202，在襯底上形成Fin。
[0042]具體的，可以是對襯底采用SADP工藝形成Fin，例如圖la?le所示，也可以是通過其他工藝過程獲得。另外，在執(zhí)行下一步驟203之前，該獲得Fin的過程還可以包含對Fin的介質(zhì)填充，例如采用SACVD法沉積Si02薄膜對Fin進行填充；也可以是在執(zhí)行完成下述步驟203?205以后再對Fin進行介質(zhì)填充，例如采用SACVD法沉積Si02薄膜對Fin進行填充。
[0043]步驟203，對Fin的關(guān)鍵尺寸進行測量。
[0044]該Fin的關(guān)鍵尺寸最主要包括Fin的寬度尺寸，可以通過現(xiàn)有測量工具進行測量。
[0045]步驟204，根據(jù)Fin的關(guān)鍵尺寸與Fin的規(guī)格要求的差異，查找預(yù)先獲得的不同退火工藝對硅的消耗量，確定對襯底上的Fin的退火工藝。
[0046]在本步驟之前，首先要獲得不同退火工藝對硅的消耗量。其中一種獲得方式，如圖3所示，可以包括:
[0047]步驟301，在實驗襯底上形成Fin。
[0048]該形成Fin的方法可以與前述方法相同，可采用SADP工藝形成Fin。
[0049]步驟302，將實驗襯底上形成的Fin放置在預(yù)設(shè)溫度環(huán)境下，通入氫氣和氧氣，分別進行不同時長的退火，獲得預(yù)設(shè)溫度下不同時長的退火對硅的消耗量。
[0050]例如，可以預(yù)設(shè)溫度為700攝氏度和750攝氏度，然后在兩種溫度環(huán)境下，通入氫氣和氧氣，統(tǒng)計不同退火時長對硅的消耗量，也即獲得對Fin尺寸的影響。如圖4所示，為Fin在700攝氏度下通入氣氣和氧氣，退火30min, 60min, 120min,以及在750攝氏度下退火15min,30min,60min對娃的消耗量曲線。由該曲線可知，同一溫度環(huán)境下退火時間越長，石圭消耗量越大，并在700攝氏度超過60分鐘后消耗速度變快，在750攝氏度超多30分鐘后消耗速度變快。按照上述方法還可以設(shè)定其他退火溫度和/或退火時間，以得到更全面和更精細的數(shù)據(jù)。
[0051]在預(yù)先獲得上述退火工藝對硅的消耗量后，即可根據(jù)Fin的關(guān)鍵尺寸與Fin的規(guī)格要求的差異，查找該不同退火工藝對硅的消耗量，確定出對步驟202中形成的襯底上的Fin的退火工藝。通常情況下，形成的Fin的關(guān)鍵尺寸會大于Fin的規(guī)格要求，此時可以計算Fin的關(guān)鍵尺寸與規(guī)格要求的差值，作為需要消耗的硅的量，然后選擇可消耗該差值的硅的退火工藝。
[0052]步驟205，按照確定的退火工藝對襯底上的Fin進行退火。
[0053]對襯底上的Fin按照上步驟確定的退火工藝退火，退火之后Fin的關(guān)鍵尺寸變小，可滿足規(guī)格要求。
[0054]在該退火完成后，還可以進一步執(zhí)行二次退火，具體的，可以將襯底上的Fin再放置在1000攝氏度以上的氮氣氣氛下進行二次退火。
[0055]本發(fā)明實施例在形成Fin后通過控制退火工藝來調(diào)整Fin的關(guān)鍵尺寸，可以在研發(fā)或者生產(chǎn)階段對Fin的關(guān)鍵尺寸達到精確的控制，并且可以實現(xiàn)光刻、刻蝕無法達到的更小的Fin的關(guān)鍵尺寸。該方法避免了因Fin尺寸不符合規(guī)格要求而產(chǎn)生的重復(fù)光刻或產(chǎn)品報廢問題，能夠高效的修正或控制Fin的尺寸，避免了浪費。而且，通過該退火過程可以增加薄膜的致密度，降低薄膜的濕法腐蝕速率。如在該退火之前采用SACVD的方法沉積的Si02，在上述退火后其相對濕法腐蝕速率通常大于10，而經(jīng)過熱退火處理后，其相對濕法腐蝕速率通常在小于2的范圍內(nèi)。
[0056]以上實施例中，各部件的形狀和結(jié)構(gòu)僅為示例，并非限定。并且，以上各部件還可以用其它具有相同功能的元件來分別替換，以組合形成更多的技術(shù)方案，且這些替換后形成的技術(shù)方案均應(yīng)在本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍之內(nèi)。
[0057]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。
[0058]雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種控制鰭式場效應(yīng)晶體管器件鰭片尺寸的方法，其特征在于，包括: 提供襯底； 在所述襯底上形成鰭片F(xiàn)in ； 對所述Fin的關(guān)鍵尺寸進行測量； 根據(jù)所述Fin的關(guān)鍵尺寸與Fin的規(guī)格要求的差異，查找預(yù)先獲得的不同退火工藝對硅的消耗量，確定對所述襯底上的Fin的退火工藝； 按照確定的退火工藝對所述襯底上的Fin進行退火。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根據(jù)所述Fin的關(guān)鍵尺寸與Fin的規(guī)格要求的差異，查找預(yù)先獲得的不同退火工藝對硅的消耗量，確定對所述Fin的退火工藝之前，包括: 獲得不同退火工藝對硅的消耗量； 所述獲得不同退火工藝對硅的消耗量，包括: 在實驗襯底上形成Fin ； 將所述實驗襯底上形成的Fin放置在預(yù)設(shè)溫度環(huán)境下，通入氫氣和氧氣，分別進行不同時長的退火，獲得預(yù)設(shè)溫度下不同時長的退火對硅的消耗量。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度為700攝氏度和750攝氏度。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成Fin,包括: 對所述襯底執(zhí)行自對準二次圖形曝光SADP工藝形成Fin。5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 將所述襯底上的Fin放置在1000攝氏度以上的氮氣氣氛下進行二次退火。
【專利摘要】本申請公開一種控制鰭式場效應(yīng)晶體管器件鰭片尺寸的方法。該方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成鰭片F(xiàn)in；對所述Fin的關(guān)鍵尺寸進行測量；根據(jù)所述Fin的關(guān)鍵尺寸與Fin的規(guī)格要求的差異，查找預(yù)先獲得的不同退火工藝對硅的消耗量，確定對所述襯底上的Fin的退火工藝；按照確定的退火工藝對所述襯底上的Fin進行退火。該方法避免了因Fin尺寸不符合規(guī)格要求而產(chǎn)生的重復(fù)光刻或產(chǎn)品報廢問題，能夠高效的修正或控制Fin的尺寸，避免了浪費。
【IPC分類】H01L21/336
【公開號】CN105374682
【申請?zhí)枴緾N201410433485
【發(fā)明人】徐強, 熊文娟, 張永奎, 殷華湘
【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2014年8月28日