非封閉氬氣保護工件臺的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種激光加工技術(shù)中的工件臺，尤其是涉及一種涉及半導體晶圓加工中的激光退火以及激光合成硅化物技術(shù)中的非封閉氬氣保護工件臺。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體晶圓加工的激光退火通?？梢栽诖髿猸h(huán)境中進行激光處理，比如離子注入雜質(zhì)的激活。但是，由于形成硅化物的某些金屬，比如鈦，更易于被空氣中的氧氣所氧化，導致在晶圓上激光合成硅化物時，必須對其進行保護，以避免其在形成硅化物時被空氣中的氧氣所氧化?，F(xiàn)有技術(shù)下，在晶圓上激光合成硅化物時，一般將晶圓置于真空腔體內(nèi)進行激光加工。而增加真空腔體及其抽真空機組使得激光退火系統(tǒng)變得龐大和復雜，而且對于大多數(shù)可以在大氣環(huán)境下進行的激光退火而言是完全沒有必要和十分浪費的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述問題，本發(fā)明提供一種非封閉氬氣保護工件臺，使激光加工中的保護工作簡單方便。
[0004]為達到上述目的，本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺包括底板、設(shè)置在底板上的若干側(cè)板，所述各側(cè)板依次連接成蓄氣筒體，所述側(cè)板底部設(shè)置有氬氣管道，所述氬氣管道與氬氣供氣裝置連接。
[0005]進一步地，所述氬氣管道上設(shè)置有氣體流量計或者所述氬氣供氣裝置的出氣口處設(shè)有氣體流量計
[0006]進一步地，所述側(cè)板上設(shè)置有氬氣檢測窗，所述氬氣檢測窗內(nèi)設(shè)置有氬氣檢測片。
[0007]進一步地，所述底板上設(shè)置有升降叉槽，與所述升降叉槽對應(yīng)的位置設(shè)置有升降叉，所述升降叉與升降驅(qū)動裝置連接，所述升降驅(qū)動裝置驅(qū)動升降叉上下運動，當所述升降叉運動到最低點時，所述升降叉上表面的高度不高于所述底板上表面高度。
[0008]具體地，所述升降驅(qū)動裝置為雙位氣缸。
[0009]進一步地，所述底板的下方設(shè)置有吸走溢出的氬氣的排風管，所述排風管與集氣裝置連接。
[0010]進一步地，所述底板下設(shè)置有X-Y水平驅(qū)動裝置，所述X-Y水平驅(qū)動裝置驅(qū)動所述底板在水平平面內(nèi)移動。
[0011]具體地，所述底板與所述X-Y水平驅(qū)動裝置之間設(shè)置有支承桿。
[0012]本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺裝置簡單，改裝方便。本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺利用氬氣對退火工件進行保護，由于氬氣是惰性氣體，能夠形成良好的氣體保護層，避免工件中的金屬被氧化。本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺轉(zhuǎn)換方便，對于需要保護的加工過程和不需要保護的加工過程都能夠進行加工。本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺無需添加過多設(shè)備，在既有的基礎(chǔ)上能夠進行低成本改造，降低了設(shè)備投資。使用本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺進行加工時，激光發(fā)生設(shè)備與工件臺互不干擾。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺在激光退火過程中更換晶圓片2的示意圖；
[0015]圖3為本發(fā)明非封閉氬氣保護工件臺在激光退火過程中激光掃描的示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明做進一步的描述。
[0017]實施例1
[0018]如圖1-3所示，本實施例的非封閉氬氣保護工件臺包括底板3和分別與所述底板3各邊連接的四個側(cè)板1，所述側(cè)板1依次連接成蓄氣筒體，所述側(cè)板1底部設(shè)置有氬氣管道12，所述氬氣管道12與氬氣供氣裝置連接。
[0019]本實施例的非封閉氬氣保護工件臺可用于半導體器件與電路生產(chǎn)加工的激光退火工藝中。半導體晶圓加工的激光系統(tǒng)主要組成部分有:大功率激光器21、擴束鏡22、反射鏡23、激光勻化整形器24、非封閉氬氣保護工件臺以及電控系統(tǒng)。當不需要惰性氣體保護晶圓表面時，比如硅晶圓中離子注入雜質(zhì)的激活工藝，關(guān)閉氬氣，使晶圓表面處于大氣環(huán)境中加工；當需要惰性氣體保護晶圓表面時，比如鈦硅化物合成工藝，適時接通氬氣，由于氬氣的密度比空氣密度大，氬氣沉積在晶圓片22表面，使晶圓表面處于惰性氣體環(huán)境中加工。
[0020]實施例2、
[0021]在上述實施例的基礎(chǔ)上，所述氬氣管道12上或者所述氬氣供氣裝置設(shè)置的出氣口設(shè)置有氣體流量計。由于半導體晶圓片2的厚度遠小于側(cè)板1的高度，因此使充其量約為非封閉氬氣工件臺蓄氣筒體容積的二分之一至三分之二即可對晶圓片2形成良好的保護效果，在氬氣管道12或者氬氣供氣裝置上設(shè)置氣體流量計可以方便的估算充氣量，
[0022]實施例3
[0023]在上述實施例的基礎(chǔ)上，本實施例非封閉氬氣保護工件臺的側(cè)板1上設(shè)置有氬氣檢測窗10，所述氬氣檢測窗10內(nèi)設(shè)置有氬氣檢測片11。在激光系統(tǒng)進行連續(xù)加工時，每次更換半導體晶圓片22都會導致氬氣被晶圓的移動帶離非封閉工件臺，導致非封閉氬氣保護工件臺內(nèi)的氬氣量減少，為了保證對半導體晶圓片22的保護效果，在側(cè)板11上設(shè)置氬氣檢測窗10，并在氬氣保護窗對應(yīng)的位置設(shè)置氬氣檢測片11，從而實時的測定氬氣濃度，以便及時補充氬氣。本實施例還可以在出廠時進行一系列進行更換晶圓氬氣檢測，作出圖表，作為之后生產(chǎn)中補充氬氣的根據(jù)。
[0024]實施例4
[0025]在上述實施例的基礎(chǔ)上，本實施例非封閉氬氣保護工件臺的底板3上設(shè)置有升降叉4槽，與所述升降叉4槽對應(yīng)的位置設(shè)置有升降叉4，所述升降叉4與升降驅(qū)動裝置連接，所述升降驅(qū)動裝置驅(qū)動升降叉4上下運動。在更換晶圓片22時，升降叉4在升降驅(qū)動裝置作用下升起，智能機械手27將晶圓從升降叉4上取走之后，升降叉4在升降驅(qū)動裝置作用下下降至晶圓片22座上的升降叉4槽內(nèi)，此時升降叉4的上表面高度不高于所述底板3上表面的高度。升降叉4能夠帶動晶圓片22上下運動，與機械手配合，能夠輕松的進行晶圓片22的更換。
[0026]實施例5
[0027]在上述實施例的基礎(chǔ)上，本實施例非封閉氬氣保護工件臺在底板3的下方設(shè)置有吸走溢出的氬氣的排風管13，排風管與集氣裝置連接。由于在更換晶圓過程中，會有少量氬氣被晶圓的移動帶離非封閉工件臺，并下沉至地面附近，在工件臺下方接近地面處安裝排風管13形成負壓，可吸走氬氣并收集在集氣