，還可以利用多孔保護(hù)層11至少部分地或者完全地填充圖1至4中圖解的腔體15和18。為此目的，在最簡單的情況下，多孔保護(hù)層11至少被以鄰接條帶3的側(cè)表面的方式沉積并且被沉積到鄰接條帶3的主體2的表面上。取決于所選取的實(shí)施例，可以將普通的保護(hù)層11沉積到多孔保護(hù)層11上。
[0046]取決于所選取的實(shí)施例，如圖1至4中圖解的腔體15的形式和布置以及保護(hù)層11的和切口 18的實(shí)施例可以被彼此組合。參考圖1至4解釋的設(shè)計具有如下優(yōu)點(diǎn):借助于在折射率上的大的跳變實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的折射率導(dǎo)引。此外，作為角部區(qū)域16和有源區(qū)4之間的高蝕刻距離的結(jié)果實(shí)現(xiàn)了激光二極管的高的器件效率和增加的穩(wěn)定性，并且作為結(jié)果使得針對激光二極管的生產(chǎn)的高的處理產(chǎn)出成為可能。更進(jìn)一步地，激光器具有諸如例如減小的閾值電流和增加的器件穩(wěn)定性的改進(jìn)的參數(shù)。
[0047]圖5至9示出了用于生產(chǎn)半導(dǎo)體激光器的第一方法的方法步驟，半導(dǎo)體激光器包括鄰接脊部的角部區(qū)域的腔體。圖5示出了采用激光二極管1形式的半導(dǎo)體激光器，激光二極管1包括主體2，通過蝕刻方法在區(qū)域4之上從主體2的頂側(cè)構(gòu)造條帶3。條帶3構(gòu)成伸長的脊部。在條帶3的頂側(cè)上應(yīng)用犧牲層19。利用采用保護(hù)層11的形式的鈍化來覆蓋犧牲層19。此外，保護(hù)層11還覆蓋條帶3的側(cè)表面13、14以及相對于條帶3被橫向形成的主體2的表面9、10。
[0048]通過例如CVD方法沉積保護(hù)層11。犧牲層19可以例如以氧化硅的形式被體現(xiàn)。保護(hù)層11可以例如以氮化硅、氧化鋯、氧化鈦、氮化鈦或氮化鉭的形式被體現(xiàn)。犧牲層19的選擇和保護(hù)層11的選擇由如下事實(shí)限定:意圖犧牲層19的和保護(hù)層11的熱膨脹系數(shù)相差至少兩倍或者更大，例如相差10倍或20倍或更大。氧化硅(Si02)具有4.5X10 7每開氏溫度的熱膨脹系數(shù)。氧化鋯(Zr02)具有100X10 7每開氏溫度的熱膨脹系數(shù)。氧化鈦(Ti02)具有90X10 7每開氏溫度的熱膨脹系數(shù)。氮化鈦(TiN)具有94X10 7每開氏溫度的熱膨脹系數(shù)。氮化鉭(TaN)具有44X10 7每開氏溫度的熱膨脹系數(shù)。因而，當(dāng)使用氧化硅作為犧牲層時，對于保護(hù)層11的實(shí)施例而言所聲稱的材料是合適的。保護(hù)層11可以具有在30nm和1 μπι之間的范圍內(nèi)的厚度。犧牲層19可以具有在從30nm至2 μπι的范圍內(nèi)的厚度。使圖5中的布置經(jīng)受熱加熱處理，其中該布置被加熱至例如大于200°C的溫度。用于加熱的時間持續(xù)可以在從3秒至30分鐘的范圍內(nèi)。隨后將該布置冷卻。
[0049]圖6示出了加熱處理之后以及冷卻之后的布置。由于在半導(dǎo)體激光器(即條帶3)的半導(dǎo)體材料、保護(hù)層11和犧牲層19之間的熱膨脹系數(shù)上的差異，因此在條帶3和保護(hù)層11之間以及在犧牲層19和保護(hù)層11之間形成了腔體15。特別是，腔體15鄰接條帶3的角部區(qū)域16。
[0050]此后，如圖7中圖解那樣，執(zhí)行濕法化學(xué)蝕刻步驟，其中蝕刻液體特別是滲入到犧牲層19(箭頭)之上的腔體15中并溶解犧牲層19。
[0051]然后執(zhí)行濕法蝕刻處理，其中利用機(jī)械輔助或者借