，對(duì)于半導(dǎo)體發(fā)光元件10a的性能的影響得到抑制。此外，在這種情況下，在殘留部分41與功能部分30b之間夾裝前述的、不像功能部分30b那樣有助于發(fā)光的功能的中間的部位。
[0061].殘留部分41中的平坦面23a并不局限于直接利用基板20a的背面的情況，例如為了進(jìn)行配光特性的調(diào)整，可以預(yù)先實(shí)施進(jìn)一步提高平滑度的加工?；蛘撸瑸榱艘种拼植诿婊庸r(shí)的覆蓋部件50的剝離，只要比粗糙面部24(24a)平坦，不妨礙作為切斷起點(diǎn)部的槽60的形成即可，可以略微實(shí)施粗糙面化。進(jìn)而，在除去覆蓋部件50后，為了進(jìn)行前述的配光特性的調(diào)整，可以實(shí)施提高平滑度的加工。進(jìn)而，在經(jīng)過分離工序S150后，可以為了提高前述的粘合面的便利性實(shí)施粗糙面化，該粗糙面化的實(shí)施可以不比粗糙面部24(24a)平坦。
[0062].第1半導(dǎo)體層31 (31a)、發(fā)光層33、第2半導(dǎo)體層34在圖3、圖5中全部以單層狀圖示，不過也可以是層疊多個(gè)層而形成的形態(tài)。
[0063].在各電極與各半導(dǎo)體層之間，可以形成透明電極層。
[0064]?在各電極與各半導(dǎo)體層之間，可以附加與各電極大致相同形狀的電流阻止層、反射膜。
[0065].保護(hù)膜36的材料并不局限于Si02。另外，可以使保護(hù)膜36具有反射功能。
[0066].作為使用TMAH水溶液的濕式蝕刻條件，可以將濃度在5%?50%的范圍內(nèi)進(jìn)行任意設(shè)定，將溫度在50°C?100°C的范圍內(nèi)進(jìn)行任意設(shè)定，將浸漬時(shí)間在10分鐘?120分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行任意設(shè)定。另外，在濕式蝕刻后，可以對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片1進(jìn)行用于除去殘?jiān)那逑础?br>[0067].為了能夠更容易地進(jìn)行半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片1的分離，可以從半導(dǎo)體發(fā)光元件層30側(cè)形成槽61、槽62。槽61的開口寬度W3只要在ΙΟμπι?50μπι的范圍內(nèi)即可。槽62的開口寬度W4在5 μπι?30 μπι的范圍內(nèi)，只要比槽61窄即可。槽61與槽62的深度無(wú)特別限定，只要是達(dá)到基板20的深度即可，優(yōu)選槽62比槽61形成得更深。各槽的形成順序無(wú)特別限定，優(yōu)選按照槽60、槽61、槽62的順序形成。另外，各槽中的、橫切槽的方向的剖面形狀也無(wú)特別限定。
[0068].如果形成槽60時(shí)的加工精度較高，則可以設(shè)定為將分離區(qū)域40的寬度W1與槽60的開口寬度W2形成為大致相同的尺寸或者相對(duì)于開口寬度W2將寬度W1形成為略大的尺寸，極力縮小平坦面23a。
[0069].前述的半導(dǎo)體發(fā)光元件10a的制造方法為代表例，只要是可得出相同的結(jié)構(gòu)的制造方法即可，無(wú)特別限定。
[0070]本發(fā)明將倒裝型的半導(dǎo)體發(fā)光元件作為實(shí)施例，對(duì)其結(jié)構(gòu)與制造方法進(jìn)行說明，不過作為可應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件，并不受此限定。
[0071]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0072]1:半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片(實(shí)施例1) ；2:定向平面部；3:分離預(yù)定線；10:半導(dǎo)體發(fā)光元件基體(實(shí)施例1) ;10a:半導(dǎo)體發(fā)光元件(實(shí)施例1) ;11:(半導(dǎo)體發(fā)光元件10a的)元件端部；20:(半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片1中的)基板；20a:(半導(dǎo)體發(fā)光元件10a中的)基板；21:(基板20的)第1面；21a:(基板20a的)第1面；22:(基板20的)第2面；22a:(基板20a的)第2面；23:(基板20的)平坦面；23a:(基板20a的)平坦面；24:(基板20的)粗糙面部；24a:(基板20a的)粗糙面部；30:(半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片1中的)半導(dǎo)體發(fā)光元件層；30a:(半導(dǎo)體發(fā)光元件10a中的)半導(dǎo)體發(fā)光元件層；30b:功能部分；31:(半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片1中的)第1半導(dǎo)體層；31a:(半導(dǎo)體發(fā)光元件10a中的)第1半導(dǎo)體層；31b:(第1半導(dǎo)體層31的)露出面；32:第1電極；33:發(fā)光層；34:第2半導(dǎo)體層；35:第2電極；36:保護(hù)膜；40:分離區(qū)域；41:殘留部分；41a:(殘留部分41的)傾斜面；50:覆蓋部件；60:(作為切斷起點(diǎn)部的)槽；61:槽；62:槽；D1:(槽60的)深度；H1:(凹凸的)高度；S:(與平坦部23相接的)平面；Sa:(與平坦部23a相接的)平面；S100:形成工序；S110:覆蓋工序；S120:粗糙面化工序；S130:除去工序；S140:加工工序；S150:分離工序；T1:(基板20的)厚度；W1:(分離區(qū)域40的)寬度；W2:(槽60的)開口寬度；W3:(槽61的)開口寬度；W4:(槽62的)開口寬度。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片包括: 基板，該基板具有第1面和作為與該第1面相反側(cè)的面的第2面；以及 半導(dǎo)體發(fā)光元件層，該半導(dǎo)體發(fā)光元件層形成于所述第1面， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的特征在于， 在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片形成有多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件基體， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件基體在相鄰的所述半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此的邊界部具有分離區(qū)域， 所述分離區(qū)域以包圍所述半導(dǎo)體發(fā)光元件基體中的功能部分的周圍的方式形成， 在所述第2面中，不與所述分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠譃榇植诿娌?，與所述分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠窒啾炔慌c所述分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠制教梗? 在所述分離區(qū)域形成有切斷起點(diǎn)部。2.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件， 該半導(dǎo)體發(fā)光元件是通過將形成于半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件基體分離而形成的，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片包括:具有第1面和作為與該第1面相反側(cè)的面的第2面的基板；以及形成于所述第1面的半導(dǎo)體發(fā)光元件層， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于， 在相鄰的所述半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此的邊界部，在至少一部分具有所述半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此分離后殘留的殘留部分， 所述殘留部分以包圍所述半導(dǎo)體發(fā)光元件中的功能部分的周圍的方式形成， 在所述第2面中，不與所述殘留部分相當(dāng)?shù)牟糠譃榇植诿娌?，與所述殘留部分相當(dāng)?shù)牟糠窒啾炔慌c所述殘留部分相當(dāng)?shù)牟糠制教埂?.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法具有: 在基板中的第1面形成半導(dǎo)體發(fā)光元件層的工序； 在作為與所述第1面相反側(cè)的面的第2面實(shí)施粗糙面化的工序；以及 將相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此在邊界部的分離區(qū)域分離的工序， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的特征在于， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法具有: 在所述第2面中，對(duì)包圍所述半導(dǎo)體發(fā)光元件基體中的功能部分的周圍的部位、且為與所述分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠謱?shí)施平坦化的平坦化工序； 在所述第2面中，對(duì)所述分離區(qū)域以外的部分實(shí)施粗糙面化的粗糙面化工序；以及 在經(jīng)過所述平坦化工序之后，在所述分離區(qū)域形成切斷起點(diǎn)部的加工工序。
【專利摘要】本發(fā)明提供半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片、半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。即便為了提高半導(dǎo)體發(fā)光元件的光取出效率而在基板的背面?zhèn)炔捎帽容^大的凹凸，仍能容易地檢測(cè)并確定作為形成用于從半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片的狀態(tài)向一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件分離的切斷起點(diǎn)部的位置的分離區(qū)域。半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片由具有第1面和作為與其相反側(cè)的面的第2面的基板、形成于該第1面的半導(dǎo)體發(fā)光元件層構(gòu)成。在半導(dǎo)體發(fā)光元件晶片形成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件基體，該半導(dǎo)體發(fā)光元件基體在相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光元件基體彼此的邊界部具有分離區(qū)域。在基板的第2面中，不與分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠譃榇植诿娌?，與分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠窒啾炔慌c分離區(qū)域相當(dāng)?shù)牟糠制教梗⑿纬汕袛嗥瘘c(diǎn)部。
【IPC分類】H01L33/22, H01L33/00
【公開號(hào)】CN105390579
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510523200
【發(fā)明人】牧野浩明
【申請(qǐng)人】豐田合成株式會(huì)社
【公開日】2016年3月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月24日