一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LCD，TFT-LCD)，包括扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型，邊緣場切換(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)型，共面轉變模式(In Plane Switching，IPS)型等等，這些TFT-1XD的顯示屏中包括薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)陣列基板。TFT陣列基板上均存在很多連接孔，例如，像素電極與漏極之間的連接孔，公共電極與公共電極之間的連接孔，等等。其中，像素電極和公共電極通常為氧化銦錫導電膜(Indium Tin Oxide, ΙΤ0)層。如圖1所示，其中包括位于襯底基板10上的金屬層11 (如漏極)，位于金屬層11上的氮化硅層12，位于金屬層11和氮化硅層12上的ΙΤ0層13(如像素電極)，在ΙΤ0層13上與金屬層11的連接處有凹陷，稱為凹陷區(qū)域。TFT-1XD的制作過程中，需要在上述ΙΤ0層上涂布聚酰亞胺(Polyimide，PI)液，形成取向層。但是上述凹陷區(qū)域的存在，會容易導致PI液大量積蓄在上述凹陷區(qū)域中，凹陷區(qū)域的PI液比凹陷區(qū)域之外的區(qū)域的PI液要厚的多，容易出現(xiàn)涂布、擴散的PI液均勻性較差等問題，并且上述凹陷區(qū)域越深，涂布、擴散的PI液的均勻性越差。
【發(fā)明內容】
[0003]本發(fā)明實施例的目的是提供一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置，用于解決TFT陣列基板的IT0層上存在的凹陷區(qū)域容易導致涂布、擴散的PI液均勻性較差，并且凹陷區(qū)域越深，涂布、擴散的PI液均勻性越差的問題
[0004]本發(fā)明實施例的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
[0005]—種陣列基板，所述陣列基板包括具有至少一個凹陷區(qū)域的透明導電層和位于所述透明導電層上的取向層，所述陣列基板還包括填充于所述透明導電層的至少一個凹陷區(qū)域處的填充層。
[0006]較佳地，所述填充層的上表面與所述透明導電層除凹陷區(qū)域之外區(qū)域的上表面位于同一水平面。
[0007]較佳地，所述填充層的材料為光刻膠或者氮化硅。
[0008]較佳地，所述填充層的材料為正性光刻膠或者負性光刻膠。
[0009]較佳地，所述透明導電層為像素電極或公共電極。
[0010]一種顯示裝置，包括以上任一所述的陣列基板。
[0011]—種如以上任一所述的陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0012]在襯底基板上形成具有至少一個凹陷區(qū)域的透明導電層的圖形；
[0013]在至少一個所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形；
[0014]在所述透明導電層的圖形和所述填充層的圖形上涂覆取向層。
[0015]較佳地，所述在至少一個所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括:
[0016]在所述透明導電層上涂覆光刻膠層；
[0017]對光刻膠層進行曝光顯影，保留光刻膠層中與至少一個所述凹陷區(qū)域對應的區(qū)域以形成填充層的圖形。
[0018]較佳地，所述在至少一個所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括:
[0019]在所述透明導電層上形成氮化硅層；
[0020]在所述氮化硅層上涂覆光刻膠層；
[0021]對光刻膠層進行曝光顯影，在光刻膠層中與至少一個所述凹陷區(qū)域對應的區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域；
[0022]對所述氮化硅層進行刻蝕，保留氮化硅層中與光刻膠完全保留區(qū)域對應的區(qū)域以形成填充層的圖形；
[0023]對光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層進行剝離。
[0024]較佳地，所述在陣列基板上形成具有至少一個凹陷區(qū)域的透明導電層的圖形，在至少一個所述凹陷區(qū)域處形成填充層的圖形，包括:
[0025]在襯底基板上形成透明導電層；
[0026]在所述透明導電層上涂覆光刻膠層；
[0027]對光刻膠層進行曝光顯影，在光刻膠層中與將要形成的所述透明導電層的圖形對應的區(qū)域形成光刻膠部分保留區(qū)域，與至少一個所述凹陷區(qū)域對應的區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域，與將要形成的所述透明導電層的圖形和至少一個所述凹陷區(qū)域之外對應的區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域；
[0028]對光刻膠完全去除區(qū)域對應的透明導電層刻蝕形成透明導電層的圖形；
[0029]對光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠層進行灰化處理，完全去除光刻膠部分保留區(qū)域對應的光刻膠層，同時部分去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層以形成填充層的圖形。
[0030]本發(fā)明實施例的有益效果如下:
[0031]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置中，由于在透明導電層上的至少一個凹陷區(qū)域處有填充層，即凹陷區(qū)域處已被填充層所填充，這樣在凹陷區(qū)域中，填充層所填充的地方就無積蓄的取向層(如PI液)，積蓄的取向層就減少了，從而提高了陣列基板上的取向層的均勻性。
【附圖說明】
[0032]圖1為現(xiàn)有技術中TFT陣列基板上的ΙΤ0層上的凹陷區(qū)域的示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0034]圖3為圖2所示的陣列基板中填充層的上表面和透明導電層的上表面的示意圖；
[0035]圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的結構示意圖；
[0036]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0037]圖6為本發(fā)明實施例提供的采用半色調掩膜版對光刻膠層進行曝光的示意圖；
[0038]圖7為本發(fā)明實施例提供的采用如圖6所示的半色調掩模版對光刻膠層曝光顯影后的不意圖。
【具體實施方式】
[0039]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明提供的一種陣列基板、其制作方法、及顯示裝置進行更詳細地說明。
[0040]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，該陣列基板包括具有至少一個凹陷區(qū)域的透明導電層20和位于透明導電層20上的取向層21，該陣列基板還包括填充于透明導電層20的至少一個凹陷區(qū)域處的填充層22(圖2中陣列基板的其它結構未體現(xiàn))。
[0041]本發(fā)明實施例中，由于在透明導電層20上的至少一個凹陷區(qū)域處有填充層22，即凹陷區(qū)域處已被填充層22所填充，這樣在凹陷區(qū)域中，填充層22所填充的地方就無積蓄的取向層21 (如PI液)，積蓄的取向層21就減少了，從而提高了陣列基板上的取向層21的均勻性。
[0042]較佳地，上述實施例中，填充層22的上表面(如圖3所示)與透明導電層20除凹陷區(qū)域之外區(qū)域的上表面(如圖3所示)位于同一水平面。
[0043]本實施例中，透明導電層20的凹陷區(qū)域恰好被填充層22完全填充，這樣，凹陷區(qū)域中就完全沒有積蓄的取向層21，進一步使得位于填充層22和透明導電層20上的取向層21整體更加均勻、平整，從而使得陣列基板更加平整。另外，取向層的平整也有利于摩擦布的摩擦均勻。
[0044]上述實施例僅是對上述凹陷區(qū)域被填充程度的一種舉例并非限定，也可以是:填充層的上表面所在的水平面低于透明導電層除凹陷區(qū)域之外區(qū)域的上表面所在的水平面，當然，凹陷區(qū)域內被填充層所填充的地方越多，取向層的均勻性越高；或者填充層的上表面所在的水平面高于透明導電層除凹陷區(qū)域之外區(qū)域的上表面所在的水平面。這兩種結構都可以保證在凹陷區(qū)域中，填充層所填充的地方無積蓄的取向層，從而提高取向層的均勻性。
[0045]上述各個實施例中，填充層22的材料有多種，需要保證其為絕緣材料，具有溫度穩(wěn)定性，且極性穩(wěn)定(即對液晶分子無影響)。
[0046]較佳地，上述各個實施例中，填充層22的材料可以為光刻膠或者氮化硅。這些材料方便易得。
[0047]較佳地，上述各個實施例中，填充層22的材料可以為正性光刻膠或者負性光刻膠。
[0048]較佳地，上述各個實施例中，透明導電層20可以但不限于為像素電極或公共電極。
[0049]本發(fā)明實施例中，上述陣列基板為TFT陣列基板，TFT陣列基板可以是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)型的，邊緣場切換(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)型的，或者共面轉變(In Plane Switching，IPS)型的陣列基板，等等。
[0050]基于同樣的發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括以上任意實施例所述的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0051]下面以液晶顯示器中的TFT陣列基板為例，對本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板進行更加詳細地說明。
[0052]如圖4所示，在襯底基板23上除了包括上述透明導電層20，取向層21和填充層22，還包括位于襯底基板23上的金屬層24，和位于金屬層24上的氮化硅層25 (作為鈍化層或者絕緣層)，等等(其它結構未示出)。上述透明導電層20位于金屬層24和氮化硅層25上。
[0053]其中，透明導電層20的材料為ΙΤ0。
[0054]其中，如果透明導電層20為像素電極，相應的，金屬層24可以為漏極。
[0055]如果透明導電層20為公共電極，相應的，金屬層24可以為公共電極之間的連接線。
[0056]如果透明導電層20為柵極之間的連接線，相應的，金屬層24可以為柵極。
[0057]其中，填充層22的材料為正性光刻膠、負性光刻膠或者氮化硅其中一種。
[0058]并且，其中，填充層22的上表面與透明導電層20除凹陷區(qū)域之外區(qū)域的上表面位于同一水平面。