吸波結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于微波吸波材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種吸波結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 在微波暗室中，吸波材料安裝于墻面、天棚和/或者地面上。當電磁波入射到吸波 材料上時，絕大部分電磁波會被吸波材料吸收，而透射、反射極少，在對天線、雷達等無線通 信產(chǎn)品和電子產(chǎn)品測試可以免受雜波干擾，提供測試的精度和效率。
[0003] 常見的暗室吸波材料種類非常多，實心泡沫角錐吸波材料是吸波材料中應用時間 最早、應用范圍最廣的材料，廣泛用于建造電波暗室（無回波室、微波暗室）、電波暗室、吸 波屏風和吸波墻等，用于覆蓋測試環(huán)境的反射物、降低背景噪音、消除雜波干擾以及提高測 試精度。
[0004] 常用的暗室吸波材料采用聚氨酯基的軟泡沫材料（俗稱海綿）浸漬導電碳粉水溶 液，然后干燥去除水分得到。由于其制備工藝和材料硬度的限制，吸波海綿易破碎，破損處 的導電粉末容易脫落，會對環(huán)境產(chǎn)生污染并損害操作人員的健康；其次，聚氨酯材料的耐候 性較差，長期使用容易分解，也對環(huán)境產(chǎn)生污染；同時，海綿為開孔結(jié)構(gòu)，阻燃和耐高功率的 性能均差，難以適應現(xiàn)代微波暗室對環(huán)境的清潔和環(huán)保方面的要求，亟待改進。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種吸波結(jié)構(gòu)，采用硬質(zhì)泡沫材料，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中 軟泡沫材料制成的暗室吸波材料容易破碎而造成導電粉末脫落的技術(shù)問題。
[0006] 本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種吸波結(jié)構(gòu)，包括由硬質(zhì)泡沫制成的底座和吸波本體；所 述吸波本體設置于所述底座上，并包括至少兩個呈圓臺狀、橢圓臺狀或者棱臺狀的吸波單 體；所述底座劃分為多個與各所述吸波單體相對應且與所述吸波單體相對面為方形的座體 單元，各所述座體單元于所述吸波單體高度方向的中心軸線與對應所述吸波單體的中軸線 重合。
[0007] 進一步地，所述吸波單體沿其中軸線方向的高度范圍為160-800_，所述座體單元 沿其中心軸線方向的高度為20-200mm。
[0008] 優(yōu)選地，所述吸波單體沿其中軸線方向的高度為250mm，所述座體單元沿其中心軸 線方向的高度為50mm。
[0009] 進一步地，各所述吸波單體包括與所述座體單元相面對的連接表面以及與所述連 接表面相背對并位于圓臺狀、橢圓臺狀或者棱臺尖端部的頂面，所述頂面寬度遠小于所述 連接表面的寬度，所述連接表面的周緣最多與所述座體單元的四個角外接。
[0010] 進一步地，所述頂面的寬度范圍為4-20mm，所述連接表面的寬度為45-330mm;所 述座體單元的邊長為40-300mm。
[0011] 優(yōu)選地，所述頂面的寬度范圍為10mm，所述連接表面的寬度為110mm;所述座體單 元的邊長為100mm〇
[0012] 進一步地，所述吸波單體于所述連接表面的寬度小于或者等于所述座體單元的邊 長時與所述座體單元之間連接；或者，所述吸波單體于所述連接表面的寬度大于所述座體 單元的邊長時與相鄰所述吸波單體連接，并與相鄰兩所述吸波單體之間形成溝槽。
[0013] 進一步地，所述溝槽的底部為圓弧槽。
[0014] 進一步地，所述底座與所述吸波本體由一體成型而制成。
[0015] 進一步地，所述底座設有與另一個所述吸波結(jié)構(gòu)配合的內(nèi)凹部和凸出部。
[0016] 進一步地，所述硬質(zhì)泡沫為周期性結(jié)構(gòu)，并包括由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或者 聚氯乙烯構(gòu)成的基材以及添加至所述基材中的吸波劑，所述基材與所述吸波劑混合制得粒 徑約為2-10_且電阻率為10-104Ω.cm的導電泡沫顆粒，所述導電泡沫顆粒經(jīng)二次發(fā)泡在 模具中模塑制得所述硬質(zhì)泡沫。
[0017] 進一步地，所述吸波劑為導電炭黑或者導電石墨粉。
[0018] 本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)效果是：該吸波結(jié)構(gòu)采用硬質(zhì)泡沫制成所述吸波本 體，以增加所述吸波本體的硬度，并將所述吸波單體設置呈圓臺狀、橢圓臺狀或者棱臺狀， 且其頂部為平面或者倒圓角的弧面，從而有效避免了硬質(zhì)泡沫出現(xiàn)脫落問題，且環(huán)保。
【附圖說明】
[0019] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù) 描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面所描述的附圖僅僅是本發(fā)明的 一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這 些附圖獲得其他的附圖。
[0020] 圖1是本發(fā)明實施例提供吸波結(jié)構(gòu)的立體圖；
[0021] 圖2是圖1中吸波結(jié)構(gòu)的主視圖；
[0022] 圖3是本發(fā)明實施例提供的一種形狀的吸波單體的結(jié)構(gòu)圖；
[0023] 圖4是圖3中吸波單體的俯視圖；
[0024]圖5是本發(fā)明實施例提供的另一種形狀的吸波單體的結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種形狀的吸波單體的結(jié)構(gòu)圖。
[0026] 附圖標記說明：
[0027] 10 底座 20 吸波本體
[0028] 12 座體單元 22 吸波單體
[0029] 14 內(nèi)凹部 24 連接表面
[0030] 16 凸出部 26 頂面
[0031] 18 外凸部 28 溝槽
【具體實施方式】
[0032] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對 本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。
[0033] 請參照圖1至圖6,本發(fā)明實施例提供的吸波結(jié)構(gòu)包括由硬質(zhì)泡沫制成的底座10 和吸波本體20 ;所述吸波本體20設置于所述底座10上，并包括至少兩個呈圓臺狀、橢圓臺 狀或者棱臺狀的吸波單體22 ;所述底座10劃分為多個與各所述吸波單體22相對應且與所 述吸波單體22相對面為方形的座體單元12,各所述座體單元12于所述吸波單體22高度方 向的中心軸線與對應所述吸波單體22的中軸線重合。
[0034] 本發(fā)明實施例提供的吸波結(jié)構(gòu)采用硬質(zhì)泡沫制成所述吸波本體20,以增加所述吸 波本體20的硬度，并將所述吸波單體22設置呈圓臺狀、橢圓臺狀或者棱臺狀，且其頂部為 平面或者倒圓角的弧面，從而有效避免了硬質(zhì)泡沫出現(xiàn)脫落問題，且環(huán)保。
[0035] 請參照圖1和圖2,在該實施例中，各所述吸波單體22與所述座體單元12--對 應，所述底座10上所設吸波單體22的數(shù)量至少為兩個，可以是2個、3個、4個或者其他任 意數(shù)量，且各所述吸波單體22陣列分布于所述底座10上，例如，當所述吸波單體22的數(shù)量 為16個時，各所述吸波單體22可以為4行4列分布，也可以是2行8列分布。通過將各所 述吸波單體22陣列設置于所述底座10上，以便于安裝，減少安裝次數(shù)，提高安裝效率。
[0036] 在該實施例中，所述吸波單體22的中軸線與所述座體單元12的中心軸線重合，以 使各所述吸波單體22均勻分布于所述底座10上，從而使相鄰兩所述吸波單體22之間的間 距相同，以保證吸波性能。需要說明的是，所述吸波單體22的高度是指沿所述座體單元12 表面突出的高度大小。
[0037] 請參照圖1至圖6,進一步地，所述吸波單體22沿其中軸線方向的高度范圍為 30-850mm，所述座體單元12沿其中心軸線方向的高度為20-200mm。優(yōu)選地，所述吸波單體 22沿其中軸線方向的高度為250mm，所述座體單元12的高度為50mm。在該實施例中，所述 吸波單體22的高度遠大于所述座體單元12的高度，通過設置該高度范圍的吸波單體22以 增大所述吸波單體22吸收電磁波的面積，提高吸波性能。另外，由于采用硬質(zhì)泡沫制成所 述吸波單體22,保證了該吸波單體22設置在該高度范圍內(nèi)不會出現(xiàn)變形或者坍塌等問題， 大大提高了該吸波結(jié)構(gòu)的吸波性能。
[0038] 請參照圖1和圖3以及圖5和圖6,進一步地，各所述吸波單體22包括與所述座體 單元12相面對的連接表面24以及與所述連接表面24相背對并位于圓臺狀、橢圓臺狀或者 棱臺尖端部的頂面26,所述頂面26寬度遠小于所述連接表面24的寬度，所述連接表面24 的周緣最多與所述座體單元12的四個角外接?？梢岳斫?，所述連接表面24的周緣可以位 于所述座體單元12內(nèi)，也可以與所述座體單元12的四個角外接。通過設置所述連接表面 24的周緣與所述座體單元12的關(guān)系以改善所述吸波單體22的吸波性能，具體，對于相同高 度的吸波單體22,所述連接表面24的直徑（也可以是長軸長或者對角線長度等）越長，所 述吸波單體22的吸波性能越好。
[0039] 請參照圖3、圖5和圖6,具體地，對于圓臺狀的吸波單體22,其連接表面24和頂面 26均為圓形，對應的所述座體單元12的