所述第二封料層的表面裸露出所述第二重布線層的連接區(qū)域；
[0050]S80:在所述連接區(qū)域上形成焊球。
[0051]首先執(zhí)行步驟S10，提供承載板101，在承載板101的表面通過激光形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在承載板101的正面形成第一開口部103，如圖2所示。第一開口部103通過硅蝕刻的方式形成。
[0052]可選的，第一開口部的橫截面成多邊形，多邊形至少包括四條邊。如圖2所示，第一開口部的橫截面呈矩形。
[0053]執(zhí)行步驟S20，在第一開口部103的周圍形成第一重布線層104，如圖3所示。第一重布線層104包括多個(gè)第一重布線區(qū)域，多個(gè)第一重布線區(qū)域互不相連且圍繞所述第一開口部。
[0054]接著執(zhí)行步驟S30，在第一重布線層上形成導(dǎo)電柱105，導(dǎo)電柱105的頂面高于待裝載芯片的頂面。如圖4所示，每個(gè)第一重布線區(qū)域上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電柱105。
[0055]可選的，在第一開口部103的周圍，沿著每條邊導(dǎo)電柱105均呈一排布置。
[0056]執(zhí)行步驟S40，在第一開口部103內(nèi)裝載芯片102，形成如圖5和圖6所示的結(jié)構(gòu)。
[0057]作為一種可選的實(shí)施方式，承載板去哦去的正面可形成一個(gè)或多個(gè)第一開口部。其中，第一開口部包括一個(gè)凹槽，凹槽內(nèi)可設(shè)置有一個(gè)芯片(如圖5和圖6所示)，也可以設(shè)置多個(gè)芯片(圖中未示出)；或者，第一開口部可以包括多個(gè)凹槽，每個(gè)凹槽內(nèi)設(shè)置一個(gè)芯片。
[0058]接著執(zhí)行步驟S50，在承載板的正面設(shè)置第一封料層106，第一封料層106的表面裸露出導(dǎo)電柱頂面和芯片的連接部件，如圖7和圖8所示，
[0059]其中，將第一封料層106填充于承載板101、第一重布線層104、導(dǎo)電柱105和芯片102之間，第一封料層106的頂面高于導(dǎo)電柱105的頂面；在第一封料層106的表面形成第二開口部107，第二開口部107露出導(dǎo)電柱頂面和芯片的連接部件。
[0060]芯片102的功能面朝上，該功能面為連接部件所在的表面。
[0061]可選的，連接部件優(yōu)選為芯片的焊盤。
[0062]可選的，第一封料層106為樹脂層，可以采用感光樹脂，通過曝光顯影的工藝在第一封料層106上相應(yīng)位置形成第二開口部107以露出導(dǎo)電柱105頂面和芯片102的連接部件。
[0063]執(zhí)行步驟S60，在第一封料層上形成連接導(dǎo)電柱與連接部件的第二重布線層，如圖9所示。具體的，在第一封料層106表面形成的第二開口部107上形成第二重布線層108，以建立導(dǎo)電柱與連接部件的電連接。
[0064]繼續(xù)執(zhí)行步驟S70:在第二重布線層108上形成第二封料層109，第二封料層的表面裸露出第二重布線層的連接區(qū)域，如圖10所示。
[0065]具體的，將第二封料層109填充于第一封料層以及第二重布線層108的上方，第二封料層109的頂面高于第二重布線層108的頂面；在第二封料層的表面形成第三開口部110，以露出第二重布線層的連接區(qū)域。第二封料層109的材料可優(yōu)選為感光樹脂，通過曝光顯影的工藝在第二封料層109上相應(yīng)位置形成第三開口部110。
[0066]執(zhí)行步驟S80:在連接區(qū)域上形成焊球。如圖11所示，焊球111形成于第三開口部?jī)?nèi)的連接區(qū)域上。
[0067]形成封裝結(jié)構(gòu)后，對(duì)承載板的背面打磨，減小封裝厚度，且便于散熱，并進(jìn)行封裝測(cè)試，方便后續(xù)剔除不良封裝品。
[0068]最后，對(duì)封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行單元化分割。
[0069]本發(fā)明提供的扇出晶圓級(jí)封裝方法，可對(duì)多個(gè)不同的芯片進(jìn)行封裝，具有較高的集成度和整合度，此外，符合半導(dǎo)體封裝輕薄短小的趨勢(shì)要求，可靠性高。
[0070]以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，包括: 在承載板的正面形成第一開口部； 在所述第一開口部的周圍形成第一重布線層； 在所述第一重布線層上形成導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的頂面高于待裝載芯片的頂面； 在所述第一開口部?jī)?nèi)裝載芯片； 在所述承載板的正面設(shè)置第一封料層，所述第一封料層的表面裸露出所述導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件； 在所述第一封料層上形成連接所述導(dǎo)電柱與所述連接部件的第二重布線層； 在所述第二重布線層上形成第二封料層，所述第二封料層的表面裸露出所述第二重布線層的連接區(qū)域； 在所述連接區(qū)域上形成焊球。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于， 所述第一重布線層包括多個(gè)第一重布線區(qū)域，所述多個(gè)第一重布線區(qū)域互不相連且圍繞所述第一開口部， 每個(gè)第一重布線區(qū)域上形成一個(gè)或多個(gè)所述導(dǎo)電柱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于， 所述第一開口部的橫截面呈多邊形，所述多邊形至少包括四條邊。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于， 在所述第一開口部的周圍，沿著每條邊所述導(dǎo)電柱均呈一排布置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于， 在所述承載板的正面形成一個(gè)或多個(gè)所述第一開口部； 所述第一開口部包括一個(gè)凹槽，所述凹槽內(nèi)設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)芯片；或，所述第一開口部包括多個(gè)凹槽，每個(gè)凹槽內(nèi)設(shè)置有一個(gè)芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述在所述承載板的正面設(shè)置第一封料層包括: 將所述第一封料層填充于所述承載板、所述第一重布線層、所述導(dǎo)電柱和所述芯片之間，第一封料層的頂面高于所述導(dǎo)電柱的頂面； 在所述第一封料層的表面形成第二開口部，以露出所述導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，在所述第一封料層上形成連接所述導(dǎo)電柱與所述連接部件的第二重布線層包括: 在所述第一封料層表面形成的所述第二開口部上形成第二重布線層，以建立所述導(dǎo)電柱與所述連接部件的電連接。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，在所述第二重布線層上形成第二封料層包括: 將所述第二封料層填充于所述第一封料層以及所述第二重布線層的上方，所述第二封料層的頂面高于所述第二重布線層的頂面； 在所述第二封料層的表面形成第三開口部，以露出所述第二重布線層的連接區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于， 在所述承載板的正面形成第一開口部之前，在承載板的正面通過激光形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，確定所述第一開口部的位置以裝載芯片。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于， 在所述第三開口部?jī)?nèi)的連接區(qū)域上形成焊球后，對(duì)所述承載板進(jìn)行背面打磨，并進(jìn)行封裝測(cè)試；接著對(duì)封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行單元化分割。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種扇出晶圓級(jí)封裝方法，包括：在承載板的正面形成第一開口部；在第一開口部的周圍形成第一重布線層；在第一重布線層上形成導(dǎo)電柱，導(dǎo)電柱的頂面高于待裝載芯片的頂面；在第一開口部?jī)?nèi)裝載芯片；在承載板的正面設(shè)置第一封料層，第一封料層的表面裸露出導(dǎo)電柱頂面和芯片的連接部件；在第一封料層上形成連接導(dǎo)電柱與連接部件的第二重布線層；在第二重布線層上形成第二封料層，第二封料層的表面裸露出第二重布線層的連接區(qū)域；在連接區(qū)域上形成焊球。本發(fā)明利用阻流結(jié)構(gòu)fanout工藝，形成柵欄狀的柱子區(qū)域，以限制樹脂在固化過程中的漲縮，限制芯片的偏移；在承載板上方、導(dǎo)電柱下方設(shè)置第一重布線層，增加結(jié)合力和散熱性能。
【IPC分類】H01L21/56, H01L21/50
【公開號(hào)】CN105304507
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510751008
【發(fā)明人】丁萬春
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年11月6日