本發(fā)明實(shí)施例，上述絕緣層的厚度可以介于2?10微米的間，如5微米。此外，線(xiàn)圈單元10的層數(shù)可以介于2?8的間。然而，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)能理解，上述線(xiàn)圈單元10的層數(shù)可以依據(jù)設(shè)計(jì)需求而調(diào)整，本發(fā)明因而不以此為限。
[0023]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，俯視時(shí)，線(xiàn)圈單元10的各層線(xiàn)圈圖案101?106可以是環(huán)形或卵形條狀圖案，而且是非封閉式環(huán)形圖案，換句話(huà)說(shuō)，如圖2中的標(biāo)號(hào)101a?106a所示，在各層線(xiàn)圈圖案101?106的兩末端的間具有一狹縫缺口。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，線(xiàn)圈單元10的狹縫缺口 101a?106a并非在厚度方向上對(duì)準(zhǔn)，而是刻意使相鄰的兩層的狹縫缺口具有一偏移量，例如，順時(shí)鐘方向上150?180微米的偏移量，如此使得上層的后端，如線(xiàn)圈圖案101，可以經(jīng)由介層插塞(以標(biāo)號(hào)201?205表不)電連接至下一層的前端，如線(xiàn)圈圖案102，構(gòu)成在此單繞線(xiàn)圈單元上各圈的串連組態(tài)。上述的介層插塞201?205分別穿過(guò)各層絕緣層的厚度，并位于線(xiàn)圈圖案101?106的間，且可以具有約180微米左右的直徑。
[0024]圖3至圖12為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所繪示的制作電磁器件的方法的橫斷面示意圖。如圖3所示，首先提供一基板300，如一銅箔基板(copper clad laminate, CCL)?；?00上可以具有至少一銅層302，其層疊于一絕緣核心層301上，如介電層或環(huán)氧樹(shù)脂玻璃等，以及至少一介層插塞303，穿過(guò)基板300全部厚度。上述介層插塞303可以是電鍍通孔，其可以是利用機(jī)械穿孔或激光穿孔配合電鍍工藝制作而成。為簡(jiǎn)化說(shuō)明，圖中僅例示出形成在基板300單面上的各層結(jié)構(gòu)，然而，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)能理解，同樣的堆疊結(jié)構(gòu)可以形成在基板300的另一面上，并利用揭露于實(shí)施例中的相同步驟來(lái)完成。
[0025]接著于基板300的表面形成一圖案化光刻膠層310。其中圖案化光刻膠層310包含有開(kāi)口 310a，顯露出部分的銅層302。舉例來(lái)說(shuō)，各開(kāi)口 310a的寬度約為210微米，以及深度約為50微米。
[0026]如圖4所示，接著進(jìn)行一電鍍工藝，將開(kāi)口 310a填滿(mǎn)銅金屬，如此形成線(xiàn)寬為210微米，厚度約為46微米的第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320。然后，去除圖案化光刻膠層310。上述第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320的形狀如圖1及圖2中的層101?106。另外值得注意的是，上述第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320可以具有一垂直側(cè)壁輪廓，但不限于此。
[0027]如圖5所示，在形成第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320后，接著去除第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320的間的銅層302。接下來(lái)于第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320表面上共形地覆蓋一介電層330。在介電層330中形成有一介層洞330a，顯露出各第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320的部分上表面，其中以虛線(xiàn)表不出介層洞330a與目前圖中橫斷面結(jié)構(gòu)處于不同切面。在第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320的間的介電層330中可形成有開(kāi)口 330b ο
[0028]如圖6所示，可以進(jìn)行另一電鍍工藝，于基板300上全面地形成一銅層340。形成銅層340的前可以先以濺射方式形成一銅晶種層(未示于圖中)。上述銅層340可以填入介層洞330a形成一介層插塞340a。此外，上述銅層340可以填入開(kāi)口 330b。然后于銅層340上形成一圖案化光刻膠層350，界定出電磁器件的線(xiàn)圈單元的第二層圖案。
[0029]如圖7所示，接著蝕除未被圖案化光刻膠層350覆蓋的銅層340，例如利用濕刻蝕方法，如此形成一第二導(dǎo)線(xiàn)圖案360堆疊在第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320上。上述第二導(dǎo)線(xiàn)圖案360的形狀如圖1及圖2中的層101?106，且經(jīng)由介層插塞340a與下方的第一導(dǎo)線(xiàn)圖案320電連接。上述第二導(dǎo)線(xiàn)圖案360可以具有一傾斜側(cè)壁輪廓，但不限于此。
[0030]如圖8至圖10所示，重復(fù)如圖5至圖7的步驟，于第二導(dǎo)線(xiàn)圖案360上形成具有一介層洞430a的介電層430 (圖8)，其中介層洞430a與介層洞330a處于不同橫斷面(如圖2中介層插塞上、下位置錯(cuò)開(kāi))。接著在基板300上全面地電鍍銅層440，于介層洞430a中形成介層插塞440a，于銅層440上形成圖案化光刻膠層450 (圖9)，以及形成第三導(dǎo)線(xiàn)圖案460(圖10)。同樣的，上述第三導(dǎo)線(xiàn)圖案460的形狀如圖1及圖2中的層101?106，且經(jīng)由介層插塞440a與下方的第二導(dǎo)線(xiàn)圖案360電連接。另外，上述第三導(dǎo)線(xiàn)圖案460可以具有一傾斜側(cè)壁輪廓，但不限于此。
[0031]如圖11所示，于第三導(dǎo)線(xiàn)圖案460上共形地覆蓋介電層480，如此即形成基板300單側(cè)的線(xiàn)圈堆棧結(jié)構(gòu)100。如前文所述，可以利用上述相同步驟在基板300的另一側(cè)形成相同的線(xiàn)圈堆疊結(jié)構(gòu)。
[0032]如圖12所示，最后以激光或機(jī)械鉆孔等方式將部分的基板300去除，于線(xiàn)圈堆疊結(jié)構(gòu)100中央形成穿孔300a，后續(xù)再以由樹(shù)脂及磁性粉末所組成的磁性材料經(jīng)過(guò)加壓成型封裝形成在線(xiàn)圈堆疊結(jié)構(gòu)100周?chē)某尚腕w412。成型體412填滿(mǎn)穿孔300a，構(gòu)成一中央磁柱412a，使線(xiàn)圈堆疊結(jié)構(gòu)100環(huán)繞著中央磁柱412a，如此完成一電磁器件3。需注意，圖中電磁器件3僅顯示在基板300單側(cè)的線(xiàn)圈堆疊結(jié)構(gòu)100，當(dāng)然，電磁器件3可另包括在基板300另一側(cè)的線(xiàn)圈堆疊結(jié)構(gòu)，同樣被成型體412所密封包覆。
[0033]請(qǐng)參閱圖13至圖14，其繪示出本發(fā)明另一實(shí)施例的電磁器件，其中圖13A及圖13B為電磁器件的線(xiàn)圈單元的不同角度的側(cè)方透視圖，圖14A至圖14D為電磁器件的各層線(xiàn)路布局的示意圖。如圖13至圖14所示，電磁器件5的線(xiàn)圈單元510同樣具有多層線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)，層層堆疊在一基板500上。在此例中，線(xiàn)圈單元510的各層線(xiàn)圈均為非封閉的圓形線(xiàn)圈圖案，彼此以上、下錯(cuò)開(kāi)的介層插塞550、552、554相互連結(jié)，各層線(xiàn)圈的間可以是介電層或絕緣層(未示于圖中)。多層線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)可以利用激光或機(jī)鉆形成中央穿孔500a，再以樹(shù)脂及磁性粉末經(jīng)過(guò)加壓成型封裝出成型體512，并于中央穿孔500a構(gòu)成一中央磁柱512a(圖14) ο
[0034]如圖14Α所示，第一層(Ml)線(xiàn)圈圖案501的一端包括一側(cè)邊延伸段521，其連接端部541。端部541與端部531的間有一狹縫缺口 561，介層插塞550的位置則設(shè)在靠近端部531處，用來(lái)將第一層線(xiàn)圈圖案501連結(jié)至第二層線(xiàn)圈圖案502。側(cè)邊延伸段521有未被成型體512包覆的裸露側(cè)面521a，可以耦合一外部電極。
[0035]如圖14B所示，第二層(M2)線(xiàn)圈圖案502同樣有兩端部532、542，以及一狹縫缺口562，其中狹縫缺口 561與狹縫缺口 562上、下錯(cuò)開(kāi)。介層插塞552的位置則設(shè)在靠近端部542處，用來(lái)將第二層線(xiàn)圈圖案502連結(jié)至第三層線(xiàn)圈圖案503。
[0036]如圖14C所示，第三層(M3)線(xiàn)圈圖案503也具有兩端部533、543，以及一狹縫缺口 563，其中狹縫缺口 563與狹縫缺口 562錯(cuò)開(kāi)。介層插塞554的位置則設(shè)在靠近端部543處，用來(lái)將第三層線(xiàn)圈圖案503連結(jié)至第四層線(xiàn)圈圖案504。
[0037]如圖14D所示，第四層(M4)線(xiàn)圈圖案504的一端包括一側(cè)邊延伸段525，其一端部534與端部544的間有一狹縫缺口 564，介層插塞554的位置則設(shè)在靠近端部534處，用來(lái)將第四層線(xiàn)圈圖案504連結(jié)至第三層線(xiàn)圈圖案503。側(cè)邊延伸段525有未被成型體512包覆的裸露側(cè)面525a，可以耦合一外部電極。此外，側(cè)邊延伸段521可以透過(guò)內(nèi)連層522、523、524及介層插塞522a、523a、524a堆疊至與側(cè)邊延伸段525共面。當(dāng)然，本發(fā)明的電磁器件可以不止四層，也可以有更多層。
[0038]圖15至圖23為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的制作電磁器件的方法的橫斷面示意圖。首先如圖15所示，提供一基板600，包括一絕緣核心601，在其相對(duì)兩面上具有銅箔層602、603。接著進(jìn)行鉆孔工藝，例如機(jī)械鉆孔，于基板600中形成穿孔612、614。
[0039]如圖16所示，接著進(jìn)行填孔電鍍，于銅箔層602、603上形成電鍍銅層604、605，并使電鍍銅層604、605填滿(mǎn)穿孔612、614，構(gòu)成介層插塞612a、614a。
[0040]如圖17所示，接著進(jìn)行線(xiàn)路圖案刻蝕，分別將電鍍銅層604、605及銅箔層602、603刻蝕成線(xiàn)路圖案702、703及線(xiàn)路圖案722、723。其中，線(xiàn)路圖案702、722可以類(lèi)似圖14B中的第二層線(xiàn)圈圖案502及內(nèi)連層522，線(xiàn)路圖案703、723可以類(lèi)似圖14C中的第三層線(xiàn)圈圖案503及內(nèi)