有光學路徑371和375和電路徑373的雙重路徑結構可設置在單個導電光穿透層中。
[0085]具有光學路徑371和375和電路徑373的導電光穿透層可包括導電聚合物材料(諸如，例如但不限于ΡΗ)0Τ材料或包含PED0T材料和PSS材料的PED0T:PSS材料)。另選地，導電光穿透層可包括透明無機化合物層(諸如，例如但不限于氧化銦錫(ΙΤ0)材料)。
[0086]導電光穿透層具有導電性以及光滲透性。因此，從構成光學通信單元330的光學發(fā)送器331發(fā)射的光學信號可通過穿孔結構320傳播或者另一個光學信號可通過穿孔結構320傳播以到達構成光學通信單元330的光學接收器335。另外，電信號或電源電壓信號也可通過穿孔結構320傳播。因此，光學信號、電信號、電源電壓信號和地電壓信號全都可通過由單個導電光穿透層形成的穿孔結構320傳播。屏障金屬層328和側壁絕緣層329可另外設置在穿孔結構320的側壁和穿透基板主體310的通孔的側壁312之間。
[0087]圖8是示出根據(jù)實施方式的半導體器件的表現(xiàn)的立體圖。
[0088]參照圖8，根據(jù)實施方式的半導體器件可包括基板400，基板400可包括基板主體410和垂直穿透基板主體410的穿孔結構420。穿孔結構420可包括提供電路徑473的電路徑層421和提供光學路徑471和475的光學路徑層423。根據(jù)實施方式，光學路徑層423可位于穿透基板主體410的通孔的中軸位置。電路徑層421可設置在光學路徑層423和基板主體410之間，環(huán)繞光學路徑層423的側壁。也就是說，光學路徑層423可具有從穿透基板主體410的通孔的中心區(qū)域垂直延伸的柱狀形狀，電路徑層421可具有環(huán)繞柱狀形狀的光學路徑層423的側壁的圓柱形形狀。屏障金屬層428和側壁絕緣層429可另外設置在穿孔結構420的側壁和穿透基板主體410的通孔的側壁412之間。
[0089]從構成光學通信單元430的光學發(fā)送器431發(fā)射的光學信號可通過光學路徑層423傳播，另一個光學信號可通過光學路徑層423傳播以到達構成光學通信單元430的光學接收器435。另外，電信號或電源電壓信號可通過電路徑層421傳播。
[0090]圖9是示出根據(jù)實施方式的半導體器件的構造的表現(xiàn)的示意圖。
[0091]參照圖9，根據(jù)實施方式的半導體器件可包括第一基板100和封裝基板500。第一基板100可堆疊在封裝基板500上，通過第一基板100中的穿孔結構120與封裝基板500光學通信和電通信。另外，第一基板100可通過穿孔結構120接收電源電壓信號。第一基板100的第一控制器150可控制第一光學通信單兀130和第一 1C部分160之間信號的傳輸。第一控制器150可控制發(fā)送到第一 1C部分160的電源電壓的供應。第一控制器150可包括:第一驅動器151，其控制第一光學發(fā)送器131的操作；第一檢測器155，其控制第一光學接收器135的操作；第一電信號收發(fā)器153，其連接到第一電路徑層121以控制電信號的發(fā)送/接收。
[0092]封裝基板500可包括第三控制器550，以控制通過穿孔結構120傳播的各種信號。第三控制器550可包括第三驅動器551，第三驅動器551控制構成設置在封裝基板500中的第五光學通信單元538的第五光學發(fā)送器532的操作。第三控制器550可包括第三檢測器555，第三檢測器555控制構成第五光學通信單兀538的第五光學接收器536的操作。第三控制器550還可包括控制電信號的發(fā)送和電源電壓信號的供應的第三電信號收發(fā)器553。第三控制器550可控制第五光學通信單元538和設置在封裝基板500中的基板電路部分560之間的信號傳輸?；咫娐凡糠?60可設置在封裝基板500中，以與外部裝置通信?；咫娐凡糠?60可被構造成用作接口。
[0093]圖10是示出包括根據(jù)以上實施方式的半導體器件中的至少一個的存儲卡1800的電子系統(tǒng)的表現(xiàn)的框圖。參照圖10，存儲卡1800可包括諸如非易失性存儲器器件的存儲器1810和存儲器控制器1820。存儲器1810和存儲器控制器1820可存儲數(shù)據(jù)或讀取存儲的數(shù)據(jù)。
[0094]存儲器1810和存儲器控制器1820中的至少一個可包括含有以上討論的實施方式的技術的非易失性存儲器器件。存儲器控制器1820可控制存儲器1810，使得存儲的數(shù)據(jù)被讀取或者響應于來自主機1830的讀/寫請求存儲數(shù)據(jù)。
[0095]圖11是示出包括根據(jù)以上實施方式的半導體器件中的至少一個的電子系統(tǒng)2710的表現(xiàn)的框圖。參照圖11，電子系統(tǒng)2710可包括控制器2711、輸入/輸出單元2712和存儲器2713?？刂破?711、輸入/輸出單元2712和存儲器2713可通過總線2715相互連接，總線2715提供數(shù)據(jù)移動通過的路徑。
[0096]在實施方式中，控制器2711可包括至少一個微處理器、至少一個數(shù)字信號處理器、至少一個微控制器和能夠執(zhí)行與這些組件相同的功能的邏輯器件中的至少任一個?？刂破?711或存儲器2713可包括根據(jù)以上討論的實施方式的半導體器件中的至少任一個。輸入/輸出單元2712可包括選自鍵區(qū)、鍵盤、顯示裝置、觸摸屏等的至少一個。存儲器2713是用于存儲數(shù)據(jù)的器件。存儲器2713可存儲將由控制器2711執(zhí)行的數(shù)據(jù)和/或命令等。
[0097]存儲器2713可包括諸如DRAM的易失性存儲器器件和/或諸如閃存存儲器的非易失性存儲器器件。例如，閃存存儲器可安裝到諸如移動終端或臺式計算機的信息處理系統(tǒng)。閃存存儲器可構成固態(tài)盤(SSD)。在這些情況下，電子系統(tǒng)2710可將大量數(shù)據(jù)穩(wěn)定地存儲在閃存存儲器系統(tǒng)中。
[0098]電子系統(tǒng)2710還可包括接口 2714，接口 2714被構造成將數(shù)據(jù)發(fā)送到通信網(wǎng)絡并且從通信網(wǎng)絡接收數(shù)據(jù)。接口 2714可以是有線或無線類型。例如，接口 2714可包括天線或有線或無線收發(fā)器。
[0099]電子系統(tǒng)2710可被實現(xiàn)為移動系統(tǒng)、個人計算機、工業(yè)計算機或執(zhí)行各種功能的邏輯系統(tǒng)。例如，移動系統(tǒng)可以是例如但不限于個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機、平板計算機、移動電話、智能電話、無線電話、膝上型計算機、存儲卡、數(shù)字音樂系統(tǒng)和信息發(fā)送/接收系統(tǒng)中的任一個。
[0100]如果電子系統(tǒng)2710是能夠執(zhí)行無線通信的設備，則電子系統(tǒng)2710可用于通信系統(tǒng)(諸如，例如但不限于CDMA (碼分多址)、GSM (全球移動通信系統(tǒng))、NADC (北美數(shù)字蜂窩)、E-TDMA(增強時分多址)、WCDAM(寬帶碼分多址)、CDMA2000、LTE (長期演進)和Wibro (無線寬帶互聯(lián)網(wǎng))中的一個)。
[0101]已經(jīng)出于例證目的公開了本公開的實施方式。本領域的技術人員將理解，在不脫離本公開和附圖的范圍和精神的情況下，可以進行各種修改、添加和替代。
【主權項】
1.一種半導體器件，該半導體器件包括: 基板； 單個通孔，其穿透所述基板并且在所述單個通孔內包括電路徑和光學路徑。2.一種半導體器件，該半導體器件包括: 基板； 穿孔結構，其垂直穿透所述基板并且包括電路徑層和光學路徑層。3.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述穿孔結構的所述電路徑層和所述光學路徑層設置在穿透所述基板的單個通孔中。4.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述電路徑層和所述光學路徑層基本上平行地垂直延伸，以構成共軸結構。5.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件， 其中，所述電路徑層位于穿透所述基板的通孔的中軸位置； 其中，所述光學路徑層設置在所述電路徑層的側壁和所述通孔的側壁之間。6.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件， 其中，所述光學路徑層位于穿透所述基板的通孔的中軸位置； 其中，所述電路徑層設置在所述光學路徑層的側壁和所述通孔的側壁之間。7.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述光學路徑層包括透明導電層。8.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述光學路徑層包括透明絕緣層。9.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述光學路徑層包括導電聚合物層。10.一種半導體器件，該半導體器件包括: 基板； 穿孔結構，其垂直穿透所述基板并且包括同時提供電路徑和光學路徑的導電光穿透層。
【專利摘要】具有光學穿孔結構的半導體器件。提供了一種半導體器件。該半導體器件可包括基板和穿透所述基板的穿孔結構。穿孔結構可提供可包括電路徑和光學路徑的雙重路徑。還提供了相關的電子系統(tǒng)和存儲卡。
【IPC分類】H01L23/48, G02B6/42
【公開號】CN105321906
【申請?zhí)枴緾N201510204559
【發(fā)明人】李承燁
【申請人】愛思開海力士有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年4月27日
【公告號】US9397024, US20160035649