有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年7月22日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0092655號 韓國專利申請和于2015年2月24日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0025913號韓國 專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，每個申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明的實施例的一個或更多個方面涉及一種有機(jī)發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0003] 有機(jī)發(fā)光器件是具有寬視角、高對比度、短響應(yīng)時間以及優(yōu)異的亮度、驅(qū)動電壓和 響應(yīng)速度特性的自發(fā)射器件，并且可以產(chǎn)生全彩色圖像。
[0004] 有機(jī)發(fā)光器件可以包括設(shè)置在基底上的第一電極以及順序地形成在第一電極上 的空穴傳輸區(qū)域、發(fā)射層、電子傳輸區(qū)域和第二電極。從第一電極注入的空穴可以通過空穴 傳輸區(qū)域傳輸?shù)桨l(fā)射層，從第二電極注入的電子可以通過電子傳輸區(qū)域傳輸?shù)桨l(fā)射層。然 后載流子（例如，空穴和電子）在發(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)時， 發(fā)射光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實施例的一個或更多個方面涉及一種有機(jī)發(fā)光器件。
[0006] 另外的方面將在隨后的描述中部分地闡述，并且部分地通過描述將是明顯的，或 者可以通過給出的實施例的實施而得知。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種有機(jī)發(fā)光器件包括：第一電極；第二電 極；發(fā)射層，位于第一電極和第二電極之間；以及空穴傳輸區(qū)域，位于第一電極和發(fā)射層之 間，其中，空穴傳輸區(qū)域包括輔助層，輔助層包括由式1表示的胺類化合物：
[0008]式1
[0009]
[0010] 其中，在式1中，
[0011] An選自于。環(huán)烷、C。雜環(huán)烷、c3-c1Q環(huán)烯、C。雜環(huán)烯、c6-c6。芳烴、c「c60 雜芳烴、非芳香縮合多環(huán)烴基和非芳香縮合雜多環(huán)烴基；
[0012] Ln至L16均獨立地選自于取代的或未取代的CfQ。亞環(huán)烷基、取代的或未取代的 (；-(；。亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的q-Ci。亞環(huán)烯基、取代的或未取代的Ci-Ci。亞雜環(huán)烯 基、取代的或未取代的C6_C6。亞芳基、取代的或未取代的C 。亞雜芳基、取代的或未取代 的二價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的二價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0013] all至al6均獨立地選自于0、1、2和3;
[0014]Rn至R14均獨立地選自于取代的或未取代的C6_C6。芳基、取代的或未取代的C「C6。 雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香縮合多環(huán)基和取代的或未取代的單價非芳香縮合雜 多環(huán)基；
[0015]nil和nl2均獨立地選自于0、1和2,其中，nil和nl2的總和選自于1、2、3和4 ;
[0016] R15至R17均獨立地選自于氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼 基、腙基、羧酸（這里，也被稱作羧酸基或羧基）或其鹽、磺酸（這里，也被稱作磺酸基）或 其鹽、磷酸（這里，也被稱作磷酸基）或其鹽、取代的或未取代的。烷基、取代的或未取 代的CfC6。烷氧基、取代的或未取代的C6-C6。芳基、取代的或未取代的C6-C6。芳氧基、取代的 或未取代的C6-C6。芳硫基、取代的或未取代的C。雜芳基、取代的或未取代的單價非芳香 縮合多環(huán)基、取代的或未取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-N(Qi)(Q2)和-Si(Q3) (Q4) (Q5);
[0017] bl5至bl7均獨立地選自于1、2、3和4 ;
[0018]取代的。亞環(huán)烷基、取代的Ci-Ci。亞雜環(huán)烷基、取代的C^-Ci。亞環(huán)烯基、取代 的Ci-Ci。亞雜環(huán)烯基、取代的c6-c6。亞芳基、取代的C 。亞雜芳基、取代的二價非芳香縮合 多環(huán)基、取代的二價非芳香縮合雜多環(huán)基、取代的Ci-Q。烷基、取代的C 。烷氧基、取代的 c6-c6。芳基、取代的c6-c6。芳氧基、取代的c6-c6。芳硫基、取代的C 。雜芳基、取代的單價非 芳香縮合多環(huán)基和取代的單價非芳香縮合雜多環(huán)基的至少一個取代基選自于：
[0019] 氘、4、-(：1、-8^-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或 其鹽、磷酸或其鹽、Ci-Q。烷基、c2-c6。烯基、c2-c6。炔基和CfC6。烷氧基；
[0020] 均取代有從氘、-F、-Cl、-Br、-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或 其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、。環(huán)烷基、ci-Q。雜環(huán)烷基、c3-q。環(huán)烯基、Ci-Q。雜環(huán)烯 基、c6-c6。芳基、c6-c6。芳氧基、c6-c6。芳硫基、c「c6。雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價 非芳香縮合雜多環(huán)基、_N(Qn) (Q12)和-Si(Q13) (Q14) (Q15)中選擇的至少一者的。烷基、 c2-c6。烯基、c2-c6。炔基和C「Q；。烷氧基；
[0021]C3-C1(rE^烷基、C。雜環(huán)烷基、C。環(huán)烯基、C。雜環(huán)烯基、C6-C6。芳基、C6-C6。 芳氧基、c6-c6。芳硫基、Ci-Cj；。雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；
[0022] 均取代有從氘、-F、-Cl、-Br、-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或 其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、CfC6。烷基、c2-c6。烯基、c2-c6。炔基、CfC6。烷氧基、c3-c1(] 環(huán)烷基、CfQ。雜環(huán)烷基、C3-(^。環(huán)烯基、C。雜環(huán)烯基、C6_C6。芳基、C6_C6。芳氧基、C6_C6。 芳硫基、Q-Cj；。雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基、單價非芳香縮合雜多環(huán)基、-n(q21) (q22) 和-Si(q23) (q24) (q25)中選擇的至少一者的c3-c1Q環(huán)烷基、C。雜環(huán)烷基、c3-q。環(huán)烯基、 CfCi。雜環(huán)烯基、c6-c6。芳基、c6-c6。芳氧基、c6-c6。芳硫基、C 。雜芳基、單價非芳香縮合多 環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基；以及
[0023]_N(Q31) (Q32)和-Si(Q33) (Q34) (Q35);
[0024] 其中，Q5、QnSQ15、Q21至Q25和Q31至Q35均獨立地選自于：
[0025]C「C6。烷基、C6_C60芳基、C「C6。雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合 雜多環(huán)基；以及
[0026] 均取代有C6_C6。芳基的C6_C6。芳基、C 。雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價 非芳香縮合雜多環(huán)基。
【附圖說明】
[0027] 通過下面結(jié)合附圖對實施例的描述，這些和/或其他方面將變得明顯并更容易理 解，在附圖中：
[0028] 圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個實施例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的示意性 剖視圖；
[0029] 圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個實施例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的示意性 剖視圖；
[0030] 圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個實施例的全彩色有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的 示意性剖視圖；以及
[0031] 圖4示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個實施例的logJ與電流效率的曲線圖。
【具體實施方式】
[0032] 現(xiàn)在將對實施例做出詳細(xì)參考，實施例的示例在附圖中示出，其中，同樣的附圖標(biāo) 記始終指示同樣的元件。就這點而言，當(dāng)前實施例可以具有不同形式并且不應(yīng)該被解釋為 限于這里闡述的描述。因此，在下面通過參照附圖僅描述實施例，以解釋本描述的各方面。 如這里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或更多個相關(guān)所列項目的任意和所有組合。當(dāng)諸如 "……中的至少一種（個）（者）"或"從……中選擇的至少一種（個）（者）"的表述在一系 列要素后面時，修飾整個系列的要素，而不是修飾所述系列中的單個要素。此外，當(dāng)描述本 發(fā)明的實施例時使用"可以（可）"是指"本發(fā)明的一個或更多個實施例"。
[0033] 附圖中的同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件，并將不再提供重復(fù)的描述。
[0034] 如這里使用的，單數(shù)形式的"一個"、"一種"和"所述（該）"也意圖包括復(fù)數(shù)形式， 除非上下文另外清楚地指出。
[0035] 還將理解的是，這里使用的術(shù)語"包括"和/或"包含"表示存在敘述的特征或組 件，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征或組件。另外，如這里使用的，術(shù)語"使用" 及其變型可以被視為分別與術(shù)語"利用"及其變型同義。
[0036] 將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱作"形成在"另一層、區(qū)域或組件"上"時，該層、 區(qū)域或組件可以直接地或間接地形成在所述另一層、區(qū)域或組件上。即，例如，可以存在中 間層、中間區(qū)域或中間組件。
[0037] 在附圖中，為了方便解釋，可以夸大組件的尺寸。換言之，由于為了方便解釋而任 意地示出附圖中的組件的尺寸和厚度，因此下面的實施例不限于此。
[0038] 如這里使用的，表述"（有機(jī)層）包括從第一材料中選擇的至少一種"在這里可以 表示"（有機(jī)層）可以包括一種式1的第一材料或者至少兩種不同的式1的第一材料"。
[0039] 如這里使用的，術(shù)語"有機(jī)層"是指位于有機(jī)發(fā)光器件中的第一電極和第二電極之 間的單個層和/或多個層。"有機(jī)層"中包括的材料不限于有機(jī)材料。
[0040]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個實施例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0041] 參照圖1，基底可以位于第一電極110下方或位于第二電極190上。基底可以是均 具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑度、易于操作和/或防水的玻璃基底或 透明塑料基底。
[0042] 例如，可以通過在基底上沉積或濺射第一電極材料來形成第一電極110。當(dāng)?shù)谝浑?極110是陽極時，第一電極材料可以選自于具有高逸出功的材料，以促進(jìn)空穴注入。第一電 極110可以是反射電極、半透射電極或透射電極。第一電極材料可以是透明的且高導(dǎo)電的 材料，這樣的材料的非限制性示例可以包括氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化錫（Sn02) 和氧化鋅（ZnO)。當(dāng)?shù)谝浑姌O110是半透射電極或反射電極時，第一電極材料可以是從鎂 (Mg)、鋁（A1)、鋁-鋰（Al-Li)、鈣（Ca)、鎂-銦（Mg-In)和鎂-銀（Mg-Ag)中選擇的至少一 種。
[0043] 第一電極110可以具有單層結(jié)構(gòu)或者包括兩個層或更多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如， 第一電極110可以具有IT0/Ag/IT0的三層結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明的實施例不限于此。
[0044] 有機(jī)層150位于第一電極110上。有機(jī)層150包括發(fā)射層160。
[0045] 有機(jī)層150可以包括位于第一電極110和發(fā)射層160之間的空穴傳輸區(qū)域130。 有機(jī)層150還可以包括位于發(fā)射層160和第二電極190之間的電子傳輸區(qū)域180。
[0046]空穴傳輸區(qū)域130可以包括輔助層140,且還可以包括從空穴注入層（HIL)、空穴 傳輸層（HTL)和電子阻擋層（EBL)中選擇的至少一者，但是本發(fā)明的實施例不限于此。電 子傳輸區(qū)域180可以包括從空穴阻擋層（HBL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)中選 擇的至少一者，但是本發(fā)明的實施例不限于此。
[0047] 空穴傳輸區(qū)域130可以具有由單一材料形成的單層結(jié)構(gòu)、由多種不同的材料形成 的單層結(jié)構(gòu)或者具有由多種不同的材料形成的多個層的多層結(jié)構(gòu)。
[0048] 例如，空穴傳輸區(qū)域130可以具有由多種不同的材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或者可以 具有空穴注入層/空穴傳輸層/輔助層的結(jié)構(gòu)、空穴注入層/輔助層的結(jié)構(gòu)或空穴傳輸層/ 輔助層的結(jié)構(gòu)，其中，按照此陳述次序從第一電極110順序地堆疊每種結(jié)構(gòu)的層，但是本發(fā) 明的實施例不限于此。
[0049] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)域130包括空穴注入層時，可以通過使用（利用）諸如真空沉積、旋 涂、澆鑄、朗格繆爾-布吉特（LB)法、噴墨印刷、激光印刷和/或激光誘導(dǎo)熱成像（LITI)的 一種或更多種適合的方法在第一電極110上形成空穴注入層。
[0050] 當(dāng)通過真空沉積形成空穴注入層時，根據(jù)用于形成空穴注入層的化合物和期望的 空穴注入層的結(jié)構(gòu)，可以在范圍為大約100°C至大約500°C的沉積溫度下、以范圍為大約 ?ο8托至大約?ο3托的真空度和以范圍為大約ο.οιΑ/秒至大約iooAy秒的沉積速率執(zhí)行 真空沉積。
[0051] 當(dāng)通過旋涂形成空穴注入層時，根據(jù)用于形成空穴注入層的化合物和期望的空穴 注入層的結(jié)構(gòu)，可以以范圍為大約2000rpm至大約5000rpm的涂覆速率并在范圍為大約 80°C至大約200°C的溫度下執(zhí)行旋涂。
[0052] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)域130包括空穴傳輸層時，可以通過使用諸如真空沉積、旋涂、澆 鑄、LB法、噴墨印刷、激光印刷和/或LITI的一種或更多種適合的方法在第一電極110上 或在空穴注入層上形成空穴傳輸層。當(dāng)通過真空沉積和/或旋涂形成空穴傳輸層時，沉積 條件和涂覆條件可以類似于用于形成空穴注入層的沉積條件和涂覆條件。
[0053]例如，空穴傳輸區(qū)域130可以包括例如從m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-ΝΡΒ、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4'，4〃-三（Ν-咔唑基）三苯胺（TCTA)、 聚苯胺/十二烷基苯磺酸（Pani/DBSA)、聚（3, 4-乙撐二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽） (PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸（Pani/CSA)、聚苯胺/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）（PANI/PSS) 以及由式201和式202中的任意一個表示的第一空穴傳輸化合物中選擇的至少一種：
[0057]
[0058]
[0059] 在式201和式202中，
[0060]L2Q1至L2Q5可以均獨立地與本說明書中結(jié)合Ln限定的相同；
[0061] xal至xa4可以均獨立地選自于0、1、2和3;
[0062] xa5可以選自于1、2、3、4和5;以及
[0063] R2M至R2M可以均獨立地被限定為與本說明書中結(jié)合Rn提供的限定相同。
[0064] 例如，在式201和式202中，
[0065]L2M至L2。5可以均獨立地選自于：
[0066]亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、 亞芘基、亞.]g基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔 啉基、亞喹唑啉基、亞咔唑基和亞三嗪基；以及
[0067]均取代有從氘、-F、-Cl、-Br、-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽。烷基。烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴 基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、]證基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、喹啉 基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中選擇的至少一者的亞苯基、亞萘基、 亞芴基、亞螺芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基、亞：g:基、亞吡啶 基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞咔 唑基和亞三嗪基；
[0068] xal至xa4可以均獨立地為0、1或2;
[0069] xa5可以為1、2或3;
[0070] R2Q1至R2。4可以均獨立地選自于：
[0071]苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟;基、吡啶 基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及
[0072]均取代有從氘、-F、-Cl、-Br、-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽。烷基。烷氧基、苯基、萘基、甘菊環(huán)基、芴基、螺芴 基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟;基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉 基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中選擇的至少一者的苯基、萘基、芴基、 螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、菌;基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、 喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，但是本發(fā)明的實施例不限于此。
[0073] 可以通過式201A來表不由式201表不的第一空穴傳輸化合物：
[0074] 式 201A
[0075]
[0076] 例如，可以通過式201A-1來表不由式201表不的第一空穴傳輸化合物，但是本發(fā) 明的實施例不限于此：
[0077] 式 201A-1
[0078]
[0079] 可以通過式202A來表示由式202表示的第一空穴傳輸化合物，但是本發(fā)明的實施 例不限于此：
[0080] 式 2〇2A
[0082]在式201A、式2〇1Α-1和式2〇2A中，、丨至L2Q3、xal至xa3、xa5和R2Q2至R2Q4與本 說明書中限定的相同，r211和r212均獨立地被限定為與結(jié)合R2(]3提供的限定相同，r213至r216 可以均獨立地選自于氫、氘、4、-(：1、-8^-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基 或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、CfC6。烷基、c2-c6。烯基、c2-c6。炔基、CfC6。烷氧基、c3-c1(] 環(huán)烷基、CfQ。雜環(huán)烷基、C3-(^。環(huán)烯基、C。雜環(huán)烯基、C6_C6。芳基、C6_C6。芳氧基、C6_C6。 芳硫基、(;-(;。雜芳基、單價非芳香縮合多環(huán)基和單價非芳香縮合雜多環(huán)基。
[0083] 例如，在式201A、式201A-1和式202A中，
[0084]L2M至L2。3可以均獨立地選自于：
[0085] 亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、 亞芘基、亞窟基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔 啉基、亞喹唑啉基、亞咔唑基和亞三嗪基；以及
[0086] 均取代有從氘、-F、-Cl、-Br、-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或 其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、Ci-Q。烷基、Ci-Q。烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并 芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、_窟基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹 啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中選擇的至少一者的亞苯基、亞萘基、亞芴基、 亞螺芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基、亞窟:基、亞吡啶基、亞吡嗪 基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞咔唑基和亞三 嘆基；
[0087] xal至xa3可以均獨立地為0或1;
[0088]R2Q3、Rm和R212可以均獨立地選自于苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴 基、菲基、蒽基、芘基、]露:基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、 喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及
[0089] 均取代有從氘、-F、-Cl、-Br、-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽。烷基。烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴 基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟:基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉 基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中選擇的至少一者的苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯 并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異 喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；
[0090] R213和R214可以均獨立地選自于：
[0091]CfC^。烷基和C烷氧基；
[0092] 均取代有從氘、-F、-Cl、-Br、-1、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽 基、芘基、窟:基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、 咔唑基和三嗪基中選擇的至少一者的Ci-Q。烷基和ci-c2。烷氧基；
[0093] 苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟基、吡啶 基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及