到氣流的影響，所以如上述方式切換低 排氣和高排氣來進行加熱處理是有效的。另外，加熱裝置1不限于用于涂敷有產(chǎn)生了這樣 的交聯(lián)反應(yīng)的藥液的晶片W的處理。例如也能夠用于對涂敷有不進行上述交聯(lián)反應(yīng)的抗蝕 劑液的晶片W進行加熱處理。由于上述抗蝕劑液的溫度低、包含較多溶劑，所以該抗蝕劑液 的粘性低時，由抗蝕劑液形成的抗蝕劑膜容易因氣流而受到膜厚的影響。因此，與上述的有 機膜、反射防止膜的處理同樣，至膜發(fā)生固化并且升華物的產(chǎn)生量變得比較多的溫度為止 以低排氣進行加熱處理，之后以高排氣進行加熱處理是有效的。另外，在上述的各加熱模塊 2A~2C的處理中，在低排氣時晶片W的膜厚分布的均勻性不降低即可，因此處理容器20內(nèi) 的排氣量可以為0L/分鐘。即，在低排氣時可以不進行排氣。
[0085] (評價試驗）
[0086] 接著，對與本發(fā)明關(guān)聯(lián)地進行的評價試驗進行說明。在該評價試驗中，使用在上述 的實施方式中說明的加熱模塊，對涂敷有已述的用于形成有機膜的藥液的直徑300mm的晶 片W進行了加熱處理。該加熱處理對各晶片W改變處理容器20內(nèi)的排氣量而進行。作為 評價試驗1-1~1-5,與上述實施方式的處理不同，從晶片W的處理開始至處理結(jié)束為止使 處理容器20的排氣量為一定來進行加熱處理，在評價試驗1-1、1-2、1-3、1-4、1-5中，分別 使上述排氣量為15L/分鐘、0L/分鐘、0. 3L/分鐘、0. 5L/分鐘、1L/分鐘。另外，作為評價試 驗1-6,如實施方式中說明的那樣在晶片W的處理中進行了從低排氣向高排氣的切換。
[0087] 對于在評價試驗1-1~1-6中處理過的晶片W，測定面內(nèi)的多個部位的膜厚，測定 膜厚的平均值、3西格瑪區(qū)間（sigma)、范圍（range)、中心部范圍、改善率。上述范圍是在晶 片W取得的膜厚的最大值與最小值的差，中心部范圍是從晶片W的中心的膜厚與從中心離 開規(guī)定的距離的一個膜厚的差。改善率是以評價試驗1-1的中心部范圍為基準時的其它的 評價試驗中所取得的中心部范圍的改善率，（評價試驗1-1的中心部范圍-其它的評價試 驗中所取得的中心部范圍V(評價試驗1-1的中心部范圍）X 100(單位：％ )。
[0088] 下述的表1表示評價試驗1-1~1-6的測定結(jié)果。另外，圖表表示從評價試驗 1-1~1-5得到的中心部范圍和改善率。圖表的橫軸表示處理容器20的排氣量，縱軸表示 中心部范圍和改善率。將測定結(jié)果繪圖于圖表中，并且基于該測定結(jié)果得到的近似曲線表 示于圖表中。如表1所示在評價試驗1-1~1-6中平均膜厚大致相等。而且，評價試驗1-6 與評價試驗1-1~1-5相比3西格瑪區(qū)間、范圍、中心部范圍均低，改善率高。因而，如上述 的實施方式所示，確認了通過切換低排氣和高排氣來進行處理，對于晶片W的膜厚的面內(nèi) 分布能夠提高均勻性。另外，作為上述的改善率設(shè)為50%以下在實際應(yīng)用上有效。從圖12 的圖表的近似曲線可知，改善率在50%時，排氣量為0. 16L/分鐘，排氣量越降低改善率越 變高。因而，在上述的實施方式中，使處理容器20內(nèi)為低排氣時的排氣量設(shè)為0. 16L/分鐘 以下是有效的。
【主權(quán)項】
1. 一種基板加熱裝置，其特征在于，包括： 多個加熱模塊，其各自包括在內(nèi)部配置有用于載置基板并對該基板進行加熱處理的加 熱板的處理容器、用于將清潔用的氣體取入到該處理容器內(nèi)的處理氛圍中的供氣口、和對 所述處理氛圍進行排氣的排氣口； 單獨排氣路徑，其與所述多個加熱模塊各自的排氣口連接； 共用排氣路徑，所述多個加熱模塊的各單獨排氣路徑的下游端公共地連接在共用排氣 路徑上； 分支路徑，其分支地設(shè)置于所述各單獨排氣路徑，在所述處理容器的外部開口；和 排氣量調(diào)節(jié)部，其用于調(diào)節(jié)從所述排氣口側(cè)排出到所述共用排氣路徑的排氣量與從所 述處理容器的外部經(jīng)由所述分支路徑取入到所述共用排氣路徑的取入量的流量比。2. 如權(quán)利要求1所述的基板加熱裝置，其特征在于： 所述排氣口與所述加熱板的基板載置區(qū)域的中央部相對地設(shè)置在所述處理容器的頂 壁部， 所述供氣口沿著加熱板的周向設(shè)置，以使得從所述基板載置區(qū)域的周緣側(cè)將清潔用的 氣體取入到處理氛圍中。3. 如權(quán)利要求1或2所述的基板加熱裝置，其特征在于，包括： 控制部，其輸出用于調(diào)節(jié)所述排氣量調(diào)節(jié)部的流量比率的控制信號，來選擇以低的排 氣量對所述處理氛圍內(nèi)進行排氣的低排氣狀態(tài)和以比所述低的排氣量多的排氣量對所述 處理氛圍內(nèi)進行排氣的高排氣狀態(tài)。4. 如權(quán)利要求3所述的基板加熱裝置，其特征在于，包括： 所述控制部調(diào)節(jié)所述排氣量調(diào)節(jié)部，以使得在所述基板被載置在加熱板后，至經(jīng)過預(yù) 先設(shè)定的時間為止或者至基板的溫度成為預(yù)先設(shè)定的溫度為止設(shè)為低排氣狀態(tài)，之后設(shè)為 尚排氣狀態(tài)。5. 如權(quán)利要求3或4所述的基板加熱裝置，其特征在于，包括： 所述控制部控制所述排氣量調(diào)節(jié)部，以使得在所述基板被載置在加熱板后，至經(jīng)過包 括由于涂敷于基板的涂敷液的粘性低若設(shè)為高的排氣狀態(tài)則膜厚的面內(nèi)均勻性變差的時 間段的時間為止設(shè)為低排氣狀態(tài)，之后為了將來自涂敷膜的升華物排出而設(shè)為高排氣狀 ??τ〇6. 如權(quán)利要求3~5所述的基板加熱裝置，其特征在于，包括： 所述控制部輸出控制信號，以使得通過逐漸改變所述排氣量調(diào)節(jié)部的流量比，來進行 從所述低排氣狀態(tài)向高排氣狀態(tài)的切換。7. 如權(quán)利要求1~6中任一項所述的基板加熱裝置，其特征在于： 所述低排氣狀態(tài)中的排氣量為〇. 16升/分鐘以下。8. 如權(quán)利要求1~7中任一項所述的基板加熱裝置，其特征在于： 所述供氣口包括用于將清潔氣體供給到處理容器內(nèi)的氣體供給路徑的排出口。9. 如權(quán)利要求8所述的基板加熱裝置，其特征在于： 所述供氣口還包括取入作為所述處理容器外的清潔用的氣體的外部氣體的取入口。10. 如權(quán)利要求8或9所述的基板加熱裝置，其特征在于： 在所述氣體供給路徑設(shè)置有對清潔氣體進行加熱的氣體加熱部。11. 如權(quán)利要求1~10任一項所述的基板加熱裝置，其特征在于： 載置于所述加熱板的基板的表面的涂敷膜為以碳為主要成分的膜。12. -種基板加熱方法，其特征在于： 使用基板加熱裝置，其包括： 多個加熱模塊，其各自包括內(nèi)部配置有用于載置基板并對該基板進行加熱處理的加熱 板的處理容器；用于將清潔用的氣體取入到該處理容器內(nèi)的處理氛圍中的供氣口；和對所 述處理氛圍進行排氣的排氣口； 單獨排氣路徑，其與所述多個加熱模塊各自的排氣口連接； 共用排氣路徑，所述多個加熱模塊的各單獨排氣路徑的下游端公共地連接在共用排氣 路徑使；和 分支路徑，其分支地設(shè)置于所述各單獨排氣路徑，在所述處理容器的外部開口， 所述基板加熱方法包括： 在所述加熱板上載置基板的步驟； 利用排氣量調(diào)節(jié)部調(diào)節(jié)從所述排氣口側(cè)排出到所述共用排氣路徑的排氣量與從所述 處理容器的外部經(jīng)由所述分支路徑取入到所述共用排氣路徑的取入量的流量比，使得成為 低排氣狀態(tài)的步驟，所述低排氣狀態(tài)是以低的排氣量對所述處理氛圍內(nèi)進行排氣的狀態(tài)； 和 在該步驟后，利用排氣量調(diào)節(jié)部調(diào)節(jié)流量比，使得成為高排氣狀態(tài)的步驟，所述高排氣 狀態(tài)是以比所述低的排氣量多的排氣量對所述處理氛圍內(nèi)進行排氣的狀態(tài)。13. 如權(quán)利要求12所述的基板加熱裝置，其特征在于，包括： 所述使得成為低排氣狀態(tài)的步驟，是在所述基板被載置在加熱板后，至經(jīng)過包括由于 涂敷于基板的涂敷液的粘性低若設(shè)為高的排氣狀態(tài)則膜厚的面內(nèi)均勻性變差的時間段的 時間為止進行的， 所述使得成為高排氣狀態(tài)的步驟是為了將來自涂敷膜的升華物排出而進行的。14. 如權(quán)利要求12或13所述的基板加熱裝置，其特征在于： 通過逐漸改變所述排氣量調(diào)節(jié)部的流量比，來進行從所述低排氣狀態(tài)向高排氣狀態(tài)的 切換。15. 如權(quán)利要求12~14所述的基板加熱裝置，其特征在于，包括： 利用加熱部對清潔用的氣體進行加熱后經(jīng)由供氣口將其取入到處理氛圍中。
【專利摘要】本發(fā)明提供基板加熱裝置，包括：多個加熱模塊，其包括對基板進行處理的處理容器；和與各加熱模塊共用的排氣路徑，該基板加熱裝置高精度控制各加熱模塊中的排氣量。基板加熱裝置包括：多個加熱模塊，各自包括用于對上述處理容器內(nèi)的處理氛圍取入清潔用的氣體的供氣口和對處理氛圍進行排氣的排氣口；與各個排氣口連接的單獨排氣路徑；與各單獨排氣路徑的下游端共同連接的共用排氣路徑；分支地設(shè)于各單獨排氣路徑的、在處理容器的外部開口的分支路徑；和排氣量調(diào)節(jié)部，其調(diào)節(jié)從排氣口側(cè)排出到共用排氣路徑的排氣量和從處理容器的外部經(jīng)由分支路徑取入到共用排氣路徑的取入量的流量比。由此抑制從各單獨排氣路徑向共用排氣路徑的氣體流量的變動。
【IPC分類】G03F7/16, H01L21/67
【公開號】CN105374711
【申請?zhí)枴緾N201510486773
【發(fā)明人】水田誠人, 高柳康治
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年8月10日
【公告號】US20160042984