開(kāi)啟時(shí)間t，則設(shè)定TO彡t。
[0039] 與現(xiàn)有技術(shù)比較本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置，由于設(shè)置了多 個(gè)電極且每?jī)蓚€(gè)相鄰電極間加載的電壓極性相反，相鄰兩個(gè)電極之間形成電場(chǎng)。內(nèi)部的多 電極設(shè)計(jì)使得其內(nèi)部形成的電場(chǎng)數(shù)量多，同時(shí)兩電極之間的距離越小，則同樣電極電壓下， 形成的電場(chǎng)強(qiáng)度越大。針對(duì)高絕緣電介質(zhì)晶片，在電場(chǎng)覆蓋范圍內(nèi)分子發(fā)生極化，產(chǎn)生極化 電荷，高絕緣電介質(zhì)晶片的極化電荷與其對(duì)應(yīng)電極之間產(chǎn)生靜電力；顯然，電場(chǎng)數(shù)量越多， 強(qiáng)度越大，則高絕緣電介質(zhì)晶片的極化電荷越多，靜電力也就越大，從而有效地固定住高絕 緣電介質(zhì)晶片。
[0040] 本發(fā)明的晶片的固定方法，在晶片的下表面失去極化電荷之前，將供電電源的輸 出電壓極性反轉(zhuǎn)，有效地防止"跳片"，避免了背吹氣體的泄漏，提高了加工效率，也能有效 解決高絕緣電介質(zhì)晶片的靜電吸附問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0041] 圖1為目前的真空平行板電容器示意圖；
[0042] 圖2為目前的雙電極的靜電卡盤(pán)固定普通晶片的示意圖；
[0043] 圖3為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置固定高絕緣電介質(zhì)晶片的示意圖；
[0044] 圖4為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置的一實(shí)施例的內(nèi)部電極分布示意圖；
[0045] 圖5為電介質(zhì)分子或者原子在電場(chǎng)作用下的極化過(guò)程示意圖；
[0046] 圖6為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置吸附電極加載直流電壓后，形成的電場(chǎng)示意圖；
[0047] 圖7為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置吸附電極形成的電場(chǎng)受等離子體影響，場(chǎng)強(qiáng)被消弱 的情形之一不意圖；
[0048] 圖8為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置吸附電極加載電壓極性反轉(zhuǎn)后，晶片上極化電荷分 布情況不意圖；
[0049] 圖9為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置吸附電極形成的電場(chǎng)受等離子體影響，場(chǎng)強(qiáng)被消弱 的情形之-不意圖；
[0050] 圖10為本發(fā)明的晶片或托盤(pán)的固定方法的控制流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051] 為了解決晶片的靜電吸附的穩(wěn)定性問(wèn)題，特別是高絕緣電介質(zhì)晶片難于吸附固定 的問(wèn)題，提出了一種靜電卡盤(pán)裝置及晶片或托盤(pán)的固定方法。
[0052] 以下結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明上述的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點(diǎn)作更詳細(xì)的說(shuō)明。需要 說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例中的技術(shù)特征可以任意組合。
[0053] 為解決晶片靜電吸附的穩(wěn)定性較差，高絕緣電介質(zhì)晶片難于產(chǎn)生靜電力的問(wèn)題， 需要設(shè)計(jì)一種能適用于高絕緣電介質(zhì)晶片或者托盤(pán)，同時(shí)也適用于普通晶片或者托盤(pán)，并 能保證靜電吸附可靠的靜電卡盤(pán)裝置。下文將以靜電卡盤(pán)裝置固定晶片為例進(jìn)行說(shuō)明。請(qǐng) 參閱圖3所示，其為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)裝置固定高絕緣電介質(zhì)晶片的示意圖。
[0054] 靜電卡盤(pán)裝置包括卡盤(pán)本體301、絕緣本體302、供電電源305、多個(gè)第一靜電吸附 電極306與多個(gè)第二靜電吸附電極307。
[0055] 第一靜電吸附電極306與第二靜電吸附電極307的數(shù)量均大于或等于2,所有的第 一靜電吸附電極306與所有的第二靜電吸附電極307均埋設(shè)在絕緣本體302的內(nèi)部。
[0056] 供電電源305直流電壓輸出端與第一靜電吸附電極306、第二靜電吸附電極307電 連接；加載在第一靜電吸附電極306與第二靜電吸附電極307上的直流電壓的極性相反，第 一靜電吸附電極306與第二靜電吸附電極307交替相鄰，并彼此電絕緣。
[0057] 卡盤(pán)本體301為鋁基體，內(nèi)部設(shè)計(jì)有冷卻水道及冷媒氣體通道，表面一般做絕緣 處理，如陽(yáng)極氧化。
[0058] 絕緣本體302的材料一般為陶瓷，內(nèi)嵌電極，電極一般為導(dǎo)體材料。陶瓷一般燒結(jié) 或者噴涂而成，保證不同電極間彼此電絕緣。
[0059] 本發(fā)明的靜電卡盤(pán)內(nèi)部的多電極設(shè)計(jì)，且每?jī)蓚€(gè)相鄰電極間，加載電壓的極性相 反，相鄰兩個(gè)電極形成電場(chǎng)，使得電場(chǎng)數(shù)量盡可能的多，從而有效可靠地固定晶片330。針對(duì) 高絕緣電介質(zhì)晶片，在電場(chǎng)覆蓋范圍內(nèi)分子發(fā)生極化，產(chǎn)生極化電荷，高絕緣電介質(zhì)晶片的 極化電荷與其對(duì)應(yīng)電極之間產(chǎn)生靜電力；顯然，電場(chǎng)數(shù)量越多，強(qiáng)度越大，則高絕緣電介質(zhì) 晶片的極化電荷越多，靜電力也就越大，從而有效地固定住高絕緣電介質(zhì)晶片。
[0060] 通過(guò)這種方式，解決晶片330的靜電吸附的穩(wěn)定性問(wèn)題，特別是高絕緣電介質(zhì)晶 片難于吸附固定的問(wèn)題。同時(shí)，如果兩電極間距離越小，則同樣電極電壓下，形成的電場(chǎng)強(qiáng) 度會(huì)越大，靜電吸附會(huì)更可靠。
[0061] 作為一種可實(shí)施方式，基于電介質(zhì)極化原理設(shè)計(jì)，所有的第一靜電吸附電極306 與供電電源305的正極輸出端相連接；所有的第二靜電吸附電極307與供電電源305的負(fù) 極輸出端相連接。供電電源305的正極輸出端和負(fù)極輸出端的輸出直流電壓極性相反。
[0062] 當(dāng)然，也可以第一靜電吸附電極306與供電電源305的負(fù)極輸出端相連接；所有第 二靜電吸附電極307與供電電源305的正極輸出端相連接。
[0063] 較佳地，加載同種極性直流電壓的多個(gè)第一靜電吸附電極306在內(nèi)部彼此相連， 加載同種極性直流電壓的多個(gè)第二靜電吸附電極307在內(nèi)部彼此相連。
[0064] 作為一種可實(shí)施方式，供電電源305具有輸出電壓極性反轉(zhuǎn)的功能，輸出電壓極 性反轉(zhuǎn)時(shí)，正極電壓輸出端輸出負(fù)極性電壓，負(fù)極電壓輸出端輸出正極性電壓。
[0065] 作為一種可實(shí)施方式，供電電源305為直流高壓電源，可以根據(jù)電源控制器指令， 持續(xù)穩(wěn)定的輸出極性相反的直流負(fù)電壓和直流正電壓。
[0066] 供電電源305的輸出端包括正極輸出端（HV+)、負(fù)極輸出端（HV-)與中間點(diǎn)輸出 端（HV-CT)。中間點(diǎn)輸出端是正極輸出端與負(fù)極輸出端的零點(diǎn)參考電位。比如設(shè)置電源輸 出±1KV，也就是說(shuō)，正極輸出端和中間點(diǎn)輸出端之間直流電壓差+lkv，負(fù)極輸出端和中間 點(diǎn)輸出端之間直流電壓差-lkv，正負(fù)電壓輸出端分別與卡盤(pán)電極電連接，電源外殼及中間 點(diǎn)輸出端與整機(jī)系統(tǒng)的地電連接。
[0067] 供電電源305還可以無(wú)中間點(diǎn)輸出端，此時(shí)電源正負(fù)輸出端電壓參考點(diǎn)一般為電 源外殼，正負(fù)電壓輸出端分別與卡盤(pán)電極電連接，電源外殼與整機(jī)系統(tǒng)地電連接。
[0068] 請(qǐng)參閱圖4所示，其為本發(fā)明的靜電卡盤(pán)的實(shí)施例一的內(nèi)部電極分布示意圖，絕 緣本體302內(nèi)部的第一靜電吸附電極306與第二靜電吸附電極307呈環(huán)形分布。
[0069] 第一靜電吸附電極306與第二靜電吸附電極307的數(shù)量分別為三個(gè)，圓形的第一 靜電吸附電極306與圓形的第二靜電吸附電極307交錯(cuò)相鄰。第一靜電吸附電極306與第 二靜電吸附電極307的數(shù)量，相鄰兩電極間絕緣距離，電極分布圖案，均可根據(jù)晶片330吸 附的難易程度及陶瓷耐壓能力進(jìn)行其他設(shè)計(jì)。
[0070] 在電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)中，原子核和電子之間的束縛力足以使電子處于被束縛狀 態(tài)，當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度足夠大時(shí)，電介質(zhì)分子或原子，可發(fā)生極化現(xiàn)象，產(chǎn)生極化電荷。電介質(zhì)在外 加電場(chǎng)作用下產(chǎn)生宏觀的電極化強(qiáng)度，實(shí)際上是電介質(zhì)微觀上各種極化機(jī)制貢獻(xiàn)的結(jié)果， 極化包括電子的極化、離子的極化、電偶極子取向極化、空間電荷極化。
[0071] 請(qǐng)參閱圖5所示，其為電介質(zhì)分子或者原子在電場(chǎng)作用下的一種極化過(guò)程示意 圖，沒(méi)有受電場(chǎng)作用時(shí)，組成電介質(zhì)的分子或原子所帶正負(fù)電荷中心重合，對(duì)外呈中性。受 電場(chǎng)作用時(shí)，正、負(fù)電荷中心產(chǎn)生相對(duì)位移（電子云發(fā)生了變化而使正、負(fù)電荷中心分離的 物理過(guò)程），中性分子則轉(zhuǎn)化為偶極子，從而產(chǎn)生了電子位移極化或電子形變極化。
[0072] 圖5中a表示晶片330內(nèi)部原子或者分子未極化狀態(tài)；b表示晶片330內(nèi)部原子 或者分子極化狀態(tài)；c表示晶片330在外加電場(chǎng)作用下，宏觀的電極化狀態(tài)。
[0073] 本發(fā)明的絕緣本體302中內(nèi)嵌的多電極設(shè)計(jì)，使得相鄰電極間形成的電場(chǎng)的數(shù)量 多，強(qiáng)度大，相鄰電極形成的電場(chǎng)同樣彼此相鄰，即使是高絕緣電介質(zhì)