制作陣列基板的方法和陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制作陣列基板的方法，尤其涉及一種通過(guò)切割工藝?yán)脝蝹€(gè)基板制作多個(gè)陣列基板的方法和利用該方法制作的陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，顯示裝置的液晶面板主要包括陣列基板、與陣列基板對(duì)置的彩膜基板、以及設(shè)置在彩膜基板和陣列基板之間的液晶層。制作陣列基板的方法主要包括以下步驟:在基板的顯示區(qū)域形成柵極、與柵極電連接的柵線，在基板的周邊線路區(qū)域形成共用導(dǎo)線；之后，利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n(PECVD))工藝形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成有源層；利用包括刻蝕工藝的構(gòu)圖工藝形成源極和漏極的圖案。
[0003]在上述步驟中，在利用PECVD工藝形成柵極絕緣層和有源層、以及通過(guò)干刻蝕(dry etch)工序形成源極和漏極圖案的過(guò)程中，由于執(zhí)行PECVD工藝真空設(shè)備等離子體無(wú)法保證絕對(duì)均勻，加之陣列基板的設(shè)計(jì)布線的不同，布置在陣列基板的外圍的周邊線路區(qū)域中的密集的金屬導(dǎo)線容易發(fā)生異常的弧光放電，并燒毀已形成的柵線和數(shù)據(jù)線，從而造成最終顯示面板的產(chǎn)品不良或基板破裂，增大了產(chǎn)品不良率。
[0004]在一種解決方案中，通過(guò)變更測(cè)試導(dǎo)線的線寬，能部分改善弧光放電和燒毀柵線和數(shù)據(jù)線的狀況，但這樣會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)臨近的金屬線發(fā)生異常放電，引起產(chǎn)品不良和碎片。而且，周邊線路區(qū)域的設(shè)計(jì)空間有限，測(cè)試導(dǎo)線和共用導(dǎo)線的線寬調(diào)整范圍受到限制，無(wú)法完全防止異常放電發(fā)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種制作陣列基板的方法和利用該方法制作的陣列基板，可以降低電弧放電和燒壞導(dǎo)電部分的幾率。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)發(fā)明的實(shí)施例，
[0007]提供一種制作陣列基板的方法，包括如下步驟:
[0008]—種制作陣列基板的方法，其特征在于，包括如下步驟:
[0009]形成第一功能層，所述第一功能層包括多個(gè)陣列基板區(qū)域，相鄰的陣列基板區(qū)域之間具有連接區(qū)域；
[0010]在每個(gè)所述陣列基板區(qū)域上成多個(gè)導(dǎo)電部分，所述導(dǎo)電部分從所述陣列基板區(qū)域延伸到相應(yīng)的連接區(qū)域，所述導(dǎo)電部分的末端在所述連接區(qū)域電連接至電容線，使得兩個(gè)相鄰的陣列基板區(qū)域之間的兩個(gè)電容線彼此面對(duì)并形成第一電容元件；
[0011]在形成所述導(dǎo)電部分和電容線的第一功能層上形成多個(gè)第二功能層以形成多個(gè)陣列基板；以及
[0012]在連接區(qū)域切割相鄰的陣列基板，并切除所述陣列基板之間的電容線根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，每個(gè)所述電容線形成為彎曲的形狀。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，每個(gè)所述電容線形成有鏤空區(qū)域。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，所述鏤空區(qū)域包括多個(gè)一體連接的網(wǎng)格或者條形柵。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，所述導(dǎo)電部分包括:
[0016]每個(gè)所述陣列基板區(qū)域的導(dǎo)電部分包括:
[0017]多個(gè)第一導(dǎo)電部分，與所述陣列基板區(qū)域的一個(gè)第一電容元件的電容線電連接；以及
[0018]多個(gè)第二導(dǎo)電部分，與所述陣列基板區(qū)域的另一個(gè)第一電容元件的電容線電連接。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，在每個(gè)所述陣列基板區(qū)域上形成多個(gè)導(dǎo)電部分的步驟中，進(jìn)一步形成與所述第一導(dǎo)電部分或者第二導(dǎo)電部分電連接的連接線，兩個(gè)相鄰的陣列基板區(qū)域的連接線通過(guò)第二電容元件耦合。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，所述連接線、第二電容元件、電容線、第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分由相同的材料通過(guò)一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，所述第一功能層包括基板，所述第一導(dǎo)電部分為共用導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)電部分為測(cè)試導(dǎo)線。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，在所述基板上設(shè)有柵線、與所述柵線電連接的薄膜晶體管的柵極、以及與所述柵極電連接的柵極焊接墊，所述第二導(dǎo)電部分電連接至所述柵極焊接墊，由相同的材料并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述基板上形成所述共用導(dǎo)線、電容線、柵線和與所述柵線電連接的柵極和柵極焊接墊。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，在形成所述導(dǎo)電部分和電容線的第一功能層上形成第二功能層以形成多個(gè)陣列基板的步驟包括:
[0024]在所述基板上形成覆蓋所述共用導(dǎo)線、電容線、柵線、柵極和柵極焊接墊的柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層中形成過(guò)孔；以及
[0025]在所述柵極絕緣層上由相同的材料并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成測(cè)試導(dǎo)線、連接線和第二電容元件，所述測(cè)試導(dǎo)線通過(guò)所述過(guò)孔與所述柵極焊接墊電連接。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，在形成所述導(dǎo)電部分和電容線的第一功能層上形成第二功能層以形成多個(gè)陣列基板的步驟還包括:在所述柵極絕緣層之上依次形成源極和漏極、覆蓋所述源極和漏極的鈍化層、以及形成在所述鈍化層上并通過(guò)鈍化層中的過(guò)孔與所述漏極電連接的像素電極。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，在所述基板上設(shè)有柵線、與所述柵線電連接的薄膜晶體管的柵極、以及與所述柵極電連接的柵極焊接墊，所述測(cè)試導(dǎo)線電連接至所述柵極焊接墊，由相同的材料并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述基板上形成所述共用導(dǎo)線、電容線、測(cè)試導(dǎo)線、連接線、第二電容元件、柵線、柵極和柵極焊接墊。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的制作陣列基板的方法，在形成所述導(dǎo)電部分和電容線的第一功能層上形成第二功能層以形成多個(gè)陣列基板的步驟包括:在所述基板上形成覆蓋所述共用導(dǎo)線、柵線、柵極和柵極焊接墊的柵極絕緣層。
[0029]根據(jù)本發(fā)明另一方面的實(shí)施例，提供一種陣列基板，所述陣列基板由上述任一實(shí)施例所述的制作陣列基板的方法制成。
[0030]根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的制作陣列基板的方法和陣列基板，通過(guò)由兩個(gè)相鄰的陣列基板之間的兩個(gè)電容線形成第一電容元件，可以增加形成在導(dǎo)電部分上的電荷釋放通道，并存儲(chǔ)在導(dǎo)電部分上產(chǎn)生的多余的電荷，降低電弧放電和燒壞導(dǎo)電部分的幾率。
【附圖說(shuō)明】
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，其中:
[0032]圖1是包括利用根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實(shí)施例的方法制作的陣列基板的顯示面板的立體示意圖；
[0033]圖2是利用根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實(shí)施例的方法制作的一個(gè)陣列基板的平面示意圖
[0034]圖3是利用根據(jù)本發(fā)