br>[0071]S5:在所述臺(tái)階200、斜坡300以及襯底100上覆蓋膜層400。
[0072]優(yōu)選方案中，在所述襯底100上涂覆輔助材料層之前，可通過(guò)PECVD工藝或?yàn)R射工藝形成絕緣薄膜600，并且，形成斜坡520之后，再次通過(guò)PECVD工藝或?yàn)R射工藝形成絕緣薄膜600。所述絕緣薄膜600例如是二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅薄膜。
[0073]綜上所述，所述LED芯片中，在臺(tái)階200周?chē)哂行逼?00，所述斜坡可有效解決后續(xù)形成的膜層斷層的問(wèn)題，由此可以解決由膜層斷層導(dǎo)致的漏電問(wèn)題，有利于提升倒裝LED芯片的性能。所述LED芯片制作方法中，通過(guò)旋涂、烘烤以及刻蝕等簡(jiǎn)單工藝形成斜坡，工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、適于大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)。
[0074]本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)于實(shí)施例公開(kāi)的方法而言，由于與實(shí)施例公開(kāi)的結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)結(jié)構(gòu)部分說(shuō)明即可。
[0075]上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書(shū)的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED芯片，其特征在于，包括襯底、臺(tái)階、斜坡以及膜層，所述臺(tái)階和斜坡形成于所述襯底上，所述斜坡環(huán)繞所述臺(tái)階，所述膜層覆蓋所述臺(tái)階、斜坡以及襯底。2.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述斜坡通過(guò)旋涂、烘烤以及刻蝕工藝形成，或者，通過(guò)旋涂、光照以及刻蝕工藝形成。3.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底上形成有導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層以及絕緣層中的至少一種。4.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述臺(tái)階是由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、非金屬氧化物以及非金屬氮化物中的至少一種構(gòu)成。5.如權(quán)利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述金屬是鉻、鈦、鋁、鎳、金、錫以及銅中的至少一種。6.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述斜坡的材料為聚合物或無(wú)機(jī)化合物中的至少一種。7.如權(quán)利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述聚合物是聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚酰亞胺中的至少一種。8.如權(quán)利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述無(wú)機(jī)化合物是硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或硼磷硅玻璃。9.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述斜坡的側(cè)壁與所述襯底的上表面的夾角為5?70度。10.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述斜坡與所述臺(tái)階的高度相同。11.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述斜坡部分覆蓋所述臺(tái)階的上表面。12.如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片為倒裝LED芯片。13.如權(quán)利要求12所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底上形成有外延層、接觸層、第一電極以及第二電極；所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層，所述外延層中具有多個(gè)暴露所述N型半導(dǎo)體層的凹槽，所述接觸層形成于所述P型半導(dǎo)體層上；所述第一電極形成于所述接觸層上，所述第二電極形成于所述凹槽內(nèi)的N型半導(dǎo)體層上；所述第一電極和第二電極構(gòu)成了所述臺(tái)階。14.如權(quán)利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底上還形成第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)；所述膜層為DBR反射層，所述DBR反射層覆蓋所述P型半導(dǎo)體層、接觸層、斜坡、N型半導(dǎo)體層以及所述凹槽的側(cè)壁，所述DBR反射層中具有暴露所述第一電極的第一通孔以及暴露所述第二電極的第二通孔；所述第一焊盤(pán)通過(guò)所述第一通孔與所述第一電極電連接，所述第二焊盤(pán)通過(guò)所述第二通孔與所述第二電極電連接。15.一種LED芯片制作方法，其特征在于，包括: 提供一襯底，所述襯底上形成有至少一個(gè)臺(tái)階； 通過(guò)旋涂工藝在所述襯底上涂覆輔助材料層； 通過(guò)烘烤或光照工藝使所述輔助材料層固化； 刻蝕所述輔助材料層形成斜坡，所述斜坡環(huán)繞所述臺(tái)階；以及 在所述臺(tái)階、斜坡以及襯底上覆蓋膜層。16.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述襯底上形成有導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層以及絕緣層中的至少一種。17.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述臺(tái)階是由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、非金屬氧化物以及非金屬氮化物中的至少一種構(gòu)成。18.如權(quán)利要求17所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述金屬是鉻、鈦、鋁、鎳、金、錫以及銅中的至少一種。19.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述斜坡的材料為聚合物或無(wú)機(jī)化合物中的至少一種。20.如權(quán)利要求19所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述聚合物是聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚酰亞胺中的至少一種。21.如權(quán)利要求19所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述無(wú)機(jī)化合物是硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或硼磷硅玻璃。22.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述斜坡的側(cè)壁與所述襯底的上表面的夾角為5?70度。23.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述斜坡與所述臺(tái)階的高度相同。24.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述斜坡部分覆蓋所述臺(tái)階的上表面。25.如權(quán)利要求15至24中任一項(xiàng)所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述LED芯片為倒裝LED芯片。26.如權(quán)利要求25所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述襯底上形成有外延層、接觸層、第一電極以及第二電極；所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層，所述外延層中具有多個(gè)暴露所述N型半導(dǎo)體層的凹槽，所述接觸層形成于所述P型半導(dǎo)體層上；所述第一電極形成于所述接觸層上，所述第二電極形成于所述凹槽內(nèi)的N型半導(dǎo)體層上；所述第一電極和第二電極構(gòu)成了所述臺(tái)階。27.如權(quán)利要求26所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述襯底上還形成第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)；所述膜層為DBR反射層，所述DBR反射層覆蓋所述P型半導(dǎo)體層、接觸層、斜坡、N型半導(dǎo)體層以及所述凹槽的側(cè)壁，所述DBR反射層中具有暴露所述第一電極的第一通孔以及暴露所述第二電極的第二通孔；所述第一焊盤(pán)通過(guò)所述第一通孔與所述第一電極電連接，所述第二焊盤(pán)通過(guò)所述第二通孔與所述第二電極電連接。28.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述烘烤溫度為100°C?900 °C，烘烤時(shí)間為0.1分鐘?600分鐘。29.如權(quán)利要求15所述的LED芯片制作方法，其特征在于，所述光照為紫外光照射，照射時(shí)間為0.1分鐘?600分鐘。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括襯底、臺(tái)階、斜坡以及膜層，所述臺(tái)階形成于所述襯底上，所述斜坡為環(huán)繞臺(tái)階的斜坡，所述膜層覆蓋所述臺(tái)階、斜坡以及襯底。本發(fā)明的LED芯片中斜坡為環(huán)繞臺(tái)階的斜坡，可有效解決后續(xù)形成的膜層斷層的問(wèn)題，由此可以解決由膜層斷層導(dǎo)致的漏電問(wèn)題，有利于提升倒裝LED芯片的性能。另外，本發(fā)明通過(guò)旋涂、烘烤(或光照)以及刻蝕等簡(jiǎn)單工藝形成斜坡，成本低廉、適于大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)。
【IPC分類(lèi)】H01L33/38, H01L33/46, H01L33/44
【公開(kāi)號(hào)】CN105304786
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510778265
【發(fā)明人】馬新剛, 江忠永, 李東昇, 潘艷萍, 丁海生, 趙進(jìn)超, 王洋
【申請(qǐng)人】杭州士蘭明芯科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年11月13日