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      發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備、照明裝置及有機化合物的制作方法

      文檔序號:9549707閱讀:243來源:國知局
      發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備、照明裝置及有機化合物的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本發(fā)明涉及一種物體、方法或制造方法?;蛘?,本發(fā)明涉及一種工序(process)、機 器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或組合物(composition of matter)。尤其是,本發(fā)明的 一個方式涉及一種發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備、照明裝置以及它們的驅(qū)動方法或制造方 法。本發(fā)明的一個方式還涉及一種能夠用于發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備及照明裝置的有 機化合物。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 具有薄型輕量、高速響應(yīng)性及直流低電壓驅(qū)動等特征的使用有機化合物作為發(fā)光 體的發(fā)光元件被期待應(yīng)用于下一代平板顯示器。尤其是,認(rèn)為將發(fā)光元件配置為矩陣狀的 顯示裝置與現(xiàn)有的液晶顯示裝置相比具有視角廣且可見度優(yōu)異的優(yōu)點。
      [0003] 發(fā)光元件的發(fā)光機理被認(rèn)為如下:通過在一對電極之間夾著包含發(fā)光體的電致發(fā) 光層(EL層)并對該一對電極之間施加電壓,從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴在EL 層的發(fā)光中心重新結(jié)合而形成分子激子,當(dāng)該分子激子返回到基態(tài)時釋放出能量而發(fā)光。 已知激發(fā)態(tài)有單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài),并且認(rèn)為無論經(jīng)過上述任一種激發(fā)態(tài)都可以實現(xiàn) 發(fā)光。
      [0004] 關(guān)于這種發(fā)光元件,為了提高其元件特性,正積極地進行元件結(jié)構(gòu)的改進、材料的 開發(fā)等(例如,參照專利文獻1)。
      [0005][專利文獻1]日本專利申請公開2010-182699號公報。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006] 在發(fā)光元件的開發(fā)中,提高元件的可靠性是邁向商品化的重要事項之一。為了提 高元件的可靠性,需要能夠控制發(fā)光元件的EL層中的載流子平衡或能夠提高載流子重新 結(jié)合的概率的元件結(jié)構(gòu)。于是,本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種通過將EL層形成 為所希望的元件結(jié)構(gòu)來提高發(fā)光層中的載流子迀移率的可靠性高的發(fā)光元件。另外,從降 低驅(qū)動時所需的電流量及提高可靠性這一觀點看來,實現(xiàn)高電流效率(或量子效率)也是很 重要的。
      [0007] 于是,本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性得到提高的發(fā)光元件。本 發(fā)明的一個方式的另一個目的是提供一種電流效率(或量子效率)高的發(fā)光元件。本發(fā)明 的一個方式的另一個目的是提供一種優(yōu)選適用于本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的新穎的 有機化合物。另外,本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種將上述有機化合物用作EL 材料的發(fā)光效率及可靠性都高的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備或照明裝置?;蛘?,本發(fā)明 的另一個方式的目的之一是提供一種新穎的材料。或者,本發(fā)明的另一個方式的目的之一 是提供一種新穎的發(fā)光元件及發(fā)光裝置。注意,這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。 此外,本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述目的。另外,上述以外的目的從說明書、附 圖及權(quán)利要求等的記載看來顯而易見,并且可以從說明書、附圖及權(quán)利要求等的記載中抽 取上述以外的目的。
      [0008] 本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光元件,包括:陽極與陰極之間的EL層,EL層包括發(fā) 光層,發(fā)光層包括具有電子傳輸性及空穴傳輸性的第一有機化合物、具有空穴傳輸性的第 二有機化合物、發(fā)光物質(zhì),第一有機化合物和第二有機化合物是形成激基復(fù)合物的組合,第 一有機化合物的HOMO能級低于第二有機化合物的HOMO能級,第一有機化合物的HOMO能級 與第二有機化合物的HOMO能級之差為0. 4eV以下。
      [0009] 本發(fā)明的另一個方式是一種發(fā)光元件,包括:陽極與陰極之間的EL層,EL層包括 發(fā)光層,發(fā)光層包括具有電子傳輸性及空穴傳輸性的第一有機化合物、具有空穴傳輸性的 第二有機化合物、發(fā)光物質(zhì),第一有機化合物和第二有機化合物是形成激基復(fù)合物的組合, 第一有機化合物包括六元環(huán)的含氮雜芳環(huán)及咔唑骨架且不包括三芳胺骨架,第二有機化合 物包括三芳胺骨架。
      [0010] 本發(fā)明的另一個方式是一種發(fā)光元件,包括:陽極與陰極之間的EL層,EL層包括 發(fā)光層,發(fā)光層包括具有電子傳輸性及空穴傳輸性的第一有機化合物、具有空穴傳輸性的 第二有機化合物、發(fā)光物質(zhì),第一有機化合物和第二有機化合物是形成激基復(fù)合物的組合, 第一有機化合物包括六元環(huán)的含氮雜芳環(huán)及聯(lián)咔唑骨架且不包括三芳胺骨架,第二有機化 合物包括三芳胺骨架。
      [0011] 另外,在上述結(jié)構(gòu)中,聯(lián)咔唑骨架為3, 3' -聯(lián)咔唑骨架或2, 3' -聯(lián)咔唑骨架。
      [0012] 另外,在上述各結(jié)構(gòu)中,發(fā)光物質(zhì)為磷光性化合物。
      [0013] 另外,在上述各結(jié)構(gòu)中,EL層包括空穴傳輸層,空穴傳輸層與發(fā)光層彼此接觸,空 穴傳輸層包括具有空穴傳輸性的第三有機化合物,第三有機化合物的Η0Μ0能級低于第二 有機化合物的Η0Μ0能級。
      [0014] 另外,在上述各結(jié)構(gòu)中,第一有機化合物由如下通式(G0)表示。
      [0015] [化學(xué)式1]
      注意,在通式中,A表示二苯并[f,h]喹喔啉基,R1至R15分別獨立表示氫、取代或未取 代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基、取代或未取代 的碳原子數(shù)為6至13的芳基中的任一個,Ar表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6至25的亞 芳基或單鍵。此外,Ar的亞芳基優(yōu)選不包括亞蒽基基團(anthracenylenegroup)。
      [0016] 另外,本發(fā)明的另一個方式是由如下通式(GO)表示的有機化合物。
      [0017] [化學(xué)式2]
      注意,在通式中,A表示二苯并[f,h]喹喔啉基,R1至R15分別獨立表示氫、取代或未取 代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基、取代或未取代 的碳原子數(shù)為6至13的芳基中的任一個,Ar表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6至25的亞 芳基或單鍵。此外,Ar的亞芳基優(yōu)選不包括亞蒽基基團。
      [0018] 另外,本發(fā)明的另一個方式是由如下通式(G1)表示的有機化合物。
      [0019][化學(xué)式3!
      注意,在通式中,R1至R24分別獨立表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、 取代或未取代的碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基中 的任一個,Ar表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6至25的亞芳基或單鍵。此外,Ar的亞芳基 優(yōu)選不包括亞蒽基基團。
      [0020] 另外,本發(fā)明的另一個方式是由如下通式(G2 )表示的有機化合物。
      [0021] [化學(xué)式4]
      注意,在通式中,R1至R24分別獨立表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、 取代或未取代的碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基中 的任一個,Ar表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6至25的亞芳基或單鍵。此外,Ar的亞芳基 優(yōu)選不包括亞蒽基基團。
      [0022] 另外,本發(fā)明的另一個方式是由如下通式(G3 )表示的有機化合物。
      [0023][化學(xué)式5]
      注意,在通式中,R1至R24分別獨立表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、 取代或未取代的碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基中 的任一個,Ar表示取代或未取代的碳原子數(shù)為6至25的亞芳基或單鍵。此外,Ar的亞芳基 優(yōu)選不包括亞蒽基基團。
      [0024] 另外,作為上述通式(G0)、通式(G2)及通式(G3)中的碳原子數(shù)為1至6的烷基, 例如可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基 等。另外,作為碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基,例如可以舉出環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基等。作為 碳原子數(shù)為6至13的芳基,例如可以舉出苯基、甲苯基、二甲苯基、聯(lián)苯基、茚基、萘基、芴 基等。另外,作為Ar中的碳原子數(shù)為6至25的亞芳基,可以舉出1,2_或1,3_或1,4_亞 苯基、2,6-或3,5-或2,4-甲代亞苯基(切1町161^)、4,6-二甲苯-1,3-二基、2,4,6-三甲 苯 _1,3-二基、2,3,5,6-四甲苯-1,4-二基、3,3' -或3,4'-或4,4'-聯(lián)苯基、1,1':3', 1 ' ' _ 二聯(lián)苯(terbenzene) _3, 3 ' ' _ 一基、1,1' :4',1'' _ 二聯(lián)苯 _3,3'' -一基、1,1' :4', 1'' -三聯(lián)苯 _4,4'' -二基、1,1' :3',1'' -聯(lián)四苯 _3,3''' -二基、1,1' :3', 1'' -聯(lián)四苯_3,4''' -二基、1,1' -聯(lián)四苯 _4,4''' -二基、 1,4-或1,5-或2,6-或2, 7-亞萘基、2, 7-亞芴基、9,9-二甲基-2, 7-亞芴基、9,9-二苯 基-2, 7-亞芴基、9,9-二甲基-1,4-亞芴基、螺-9,9' -聯(lián)芴-2, 7-二基、9,10-二氫-2, 7-亞菲基(phenanthrenylene)、2, 7-亞菲基、3,6-亞菲基、9,10-亞菲基、2, 7-亞三亞苯基 (triphenylenylenegroup)、3,6_ 亞三亞苯基、2,8_ 亞苯并[a]菲基、2,9_ 亞苯并[a]菲 基、5,8_亞苯并[c]菲基等。
      [0025] 另外,上述碳原子數(shù)為1至6的烷基、碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為6 至13的芳基、碳原子數(shù)為6至25的亞芳基也可以具有取代基,作為該取代基,優(yōu)選使用: 甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基等碳原子數(shù)為1 至6的烷基;環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基等碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基;或者苯基、甲苯基、二甲 苯基、聯(lián)苯基、茚基、萘基、芴基、9,9' -二甲基芴基等形成環(huán)的碳原子數(shù)為6至13的芳基。
      [0026] 本發(fā)明的另一個方式是使用上述通式(G0)至(G3)中的任一個有機化合物的發(fā)光 元件。
      [0027] 本發(fā)明的另一個方式是包括上述各結(jié)構(gòu)所示的發(fā)光元件及框體的發(fā)光裝置。
      [0028] 注意,本發(fā)明的一個方式不僅是具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置,還包括使用該發(fā)光元 件或該發(fā)光裝置的電子設(shè)備(具體而言,是包括該發(fā)光元件或該發(fā)光裝置以及連接端子或 操作鍵的電子設(shè)備)及照明裝置(具體而言,是包括該發(fā)光元件或該發(fā)光裝置以及框體的照 明裝置)。因此,本說明書中的發(fā)光裝置是指圖像顯示裝置或光源(包括照明裝置)。此外,發(fā) 光裝置還包括如下模塊:將連接器諸如FPC(Flexibleprintedcircuit:柔性印刷電路)、 TCP(TapeCarrierPackage:載帶封裝)安裝到發(fā)光裝置的模塊;將印刷線路板設(shè)置于TCP 的端部的模塊;或者將1C(集成電路)通過COG(ChipOnGlass:玻璃覆晶封裝)方式直接 安裝到發(fā)光元件的模塊。
      [0029] 本發(fā)明的一個方式可以提供一種新穎的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物。另外,本發(fā) 明的一個方式可以提供一種將上述二苯并[f,h]喹喔啉衍生物用作EL材料的發(fā)光效率及 可靠性高的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備或照明裝置。另外,本發(fā)明的一個方式可以提供 一種新穎的材料?;蛘?,本發(fā)明的另一個方式可以提供一種新穎的發(fā)光元件及發(fā)光裝置。注 意,這些效果的記載并不妨礙其他效果的存在。此外,本發(fā)明的一個方式并不一定必須要具 有所有上述效果。上述以外的效果從說明書、附圖及權(quán)利要求等的記載看來顯而易見,并且 可以從說明書、附圖及權(quán)利要求等的記載中抽取上述以外的效果。
      【附圖說明】
      [0030] 圖1是說明發(fā)光元件的發(fā)光層的圖; 圖2是說明發(fā)光元件的發(fā)光層的圖; 圖3A及圖3B是說明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖; 圖4A及圖4B是說明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖; 圖5是說明發(fā)光裝置的圖; 圖6A及圖6B是說明發(fā)光裝置的圖; 圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7D' 1及圖7D' 2是說明電子設(shè)備的圖; 圖8A至圖8C是說明電子設(shè)備的圖; 圖9是說明照明裝置的圖; 圖10A及圖10B是結(jié)構(gòu)式(100)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的1H-NMR圖; 圖11示出結(jié)構(gòu)式(100)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖12示出結(jié)構(gòu)式(100)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖13A及圖13B是結(jié)構(gòu)式(101)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的1H-NMR圖; 圖14示出結(jié)構(gòu)式(101)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖15示出結(jié)構(gòu)式(101)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖16A及圖16B是結(jié)構(gòu)式(102)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的1H-NMR圖; 圖17示出結(jié)構(gòu)式(102)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖18示出結(jié)構(gòu)式(102)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖19A及圖19B是結(jié)構(gòu)式(103)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的1H-NMR圖; 圖20示出結(jié)構(gòu)式(103)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖21示出結(jié)構(gòu)式(103)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的紫外?可見吸收光譜及 發(fā)射光譜; 圖22是說明發(fā)光元件1、發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件3的結(jié)構(gòu)的圖; 圖23是示出發(fā)光元件1、發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件3的電流密度-亮度特性的圖; 圖24是示出發(fā)光元件1、發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件3的電壓-亮度特性的圖; 圖25是示出發(fā)光元件1、發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件3的亮度-電流效率特性的圖; 圖26是示出發(fā)光元件1、發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件3的電壓-電流特性的圖; 圖27是示出發(fā)光元件1、發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件3的發(fā)射光譜的圖; 圖28A及圖28B是示出發(fā)光元件1、發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件3的可靠性的圖; 圖29是示出發(fā)光元件4的電流密度-亮度特性的圖; 圖30是示出發(fā)光元件4的電壓-亮度特性的圖; 圖31是示出發(fā)光元件4的亮度-電流效率特性的圖; 圖32是示出發(fā)光元件4的電壓-電流特性的圖; 圖33是示出發(fā)光元件4的發(fā)射光譜的圖; 圖34A及圖34B是示出發(fā)光元件4的可靠性的圖; 圖35A及圖35B是結(jié)構(gòu)式(122)所示的二苯并[f,h]喹喔啉衍生物的1H-NMR圖; 圖36是示出發(fā)光元件5、對比發(fā)光元件6及對比發(fā)光元件7的電流密度-亮度特性的 圖; 圖37是示出發(fā)光元件5、對比發(fā)光元件6及對比發(fā)光元件7的電壓-亮度特性的圖; 圖38是示出發(fā)光元件5、對比發(fā)光元件6及對比發(fā)光元件7的亮度-電流效率特性的 圖; 圖39是示出發(fā)光元件5、對比發(fā)光元件6及對比發(fā)光元件7的電壓-電流特性的圖; 圖40是示出發(fā)光元件5、對比發(fā)光元件6及對比發(fā)光元件7的發(fā)射光譜的圖; 圖41A及圖41B是示出發(fā)光元件5、對比發(fā)光元件6及對比發(fā)光元件7的可靠性的圖; 圖42是示出發(fā)光元件8的電流密度-亮度特性的圖; 圖43是示出發(fā)光元件8的電壓-亮度特性的圖; 圖44是示出發(fā)光元件8的亮度-電流效率特性的圖; 圖45是示出發(fā)光元件8的電壓-電流特性的圖; 圖46是示出發(fā)光元件8的發(fā)射光譜的圖; 圖47是示出發(fā)光元件1A的保存測試中的電壓-電流特性的圖; 圖48是示出發(fā)光元件1A的保存測試中的亮度-外部量子效率特性的圖; 圖49是示出發(fā)光元件2A的保存測試中的電壓-電流特性的圖; 圖50是示出發(fā)光元件2A的保存測試中的亮度-外部量子效率特性的圖; 圖51是示出對比發(fā)光元件3A的保存測試中的電壓-電流特性的圖; 圖52是示出對比發(fā)光元件3A的保存測試中的亮度-外部量子效率特性的圖; 圖53是示出發(fā)光元件4A的保存測試中的電壓-電流特性的圖; 圖54是示出發(fā)光元件4A的保存測試中的亮度-外部量子效率特性的圖; 圖55是示出發(fā)光元件8A的保存測試中的電壓-電流特性的圖; 圖56是示出發(fā)光元件8A的保存測試中的亮度-外部量子效率特性的圖。
      【具體實施方式】
      [0031] 下面,參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實施方式。注意,本發(fā)明不局限于以下說明, 其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形 式。因此,本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在下面所示的實施方式所記載的內(nèi)容中。
      [0032] 另外,根據(jù)情況或狀態(tài),可以互相調(diào)換"膜"和"層"。例如有時可以將"導(dǎo)電層"換 稱為"導(dǎo)電膜"?;蛘?,例如有時可以將"絕緣膜"換稱為"絕緣層"。
      [0033] 實施方式1 在本實施方式中,對本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件進行說明。
      [0034] 在本實施方式所示的發(fā)光元件中,在一對電極(第一電極(陽極)與第二電極(陰 極))之間夾有包含發(fā)光層的EL層,除了發(fā)光層以外,EL層還包括空穴(或者Hole)注入層、 空穴(或者Hole)傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等。
      [0035] 當(dāng)對發(fā)光元件施加電壓時,從第一電極一側(cè)注入的空穴與從第二電極一側(cè)注入的 電子在發(fā)光層中重新結(jié)合,由此產(chǎn)生的能量使發(fā)光層所包含的發(fā)光物質(zhì)發(fā)光。
      [0036] 此時,如圖1所示,發(fā)光層100包括具有電子傳輸性及空穴傳輸性的第一有機化合 物(h) 101、具有空穴傳輸性的第二有機化合物(a) 102及發(fā)光物質(zhì)(未圖示)。注意,第一有 機化合物(h) 101與第二有機化合物(a) 102是形成激基復(fù)合物(也稱為exciplex)的組合。 也就是說,至少第一有機化合物(h) 101的最低未占分子軌道(LUMO:LowestUnoccupied MolecularOrbital)能級低于第二有機化合物(a)102的LUM0能級,并且,至少第一有機化 合物(h) 101 的最高占據(jù)分子軌道(HOMO:HighestOccupiedMolecularOrbital)能級低 于第二有機化合物(a)102的HOMO能級。因此,如圖1所示,所產(chǎn)生的激基復(fù)合物的激發(fā)能 受到第一有機化合物(h) 101的LUM0能級(LUM0 (h))與第二有機化合物(a) 102的Η0Μ0 能級(HOMO(a))的能量差(即圖1中的ΛEJ的影響。
      [0037] 在這樣的發(fā)光層100中,可以利用激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與發(fā)光物質(zhì)(客體材料) 的吸收光譜的重疊來進行能量轉(zhuǎn)移,因此可以實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)移效率及外部量子效率高的發(fā)光 元件。另外,為了使激基復(fù)合物電激發(fā),需要相當(dāng)于Λ艮的電能(即電壓),但是該ΛΕ』匕使 第一有機化合物(h) 101電激發(fā)所需的能量ΛEh或使第二有機化合物(a) 102電激發(fā)所需 的能量Λ艮小。也就是說,在這樣的發(fā)光層100中,可以降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓(發(fā)光開 始電壓)。
      [0038] 此時,在發(fā)光層100中不使用第一有機化合物(h) 101或第二有機化合物(a) 102, 而使用具有相當(dāng)于ΛEJ勺H0M0-LUM0能隙的一種有機化合物也可以得到與發(fā)光層100同樣 的低驅(qū)動電壓(發(fā)光開始電壓)。但是,當(dāng)使用一種有機化合物時,三重激發(fā)能大幅度地低于 單重激發(fā)能,因此難以將三重激發(fā)能轉(zhuǎn)移到發(fā)光物質(zhì)(客體材料),并以此對發(fā)光作出貢獻。 另一方面,激基復(fù)合物具有單重激發(fā)能與三重激發(fā)能幾乎位于相同位置的特征,因此可以 將單重激發(fā)能和三重激發(fā)能的雙方轉(zhuǎn)移到發(fā)光物質(zhì)。其結(jié)果,除了上述低電壓化的效果以 外,還可以得到高效率化的效果。下面詳細(xì)說明在此所述的高效率化的機理。
      [0039]當(dāng)發(fā)光物質(zhì)是磷光性化合物時,激基復(fù)合物的單重激發(fā)能及三重激發(fā)能同時轉(zhuǎn)移 到該磷光性化合物的三重激發(fā)態(tài),并且變換為來自該三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(即磷光發(fā)光),因 此從高效率的觀點來看是最優(yōu)選的。
      [0040]當(dāng)發(fā)光物質(zhì)是熱活化延遲熒光性化合物時,激基復(fù)合物的單重激發(fā)能轉(zhuǎn)移到發(fā)光 物質(zhì)的單重激發(fā)態(tài),并且可以變換為來自該單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(即熒光發(fā)光)。另外,雖然激 基復(fù)合物的三重激發(fā)能轉(zhuǎn)移到發(fā)光物質(zhì)的三重激發(fā)態(tài),但是該三重激發(fā)態(tài)的一部分或全部 因熱活化而逆系間竄越到發(fā)光物質(zhì)的單重激發(fā)態(tài),并且最后變換為熒光發(fā)光,因此可以實 現(xiàn)高效率。
      [0041]當(dāng)發(fā)光物質(zhì)是熒光性化合物時,激基復(fù)合物的單重激發(fā)能轉(zhuǎn)移到發(fā)光物質(zhì)的單重 激發(fā)態(tài),并且可以變換為來自該單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(即熒光發(fā)光)。另一方面,激基復(fù)合物的 三重激發(fā)能轉(zhuǎn)移到發(fā)光物質(zhì)的三重激發(fā)態(tài)且熱失活,因此看起來似乎無法實現(xiàn)高效率。然 而,由于作為能量供體的激基復(fù)合物的單重激發(fā)能與三重激發(fā)能的差小,所以激基復(fù)合物 自身就具有呈現(xiàn)熱活化延遲熒光的性質(zhì)。換言之,激基復(fù)合物的三重激發(fā)態(tài)的一部分或全 部逆系間竄越到單重激發(fā)態(tài),從而單重態(tài)激子的比例比通常高。由于作為能量供體的激基 復(fù)合物的單重態(tài)激子的比例增高且其單重激發(fā)能轉(zhuǎn)移到發(fā)光物質(zhì)的單重激發(fā)態(tài),所以即使 將熒光性化合物用作發(fā)光物質(zhì),發(fā)光效率也會增高。這樣的現(xiàn)象也是本發(fā)明的特征之一。 [0042] 如此,將激基復(fù)合物用作發(fā)光層中的能量供體的發(fā)光元件在作為發(fā)光物質(zhì)使用磷 光性化合物、熱活化延遲熒光性化合物、熒光性化合物中的任一種化合物時都是有用的,但 是在發(fā)光區(qū)域的控制這一觀點上有可能發(fā)生問題。
      [0043] 如上所述,作為第一有機化合物(h) 101與第二有機化合物(a) 102形成激基復(fù)合 物的條件,至少第一有機化合物(h)101的LUM0能級(LUMO(h))要低于第二有機化合物(a) 102的LUM0能級(LUM0 (a)),并且第一有機化合物(h)101的HOMO能級(HOMO(h))要低于 第二有機化合物(a)102的HOMO能級(H0M0(a))。尤其是,以往在將激基復(fù)合物用作發(fā)光層 100中的能量供體的發(fā)光元件中,通過充分?jǐn)U大第一有機化合物(h)101的Η0Μ0能級(Η0Μ0 (h))與第二有機化合物(a) 102的HOMO能級(HOMO(a))的能量差ΛEH_來形成激基復(fù)合 物。例如,當(dāng)作為第一有機化合物(h) 101使用2-[3' -(二苯并噻吩-4-基)聯(lián)苯-3-基] 二苯并[f,h]喹喔啉(簡稱:2mDBTBPDBq-II),且作為第二有機化合物(a) 102使用N- (1, Γ-聯(lián)苯-4-基)-9,9_二甲基-N-[4- (9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺 (簡稱:PCBBiF)時,第一有機化合物(h) 101的Η0Μ0能級(HOMO(h))為-6. 22eV,而第二有 機化合物(a) 102 的Η0Μ0 能級(HOMO(a))則為-5. 36eV,因此ΛEH(]M。有 0. 86eV。
      [0044] 如此,在第一有機化合物(h)101的HOMO能級(HOMO(h))與第二有機化合物(a) 102的HOMO能級(HOMO(a))的差(ΛE_)大的情況下,
      當(dāng)前第1頁1 2 3 4 5 6 
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