磁體側(cè)視圖之三；
[0026]圖3A為本發(fā)明實(shí)施例永磁磁體俯視圖之一；
[0027]圖3B為本發(fā)明實(shí)施例永磁磁體俯視圖之二 ；
[0028]圖3C為本發(fā)明實(shí)施例永磁磁體俯視圖之三；
[0029]圖4A為本發(fā)明實(shí)施例用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置之一；
[0030]圖4B為本發(fā)明實(shí)施例用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置之二 ；
[0031]圖4C為本發(fā)明實(shí)施例用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置之三；
[0032]圖5A為本發(fā)明實(shí)施例用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置之四；
[0033]圖5B為本發(fā)明實(shí)施例用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置之五；
[0034]圖5C為本發(fā)明實(shí)施例用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置之六；
[0035]圖6A為本發(fā)明實(shí)施例第一柱狀堵漏磁環(huán)示意圖；
[0036]圖6B為本發(fā)明實(shí)施例第二柱狀堵漏磁環(huán)示意圖；
[0037]圖7為本發(fā)明實(shí)施例用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置之七；
[0038]圖8A為本發(fā)明實(shí)施例極板示意圖之一；
[0039]圖8B為本發(fā)明實(shí)施例極板示意圖之二 ；
[0040]圖9A為現(xiàn)有技術(shù)一的磁力線(xiàn)示意圖；
[0041]圖9B為本發(fā)明實(shí)施例磁力線(xiàn)示意圖之一；
[0042]圖9C為本發(fā)明實(shí)施例磁力線(xiàn)示意圖之二。
【具體實(shí)施方式】
[0043]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044]參見(jiàn)圖2A、圖2B和圖2C，為本發(fā)明實(shí)施例提供的永磁磁體側(cè)視圖。該永磁磁體包括:由永磁材料制成的柱狀內(nèi)磁體2、第一柱狀側(cè)磁體3和第二柱狀側(cè)磁體4。其中，所述柱狀內(nèi)磁體2、所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4所采用的永磁材料可以選用現(xiàn)有的任何永磁材料，例如燒結(jié)釹鐵硼、粘接稀土永磁、稀土鈷、恒磁鐵氧體等，以高磁能積為優(yōu)。
[0045]其中，所述第一柱狀側(cè)磁體3同軸設(shè)置在所述柱狀內(nèi)磁體2的外部，所述第二柱狀側(cè)磁體4同軸設(shè)置在所述第一柱狀側(cè)磁體3的外部，所述柱狀內(nèi)磁體2、所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4的高度全部或部分不同且形成近似凹形曲面，所述柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向?yàn)檩S向，所述第一柱狀側(cè)磁體3的磁化方向與所述軸向成第一角度a，所述第二柱狀側(cè)磁體4的磁化方向與所述軸向成第二角度b。
[0046]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述柱狀內(nèi)磁體2、所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4的高度全部或部分不同且形成近似凹形曲面。這三個(gè)柱狀磁體的高度存在以下三種方式:
[0047]方式1、參見(jiàn)圖2A所示的永磁磁體側(cè)視圖之一，所述柱狀內(nèi)磁體2、所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4的高度依次遞增。
[0048]方式2、參見(jiàn)圖2B所示的永磁磁體側(cè)視圖之二，所述柱狀內(nèi)磁體2與所述第一柱狀側(cè)磁體3的高度相等，所述第二柱狀側(cè)磁體4的高度大于所述柱狀內(nèi)磁體2與所述第一柱狀側(cè)磁體3的高度。
[0049]方式3、參見(jiàn)圖2C所示的永磁磁體側(cè)視圖之三，所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4的高度相等，所述柱狀內(nèi)磁體2的高度小于所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4的高度。
[0050]在圖2A中，垂直虛線(xiàn)表示軸線(xiàn)，箭頭方向表示磁化方向。當(dāng)柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向?yàn)檩S向向上時(shí)，第一柱狀側(cè)磁體3與第二柱狀側(cè)磁體4的磁化方向均指向柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向(圖2A中左圖)。當(dāng)柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向?yàn)檩S向向下時(shí)，第一柱狀側(cè)磁體3與第二柱狀側(cè)磁體4的磁化方向均背離柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向(圖2A中右圖)。其中，所述第二柱狀側(cè)磁體4的磁化方向與所述柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向之間的夾角(即所述第二角度b)大于或等于所述第一柱狀側(cè)磁體3的磁化方向與所述柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向之間的夾角(即所述第一角度a)，進(jìn)一步地，所述第一角度a與所述第二角度b不超過(guò)30度。在圖2B和圖2C中，各個(gè)磁體的磁化方向與圖2A—致，在此不再贅述。
[0051]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述柱狀內(nèi)磁體2由截面為方形的多個(gè)磁塊拼接成近似實(shí)心圓柱而成，所述第一柱狀側(cè)磁體3由截面為方形的多個(gè)磁塊拼接成近似空心圓柱而成，所述第二柱狀側(cè)磁體4由截面為方形的多個(gè)磁塊拼接成近似空心圓柱而成，其中，所述柱狀內(nèi)磁體2的外表面與所述第一柱狀側(cè)磁體3的內(nèi)表面緊密貼合，所述第一柱狀側(cè)磁體3的外表面與所述第二柱狀側(cè)磁體4的內(nèi)表面緊密貼合。參見(jiàn)圖3A所示的永磁磁體俯視圖之一，所述柱狀內(nèi)磁體2、所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4均是由多個(gè)截面為正方形的磁塊組成，當(dāng)然也可以采用截面為長(zhǎng)方形的磁塊組成，或采用截面為長(zhǎng)方形的磁塊與截面為正方形的磁塊組成。此外，所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4可采用一環(huán)或多環(huán)的磁塊排列方式，比如圖3A中，所述第一柱狀側(cè)磁體3與所述第二柱狀側(cè)磁體4分別由兩個(gè)磁塊環(huán)組成。
[0052]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第二柱狀側(cè)磁體4是由截面為方形的多個(gè)磁塊拼接而成，且拼接成近似圓柱形，存在以下三種拼接方式:
[0053]1、參見(jiàn)圖3B所示的永磁磁體俯視圖之二，假設(shè)圖3B所示的每個(gè)磁塊均為截面為正方形的磁塊，在此前提下，若所有磁塊均為截面為正方形的磁塊，則所述第二柱狀側(cè)磁體4的外圍磁塊僅包括截面為正方形的磁塊；
[0054]1、參見(jiàn)圖3B所示的永磁磁體俯視圖之二，假設(shè)圖3B所示的每個(gè)磁塊均為截面為長(zhǎng)方形的磁塊，在此前提下，若所有磁塊均為截面為長(zhǎng)方形的磁塊，則所述第二柱狀側(cè)磁體4的外圍磁塊僅包括截面為長(zhǎng)方形的磁塊；
[0055]2、參見(jiàn)圖3C所示的永磁磁體俯視圖之三，所述第二柱狀側(cè)磁體4的外圍磁塊包括截面為正方形的磁塊和截面為長(zhǎng)方形的磁塊，所述外圍磁塊以外的每個(gè)磁塊均為截面為正方形的磁塊。
[0056]可以理解的是，由于磁性材料是由截面為方形的小磁塊排列成截面近似圓形的柱體，而為了便于加工及裝配采用截面為正方形磁塊和/或半正方磁塊排列，可減少異形磁塊，降低加工難度及費(fèi)用。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供的永磁磁體，該永磁磁體包括由永磁材料制成的柱狀內(nèi)磁體、第一柱狀側(cè)磁體和第二柱狀側(cè)磁體，柱狀內(nèi)磁體、第一柱狀側(cè)磁體與第二柱狀側(cè)磁體的高度全部或部分不同且形成近似凹形曲面。可見(jiàn)，該磁體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且便于加工，而且由于磁材采用中心至外徑臺(tái)階式步進(jìn)方式排列，起到了聚磁作用，不但可以提高磁場(chǎng)強(qiáng)度，還有利于產(chǎn)生均勻度較好的初始磁場(chǎng)，降低后期磁場(chǎng)矯正的難度，在達(dá)到同等磁場(chǎng)強(qiáng)度的情況下，可使用較少的磁性材料，進(jìn)而可有效降低成本。
[0058]參見(jiàn)圖4和圖5，為本發(fā)明實(shí)施例提供的用于核磁共振成像系統(tǒng)的磁體裝置，該磁體裝置包括:磁軛1、所述磁軛1內(nèi)表面上部設(shè)置的第一主磁體、所述磁軛1內(nèi)表面下部設(shè)置的第二主磁體、分別同軸設(shè)置于所述第一主磁體與所述第二主磁體相對(duì)表面上的第一極板51與第二極板52。
[0059]其中，所述第一主磁體與所述第二主磁體為上述實(shí)施例介紹的由柱狀內(nèi)磁體2、第一柱狀側(cè)磁體3和第二柱狀側(cè)磁體4組成的永磁磁體。其中，所述第一主磁體的柱狀內(nèi)磁體2的磁化方向?yàn)檩S向向上，所述第一主磁體的第一柱狀側(cè)磁體3與第二柱狀側(cè)磁體4的磁化方向均背離所述第一主磁體的柱狀內(nèi)磁體2的