一種天線及其制造方法、含天線裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及天線技術(shù)，尤其涉及一種天線及其制造方法、含天線裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 天線是通訊系統(tǒng)中不可缺少的組件，天線的性能直接關(guān)系到接收和發(fā)射信號(hào)的質(zhì) 量，因此，對(duì)天線性能的研究十分重要。衡量一個(gè)移動(dòng)終端射頻輻射性能的好壞，即移動(dòng)終 端中天線的射頻輻射性能的好壞，不能單單依靠在理想的微波暗室的環(huán)境中測(cè)試得出的空 中下載（OTA，Over-the-Air)數(shù)值，更多的要考慮實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。所以，近年來越來越 多的通訊運(yùn)營(yíng)商，在測(cè)試天線性能時(shí)，增加了移動(dòng)終端在人體的頭和手的模型下測(cè)試天線 性能的方式，其中，模仿人體的所述頭和手的模型滿足CTIA規(guī)范的要求。
[0003] 但是，當(dāng)天線靠近人體這類高介電常數(shù)的導(dǎo)體時(shí)，天線的諧振頻率會(huì)發(fā)生偏移，且 有一部分能量會(huì)被人體吸收，如此，導(dǎo)致天線性能急劇下降。因此，如何提升移動(dòng)終端在靠 近高介電常數(shù)的導(dǎo)體時(shí)自身中天線的性能，成為亟需解決的一個(gè)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決現(xiàn)有存在的技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種天線及其制造方法、含天線 裝置，能提升天線在靠近高介電常數(shù)的導(dǎo)體時(shí)的射頻輻射性能。
[0005] 本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種天線，所述天線包括與信號(hào)饋點(diǎn)和地饋點(diǎn)連接的公共區(qū) 域、第一分支區(qū)域、第二分支區(qū)域及第三分支區(qū)域；其中，
[0007] 所述第一分支區(qū)域?yàn)閺乃龉矃^(qū)域的左下方部分區(qū)域處向左延伸所形成的區(qū) 域；
[0008] 所述第二分支區(qū)域?yàn)閺乃龉矃^(qū)域的左上方部分區(qū)域處水平向左延伸所形成 的區(qū)域；
[0009] 所述第三分支區(qū)域?yàn)閺乃龅诙种^(qū)域的末端向右下方延伸形成的區(qū)域；所述 第三分支區(qū)域與所述第二分支區(qū)域之間形成有第一縫隙；
[0010] 所述第三分支區(qū)域的部分區(qū)域與所述第一分支區(qū)域的部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0011] 上述方案中，所述天線還包括與所述公共區(qū)域連接的走線區(qū)域；其中，
[0012] 所述走線區(qū)域?yàn)閺乃龉矃^(qū)域的右上方部分區(qū)域處向所述信號(hào)饋點(diǎn)和地饋點(diǎn) 處延伸所形成的區(qū)域；所述走線區(qū)域與所述公共區(qū)域之間形成有第二縫隙。
[0013] 上述方案中，所述天線還包括寄生區(qū)域；其中，
[0014] 所述寄生區(qū)域?yàn)榕c所述走線區(qū)域形成有縫隙寬度為〇. 5-1. 2_的區(qū)域。
[0015] 上述方案中，所述第一縫隙的寬度為0. 3mm-2mm。
[0016] 上述方案中，所述第二縫隙的寬度為0. 5mm-2mm。
[0017] 上述方案中，所述第三分支區(qū)域的部分區(qū)域與所述第一分支區(qū)域的部分區(qū)域相對(duì) 應(yīng)處的間距為〇· 1臟_3謹(jǐn)。
[0018] 上述方案中，所述第三分支區(qū)域的部分區(qū)域與所述第一分支區(qū)域的部分區(qū)域相對(duì) 應(yīng)，包括：
[0019] 所述第三分支區(qū)域的末端與所述第一分支區(qū)域的末端相對(duì)應(yīng)，且形成的間距為 0·lmm-3mm〇
[0020] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種含天線裝置，所述裝置包括以上所述的任一天線。
[0021] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種天線的制造方法，所述天線包括公共區(qū)域、第一分支 區(qū)域、第二分支區(qū)域及第三分支區(qū)域；所述方法包括：
[0022] 形成與信號(hào)饋點(diǎn)和地饋點(diǎn)連接的公共區(qū)域；
[0023] 在從所述公共區(qū)域的左下方部分區(qū)域處向左延伸所形成的區(qū)域中形成所述第一 分支區(qū)域；
[0024] 在從所述公共區(qū)域的左上方部分區(qū)域處水平向左延伸所形成的區(qū)域中形成所述 第二分支區(qū)域；
[0025] 在從所述第二分支區(qū)域的末端向右下方延伸形成的區(qū)域中形成所述第三分支區(qū) 域，使所述第三分支區(qū)域與所述第二分支區(qū)域之間形成第一縫隙，并使所述第三分支區(qū)域 的部分區(qū)域與所述第一分支區(qū)域的部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0026] 上述方案中，所述方法還包括：
[0027] 在從所述公共區(qū)域的右上方部分區(qū)域處向所述信號(hào)饋點(diǎn)和地饋點(diǎn)處延伸形成所 述走線區(qū)域，使所述走線區(qū)域與所述公共區(qū)域之間形成第二縫隙。
[0028] 上述方案中，所述方法還包括：
[0029] 在與所述走線區(qū)域具有縫隙寬度為0. 5-1. 2mm的區(qū)域處形成寄生區(qū)域。
[0030] 上述方案中，所述第一縫隙的寬度為0. 3mm-2mm。
[0031] 上述方案中，所述第二縫隙的寬度為0. 5mm-2mm。
[0032] 上述方案中，所述第三分支區(qū)域的部分區(qū)域與所述第一分支區(qū)域的部分區(qū)域相對(duì) 應(yīng)處的間距為〇· 1臟_3謹(jǐn)。
[0033] 上述方案中，所述使所述第三分支區(qū)域的部分區(qū)域與所述第一分支區(qū)域的部分區(qū) 域相對(duì)應(yīng)，包括：
[0034] 使所述第三分支區(qū)域的末端與所述第一分支區(qū)域的末端相對(duì)應(yīng)，且形成的間距為 0·lmm-3mm〇
[0035] 本發(fā)明實(shí)施例所提供的天線及其制造方法、含天線裝置，能夠盡量避仿真手模型 觸碰到包含有所述天線的移動(dòng)終端中天線所處的殼體處，因?yàn)椋景l(fā)明實(shí)施例將低頻的走 線靠近天線的底部區(qū)域的中間位置，如圖1中所述第三分支區(qū)域A區(qū)域的末端、及第三分支 區(qū)域A和第二分支區(qū)域E之間的第一縫隙處于天線的底部區(qū)域的中間位置；而且，所述第三 分支區(qū)域A區(qū)域的末端處于包含有所述天線的移動(dòng)終端的底部，即仿真手模型接觸不到的 位置，如此，在仿真手模型測(cè)試所述天線性能時(shí)，能夠使包含有所述天線的移動(dòng)終端中所述 天線所處的底部的中間區(qū)域距離仿真手模型較遠(yuǎn)，從而降低仿真手模型對(duì)天線的影響。
【附圖說明】
[0036] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例天線的組成結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例天線的測(cè)試性能示意圖；
[0038] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例天線的回波損耗圖；
[0039] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例天線所處移動(dòng)終端在左手模型下、和天線所處移動(dòng)終端在自 由空間下的回波損耗對(duì)比圖；
[0040] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例天線所處移動(dòng)終端在右手模型下、和天線所處移動(dòng)終端在自 由空間下的回波損耗對(duì)比圖；
[0041] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例含天線裝置的組成結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例天線的制造方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043] 為了能夠更加詳盡地了解本發(fā)明的特點(diǎn)與技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí) 現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)闡述，所附附圖僅供參考說明之用，并非用來限定本發(fā)明。
[0044] 傳統(tǒng)提升天線在靠近高介電常數(shù)的導(dǎo)體時(shí)性能的方法通常是提升所述天線在自 由空間狀態(tài)下的性能，因?yàn)?，天線在自由空間狀態(tài)下的性能較強(qiáng)時(shí)，即使被高介電常數(shù)的導(dǎo) 體吸收一定的能量，天線在靠近高介電常數(shù)的導(dǎo)體時(shí)剩余的輻射也會(huì)較強(qiáng)。但是，所述天 線在自由空間的輻射受限于天線的空間、環(huán)境及板端的限值，所以并不能無限制的提高；因 此，為提高天線在靠近高介電常數(shù)的導(dǎo)體時(shí)的射頻輻射性能，本發(fā)明實(shí)施例提供了下述方 案，能夠通過調(diào)整天線走線的方向，避讓仿真手模型觸碰包含有所述天線的移動(dòng)終端中的 天線敏感位置，且能夠兼顧所述天線的頻偏，從而保證天線在自由空間、靠近高介電常數(shù)的 導(dǎo)體，例如靠近仿真頭和手模型的狀態(tài)下均具有良好性能。下述通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明 做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0045] 實(shí)施例一
[0046] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例天線的組成結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1所示，所述天線包括與信號(hào)饋 點(diǎn)和地饋點(diǎn)連接的公共區(qū)域C、第一分支區(qū)域B、第二分支區(qū)域E及第三分支區(qū)域A;其中，
[0047] 所述第一分支區(qū)域B為從