柵極的制作方法及存儲(chǔ)器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路的制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柵極的制作方法及存 儲(chǔ)器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在集成電路芯片的制作過程中，柵極通常采用堆疊結(jié)構(gòu)，即將多個(gè)柵極堆疊起來， 堆疊柵極之間通過介質(zhì)層進(jìn)行隔離。采用堆疊柵極能夠提高芯片上的空間利用率，從而提 高芯片的集成度。在現(xiàn)有存儲(chǔ)器的制作過程中，有源區(qū)上的晶體管也通常采用堆疊的柵極 結(jié)構(gòu)，即浮柵-柵極介質(zhì)層-選擇柵結(jié)構(gòu)，且浮柵和選擇柵之間通過介質(zhì)層上的溝槽相連 接。
[0003] 在附圖Ia至附圖Ic中給出了一種現(xiàn)有堆疊柵極的制作方法，包括W下步驟：首 先，由襯底10'表面向外依次沉積隧穿氧化層20'、第一多晶娃層30'、介質(zhì)層40'及中 間多晶娃層51'，形成如圖Ia所示的基體結(jié)構(gòu)；然后，在中間多晶娃層51'上沉積抗反射 涂層和光刻膠層，通過光刻工藝在光刻膠上形成圖案，并W光刻膠為掩膜，刻蝕所述中間多 晶娃層51'和介質(zhì)層40'，形成使第一多晶娃層30'部分裸露的溝槽60'，且第一多晶娃 層30'的裸露表面會(huì)被氧化形成氧化層71'，形成如圖化所示的基體結(jié)構(gòu)；在中間多晶娃 層51'上及溝槽60'內(nèi)沉積第二多晶娃層53'，形成如圖Ic所示的基體結(jié)構(gòu)。在上述制 作方法中，第一多晶娃層30'即為浮柵，中間多晶娃層51'和第二多晶娃層53'構(gòu)成選擇 柵 50'。
[0004] 在堆疊柵極的制作過程中，多晶娃的表面容易形成氧化層，使得第二多晶娃層和 第一多晶娃層之間形成氧化物界面，該界面會(huì)顯著增加多晶娃的電阻值。圖2示出了現(xiàn)有 堆疊柵極的制作方法制得的柵極的電阻率測試結(jié)果，從圖中數(shù)據(jù)可W看出，柵極的電阻率 高達(dá)713~743Q - cm,且柵極不同部位的電阻率差別明顯。目前，本領(lǐng)域的技術(shù)人員嘗試 減少沉積第二多晶娃層與第一多晶娃層之間的時(shí)間間隔，然而多晶娃界面之間仍然存在較 大且不均勻的電阻，器件性能提升的效果非常有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本申請旨在提供一種柵極的制作方法及存儲(chǔ)器的制造方法，W解決現(xiàn)有柵極的制 作過程中存在多晶娃層之間界面電阻不均勻的問題。
[0006] 本申請一方面提供了一種柵極的制作方法。該制作方法包括；由襯底的表面沿遠(yuǎn) 離襯底的方向依次形成第一多晶娃層、具有溝槽的介質(zhì)層W及第二多晶娃層，第二多晶娃 層部分填充在溝槽中，與第一多晶娃層相連；在形成第二多晶娃層的步驟之前，該制作方法 還包括去除溝槽中第一多晶娃層裸露表面上的氧化物層的步驟。
[0007] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法包括；由襯底的表面沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次形成 第一多晶娃層和介質(zhì)層；刻蝕介質(zhì)層W形成使第一多晶娃層部分裸露的溝槽；去除第一多 晶娃層裸露表面上的氧化物層；在介質(zhì)層表面上W及溝槽中形成第二多晶娃層。
[0008] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法還包括在形成第二多晶娃層之前，在介質(zhì)層上形 成中間多晶娃層的步驟。
[0009] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法包括；由襯底的表面沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次形成 第一多晶娃層、介質(zhì)層W及至少一層中間多晶娃層；刻蝕中間多晶娃層和介質(zhì)層，形成使第 一多晶娃層部分裸露的溝槽；去除第一多晶娃層和各中間多晶娃層裸露表面上的氧化物 層；在最外層中間多晶娃層表面上W及溝槽中形成第二多晶娃層。
[0010] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法中，在刻蝕介質(zhì)層或者刻蝕中間多晶娃層和介質(zhì) 層的步驟中，順序向下刻蝕第一多晶娃層，使溝槽延伸至第一多晶娃層中。
[0011] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法中，去除氧化物層的的工藝為濕法刻蝕工藝。進(jìn)一 步地，上述柵極的制作方法中，去除氧化物層的步驟后還包括刻蝕表面后處理步驟，刻蝕表 面后處理步驟包括；在去除了氧化物層的刻蝕表面上形成犧牲氧化物層；W及去除犧牲氧 化物層。
[0012] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法中，刻蝕表面后處理步驟中，形成犧牲氧化物層的 步驟采用氧化工藝，去除犧牲氧化物層的步驟采用濕法刻蝕工藝。
[0013] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法中，氧化工藝包括氧等離子工藝或&〇2濕法工藝。
[0014] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法中，犧牲氧化物層的厚度為；
[0015] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法中，在襯底的表面形成第一多晶娃層的步驟之前， 還包括在襯底的表面上形成隧穿氧化層的步驟，優(yōu)選隧穿氧化層為Si化。
[0016] 進(jìn)一步地，上述柵極的制作方法中，介質(zhì)層包括由第一多晶娃層表面沿遠(yuǎn)離第一 多晶娃層的方向依次形成的Si〇2、SIsNa和Si〇2組成。
[0017] 本申請的另一方面在于提供了一種存儲(chǔ)器的制造方法，包括在襯底上形成隔離溝 槽，在相鄰的隔離溝槽之間的襯底的表面上制作柵極，W及在柵極的兩側(cè)進(jìn)行離子注入形 成源漏極的步驟，其中所述柵極的制作方法為本申請?zhí)峁┑臇艠O的制作方法。
[0018] 應(yīng)用本申請技術(shù)方案，本申請通過去除多晶娃層裸露表面上氧化物層，去除了多 晶娃層之間的氧化物界面，克服了現(xiàn)有柵極的制作過程中存在的多晶娃界面之間電阻不均 與的問題。通過使用本申請?zhí)峁┑臇艠O制作方法，所得半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性等得到提高。
[0019] 除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本申請還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。 下面將參照圖，對本申請作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
【附圖說明】
[0020] 附圖構(gòu)成本說明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本申請，附圖示出了本申請的優(yōu)選 實(shí)施例，并與說明書一起用來說明本申請的原理。圖中：
[0021] 圖Ia示出了現(xiàn)有柵極的制作方法中，由襯底表面向外依次沉積隧穿氧化層、第一 多晶娃層、介質(zhì)層及中間多晶娃層后的基體剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖化示出了刻蝕圖Ia所示的中間多晶娃層和介質(zhì)層，形成使第一多晶娃層部分 裸露的溝槽后的基體剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖Ic示出了在圖化所示的中間多晶娃層上及溝槽內(nèi)沉積第二多晶娃層后的基體 的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖2示出了按照現(xiàn)有柵極的制作方法得到柵極的電阻率測試結(jié)果；
[0025]圖3示出了本申請實(shí)施方式所提供的柵極的制作方法的流程示意圖；
[0026] 圖4a示出了在本申請實(shí)施方式所提供的柵極的制作方法中，由襯底表面向外依 次沉積隧穿氧化層、第一多晶娃層和介質(zhì)層后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖4b示出了刻蝕圖4a所示的介質(zhì)層，形成使第一多晶娃層部分裸露的溝槽后的 基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[002引圖4c示出了濕法刻蝕圖4b所示的第一多晶娃層的裸露表面后的基體的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖；
[0029] 圖4d示出了在圖4c所示的介質(zhì)層上W及溝槽的內(nèi)表面上形成犧牲氧化物層后的 基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖4e示出了去除圖4d所示的犧牲氧化物層后形成的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖4f示出了在圖4e所示的介質(zhì)層上及溝槽內(nèi)形成第二多晶娃層后的基體的剖面 結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖5a示出了在本申請另一實(shí)施方式所提供的柵極的制作方法中，由襯底表面向 外依次沉積隧穿氧化層、第一多晶娃層、介質(zhì)層及中間多晶娃層后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0033] 圖化示出了刻蝕圖5a所示的中間多晶娃層和介質(zhì)層，形成使第一多晶娃層部分 裸露的溝槽后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034] 圖5c示出了濕法刻蝕圖4b所示的第一多晶娃層的裸露表面后的基體的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖；
[0035] 圖5d示出了在圖5c所示的中間多晶娃層W及溝槽的內(nèi)表面上形成犧牲氧化物層 后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖5e示出了去除圖5d所示的犧牲氧化物層后形成的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖5f示出了在圖5e所示的中間多晶娃層上及溝槽內(nèi)形成第二多晶娃層后的基體 的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 下面將結(jié)合本申請的【具體實(shí)施方式】，對本申請的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明，但如 下實(shí)施例僅是用W理解本申請，而不能限制本申請，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征 可W相互組合，本申請可W由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
[0039] 需要注意的是，送里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根 據(jù)本申請的示例性實(shí)施方式。如在送里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用屬于"包含"和/或"包 括"時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[00