可形成在低壓區(qū)404鄰近第四柵極絕緣層464的表面部分，而低濃度雜質(zhì)區(qū)482可形成在低壓區(qū)404鄰近第三柵極絕緣層462的表面部分。
[0099]參照圖31，隔片431可形成在高壓柵極430的側(cè)表面上，隔片471可形成在低壓柵極470的側(cè)表面上。然后，高濃度雜質(zhì)區(qū)444和484可形成在源區(qū)鄰近高壓柵極430和低壓柵極470的表面部分。進一步地，高濃度雜質(zhì)擴散區(qū)454和494可形成在漏區(qū)鄰近高壓柵極430和低壓柵極470的表面部分。結(jié)果，包括LDD結(jié)構(gòu)的源區(qū)440和DDD結(jié)構(gòu)的漏區(qū)450的高壓M0S晶體管400，以及包括LDD結(jié)構(gòu)的源區(qū)480和DDD結(jié)構(gòu)的漏區(qū)490的低壓M0S晶體管460可形成在襯底302上。
[0100]根據(jù)請求保護的本發(fā)明的上述實施方式，包括M0S晶體管的半導(dǎo)體器件可形成在襯底上。M0S晶體管可包括鄰近源區(qū)的第一柵極絕緣層，鄰近漏區(qū)的第二柵極絕緣層，以及形成在第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層上的柵極。
[0101]M0S晶體管可具有非對稱結(jié)構(gòu)。例如，源區(qū)可具有LDD結(jié)構(gòu)，而漏區(qū)可具有DDD結(jié)構(gòu)。因此，包括M0S晶體管的半導(dǎo)體器件的擊穿電壓可充分地提高。
[0102]特別地，第二柵極絕緣層的厚度可大于第一柵極絕緣層。因此，柵極和漏區(qū)的低濃度雜質(zhì)擴散區(qū)之間的寄生電容可充分降低，進一步地，半導(dǎo)體器件的截止頻率可充分提高。
[0103]盡管已參照【具體實施方式】描述了半導(dǎo)體器件及其制造方法，但其并不局限于此。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當容易理解，在不脫離所附權(quán)利要求的實質(zhì)及范圍的情況下，可作出多種改型和變化。
[0104]本文已描述了系統(tǒng)，器件和方法的各種實施方式。這些實施方式僅經(jīng)由實例給出，并不旨在限制本發(fā)明的范圍。此外，應(yīng)當理解，實施方式已描述的各種特征可以以各種方式結(jié)合，以產(chǎn)生許多附加的實施方式。此外，雖然已描述了公開的實施方式使用的各種材料、尺寸、形狀、構(gòu)造及位置等，但在不超出本發(fā)明范圍的情況下，亦可使用除了描述的那些之外的其他材料、尺寸、形狀、構(gòu)造及位置等。
[0105]相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當認識到，本發(fā)明包含的特征可少于上述任何單個實施方式所示出的特征。本文描述的實施方式并不是本發(fā)明各種特征可組合方式的窮盡表述。因此，實施方式不是特征相互排斥的結(jié)合；更確切地說，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解地，本發(fā)明可包括選自不同的單個實施方式的不同的單個特征的組合。此外，除非另有說明，否則關(guān)于一個實施方式描述的元件可實施在其他實施方式中，即使未在這個實施方式中描述。盡管權(quán)利要求中從屬權(quán)利要求可能涉及與一個或多個其他權(quán)利要求的特定組合，但其他實施方式也可包括此從屬權(quán)利要求與各其他從屬權(quán)利要求的主題的組合，或者一個或多個特征與其他從屬或獨立權(quán)利要求的組合。本文提出了這種組合，除非表明不考慮特定的組合。此外，還旨在包括任何其他獨立權(quán)利要求的特征，即使這個權(quán)利要求并不直接從屬于該獨立權(quán)利要求。
[0106]通過引用以上文檔的任何合并是有限的，以便沒有合并與本文明確公開內(nèi)容相反的主題。通過引用以上文檔的任何合并進一步是有限的，以便文檔中包括的權(quán)利要求沒有通過引用合并在本文中。通過引用以上文檔的任何合并還進一步是有限的，以便文檔中提供的任何定義沒有通過引用合并在本文中，除非明確表明包括在本文中。
[0107]為了解釋本發(fā)明的權(quán)利要求，明確表明不援引35U.S.C第112條，第六款的規(guī)定，除非在權(quán)利要求中限定了具體術(shù)語“用于……的裝置”或“用于……的步驟”。
【主權(quán)項】
1.半導(dǎo)體器件，包括: 襯底；以及 形成在所述襯底上的MOS晶體管， 其中所述MOS晶體管包括: 形成在所述襯底上的第一柵極絕緣層； 形成在所述第一柵極絕緣層的一側(cè)并且厚度大于所述第一柵極絕緣層的第二柵極絕緣層； 形成在所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層上的柵極； 鄰近所述第一柵極絕緣層的源區(qū)；以及 鄰近所述第二柵極絕緣層的漏區(qū)。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述源區(qū)具有輕摻雜漏極(LDD)結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述漏區(qū)具有雙擴散漏極(DDD)結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述MOS晶體管形成在所述襯底的低壓區(qū)上，所述低壓區(qū)配置成用在相對較低的第一電壓，而高壓MOS晶體管形成在所述襯底的高壓區(qū)上，所述高壓MOS晶體管包括厚度大于所述第二柵極絕緣層的高壓柵極絕緣層，所述高壓區(qū)配置成用在相對較高的第二電壓。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述MOS晶體管形成在所述襯底的高壓區(qū)上，所述高壓區(qū)配置成用在相對較高的第二電壓，而低壓MOS晶體管形成在所述襯底的低壓區(qū)上，所述低壓MOS晶體管包括厚度小于所述第一柵極絕緣層的低壓柵極絕緣層，所述低壓區(qū)配置成用在相對較低的第一電壓。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述低壓柵極絕緣層包括第三柵極絕緣層和第四柵極絕緣層，所述第四柵極絕緣層形成在所述第三柵極絕緣層的一側(cè)，并且厚度大于所述第三柵極絕緣層，而小于所述第一柵極絕緣層。7.制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括: 在襯底上形成第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層設(shè)置在所述第一柵極絕緣層的一側(cè)，并且厚度大于所述第一柵極絕緣層； 在所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層上形成柵極；以及分別在所述襯底鄰近所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層的表面部分形成源區(qū)和漏區(qū)。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層形成在所述襯底的低壓區(qū)上，所述低壓區(qū)配置成用在相對較低的第一電壓。9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述襯底的所述低壓區(qū)和高壓區(qū)上形成預(yù)備柵極絕緣層，所述高壓區(qū)配置成用在相對較高的第二電壓。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層包括: 將氟離子注入到其上將形成所述第二柵極絕緣層的區(qū)域中；以及 執(zhí)行熱氧化工藝以形成所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層。11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括在執(zhí)行所述熱氧化工藝之前，去除所述預(yù)備柵極絕緣層在所述低壓區(qū)上的部分，所述低壓區(qū)配置成用在相對較低的所述第一電壓。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述高壓柵極絕緣層的厚度大于所述第二柵極絕緣層，并且其中所述高壓柵極絕緣層通過所述熱氧化工藝形成在所述高壓區(qū)上。13.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述源區(qū)具有輕摻雜漏極(LDD)結(jié)構(gòu)。14.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述漏區(qū)具有雙擴散漏極(DDD)結(jié)構(gòu)。15.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層形成在所述襯底的高壓區(qū)上，所述高壓區(qū)配置成用在相對較高的第二電壓。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層包括: 將氟離子注入到其上將形成所述第二柵極絕緣層的區(qū)域中； 執(zhí)行第一熱氧化工藝以形成第一預(yù)備柵極絕緣層和厚度大于所述第一預(yù)備柵極絕緣層的第二預(yù)備柵極絕緣層；以及 執(zhí)行第二熱氧化工藝以形成所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層。17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在執(zhí)行所述第二熱氧化工藝之前，去除所述第一預(yù)備柵極絕緣層通過所述第一熱氧化工藝形成在所述襯底的低壓區(qū)上的部分。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中厚度小于所述第一柵極絕緣層的低壓柵極絕緣層通過所述第二熱氧化工藝形成在所述低壓區(qū)上。19.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在去除所述第一預(yù)備柵極絕緣層的所述部分之前，將氟離子注入到所述低壓區(qū)的一部分中。20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中第三柵極絕緣層和厚度大于所述第三柵極絕緣層的第四柵極絕緣層通過所述第二熱氧化工藝形成在所述低壓區(qū)上，并且所述第四柵極絕緣層形成在所述低壓區(qū)的所述部分上，并且厚度小于所述第一柵極絕緣層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件包括襯底以及形成在襯底上的MOS晶體管。MOS晶體管包括在襯底上形成的第一柵極絕緣層，在第一柵極絕緣層的一側(cè)形成并且厚度大于第一柵極絕緣層的第二柵極絕緣層，在第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層上形成的柵極，鄰近第一柵極絕緣層的源區(qū)，以及鄰近第二柵極絕緣層的漏區(qū)。
【IPC分類】H01L27/088, H01L29/423, H01L21/336, H01L21/8234, H01L29/78
【公開號】CN105304630
【申請?zhí)枴緾N201510438446
【發(fā)明人】金東昔, 李政官
【申請人】東部Hitek株式會社
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年7月23日
【公告號】US20160027899