光電二極管陣列(像素陣列);如圖3所示的結構。
[0040]步驟二、于半導體襯底1的背面上方形成底端粘合層3 ;在本發(fā)明的實施例中，該底端粘合層3是在高溫真空條件于半導體襯底1的背面上方采用物理離子濺射形成。優(yōu)選的，該底端粘合層3的材質為氮化鈦；如圖4所示的結構。
[0041]步驟三、于底端粘合層3的上表面形成金屬層4 ;在本發(fā)明的實施例中，該金屬層4是在高溫真空條件于底端粘合層3的上表面采用物理離子濺射形成。優(yōu)選的，該金屬層4的材質為鋁、銅或鎢；如圖5所示的結構。
[0042]步驟四、于金屬層4的上表面形成抗反射層5 ;在本發(fā)明的實施例中，該抗反射層5是在高溫真空條件于金屬層4的上表面采用物理離子濺射形成。優(yōu)選的，該抗反射層5的材質為氮氧化硅或氮化鈦；如圖6所示的結構。
[0043]步驟五、于抗反射層5的上表面形成一層光刻膠，并對具有光刻膠進行圖案化工藝，以形成若干具有柵極圖形的光阻，該光刻工藝可以采用本領域技術人員所熟知的技術，在此便不予贅述。
[0044]步驟六、以若干具有柵極圖形的光阻為掩膜，按照從上至下的順序依次刻蝕抗反射層5、金屬層4和底端粘合層3以于具有半導體襯底1的背面上方形成上表面均具有抗反射層5的若干金屬柵格，在本發(fā)明的實施例中，該若干金屬柵格可以防止不同的光電二極管2之間的光的串擾，且該抗反射層5可以降低金屬柵格的光反射率，進而達到降低背照式圖像傳感器噪音的效果；如圖7所示的結構。
[0045]如圖8所示，通過擬合不同厚度的抗反射層，可以得到這種工藝能夠將金屬柵格的反射率降低到40%以下。
[0046]不難發(fā)現(xiàn)，本實施例為與上述背照式影像傳感器的實施例相對應的方法實施例，本實施例可與上述背照式影像傳感器的實施例互相配合實施。上述背照式影像傳感器的實施例中提到的相關技術細節(jié)在本實施例中依然有效，為了減少重復，這里不再贅述。相應地，本實施方式中提到的相關技術細節(jié)也可應用在上述背照式影像傳感器的實施例中。
[0047]綜上，本發(fā)明公開了一種背照式影像傳感器及其制備方法，通過在進行金屬柵格底端粘合層，金屬層鍍膜制程之后；于金屬層之上沉積抗反射層，最后通過圖形和刻蝕形成上表面具有抗反射層的若干金屬柵格，該抗反射層可以降低金屬柵格的反射率，進而達到降低背照式圖像傳感器的噪音的效果，且該工藝簡單易行，能夠適應于不同的金屬柵格工
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[0048]本領域技術人員應該理解，本領域技術人員在結合現(xiàn)有技術以及上述實施例可以實現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實質內(nèi)容，在此不予贅述。
[0049]以上對本發(fā)明的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的設備和結構應該理解為用本領域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內(nèi)容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這并不影響本發(fā)明的實質內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種背照式傳感器，其特征在于，包括: 半導體襯底，具有正面和相對所述正面的背面，且所述半導體襯底中設置有若干光電二極管； 若干金屬柵格，設置于所述半導體襯底的背面上方，以防止所述光電二極管之間的光的串擾； 其中，若干所述金屬柵格的上表面均設置有抗反射層。2.如權利要求1所述的背照式傳感器，其特征在于，所述抗反射層的材質為氮氧化硅或氮化鈦。3.如權利要求1所述的背照式傳感器，其特征在于，所述金屬柵格包括底端粘合層和覆蓋所述底端粘合層上表面的金屬層。4.如權利要求1所述的背照式傳感器，其特征在于，所述底端粘合層的材質為氮化鈦。5.如權利要求1所述的背照式傳感器，其特征在于，所述金屬層的材質為鋁、銅或鎢。6.一種背照式傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一具有正面和背面的半導體襯底，且所述半導體襯底中形成有若干光電二極管； 于所述半導體襯底的背面上方形成若干金屬柵格，以防止所述光電二極管之間的光的串擾； 其中，若干所述金屬柵格的上表面均具有抗反射層。7.如權利要求6所述的背照式傳感器的制備方法，其特征在于，所述抗反射層的材質為氮氧化硅或氮化鈦。8.如權利要求6所述的背照式傳感器的制備方法，其特征在于，形成上表面均具有所述抗反射層的若干所述金屬柵格的方法包括: 按照從下至上的順序依次于所述半導體襯底的背面上方形成底端粘合層、金屬層； 于所述金屬層的上表面形成抗反射層； 于所述抗反射層上表面形成一層光刻膠，并對所述光刻膠進行圖案化工藝，以形成若干具有柵極圖形的光阻； 以所述若干具有柵極圖形的光阻為掩膜，按照從上至下的順序依次刻蝕抗反射層、金屬層和底端粘合層以于所述半導體襯底的背面上方形成若干所述金屬柵格。9.如權利要求8所述的背照式傳感器的制備方法，其特征在于，所述底端粘合層的材質為氮化鈦。10.如權利要求8所述的背照式傳感器的制備方法，其特征在于，所述金屬層的材質為招、銅或媽。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種背照式影像傳感器及其制備方法，通過在進行金屬柵格底端粘合層，金屬層鍍膜制程之后；于金屬層之上沉積抗反射層，最后通過圖形和刻蝕形成上表面具有抗反射層的若干金屬柵格，該抗反射層可以降低金屬柵格的反射率，進而達到降低背照式圖像傳感器的噪音的效果，且該工藝簡單易行，能夠適應于不同的金屬柵格工藝。
【IPC分類】H01L27/146
【公開號】CN105390516
【申請?zhí)枴緾N201510715481
【發(fā)明人】胡勝, 孫鵬
【申請人】武漢新芯集成電路制造有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年10月28日