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      有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法

      文檔序號(hào):9632741閱讀:688來(lái)源:國(guó)知局
      有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 提供了有機(jī)發(fā)光二極管W及包含該有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 輕質(zhì)且薄的個(gè)人電腦和電視機(jī)設(shè)備可能需要輕質(zhì)且薄的顯示裝置,并且滿足此類 需求的平板顯示器可W替代陰極射線管(CRT)。液晶顯示器化CD)是無(wú)源顯示裝置,需要額 外的背光作為光源,并且LCD可W表現(xiàn)出慢的響應(yīng)時(shí)間和窄的視角。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003] 實(shí)施方案可W通過提供有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)實(shí)現(xiàn),所述有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電 極;朝向所述第一電極的第二電極,所述第二電極包含儀;在所述第一電極與所述第二電 極之間的發(fā)射層;W及在所述第二電極與所述發(fā)射層之間的電子注入層,所述電子注入層 包含含有具有不同極性的第一組分和第二組分的偶極材料,所述偶極材料包含面化物,并 且在所述第二電極中包含的儀的含量為10體積%至40體積%。
      [0004] 所述第二電極可W包含銀(Ag)-儀(Mg),并且所述第二電極的厚度可W為50在 至 150 A。 陽(yáng)〇化]所述第一組分可W包含堿金屬、堿±金屬、稀±金屬和過渡金屬中的一種或多種。
      [0006] 所述偶極材料可W包含Lil、化I、KI、化I、CsI和化I中的一種或多種。
      [0007] 所述電子注入層還可W包含功函為4. OeV或小于4. OeV的金屬,并且所述金屬可 W包括 Li、化、K、化、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、La、Nd、Tb、Lu、Mg、孔和其合金中的一 種或多種。
      [0008] 所述電子注入層可W包含含有艦元素(I)的偶極材料和鏡燈b)。
      [0009] 所述電子注入層可W通過共沉積包含Lil、化I、KI、化I、CsI、化I之一的偶極材料 和鏡燈b)而形成。
      [0010] 所述電子注入層還可W包含相對(duì)介電常數(shù)為10或大于10的氧化物,并且所述電 子注入層可W通過共沉積所述偶極材料、所述功函為4. OeV或小于4. OeV的金屬,和所述相 對(duì)介電常數(shù)為10或大于10的氧化物中的兩種或兩種W上而形成。
      [0011] 所述有機(jī)發(fā)光二極管還可W包括在所述發(fā)射層與所述電子注入層之間的電子傳 輸層,W及在所述發(fā)射層與所述第一電極之間的空穴傳輸層。所述空穴傳輸層和所述電子 傳輸層各自可W包含有機(jī)材料。
      [0012] 所述發(fā)射層可W包括紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層,并且所述發(fā)射層還 可W包括在所述藍(lán)色發(fā)射層的下端的輔助層。
      [0013] 所述有機(jī)發(fā)光二極管還可W包括在所述紅色發(fā)射層的下端的紅色共振輔助層,W 及在所述綠色發(fā)射層的下端的綠色共振輔助層。
      [0014] 所述輔助層可W包含由化學(xué)式1表示的化合物:
      [0015]
      [0016] 其中"ArV'A2"和"A3"各自為H、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、二苯并巧喃 基伽巧或聯(lián)苯基,并且"a"、"b"和"C"各自為0至4的整數(shù)。
      [0017] 所述輔助層可W包含由化學(xué)式2表示的化合物:
      [0018]
      [0019] 其中"a"、"b "和"C "各自為0至3的整數(shù)X"選自0、N和S,并且對(duì)X所選擇的 元素彼此相同或不同。
      [0020] 實(shí)施方案可W通過提供有機(jī)發(fā)光二極管而實(shí)現(xiàn),所述有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電 極;朝向所述第一電極的第二電極;在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)射層;在所 述第一電極與所述第二電極之間的空穴傳輸區(qū);W及在所述第二電極與所述發(fā)射層之間的 電子注入層,所述電子注入層包含含有具有不同極性的第一組分和第二組分的偶極材料, 并且所述空穴傳輸區(qū)包括包含電荷產(chǎn)生材料的滲雜層。
      [0021] 所述滲雜層可W與所述第一電極與所述空穴傳輸區(qū)之間的界面相鄰。
      [0022] 所述電荷產(chǎn)生材料可W包含P-滲雜劑。
      [0023] 所述P-滲雜劑可W包括苯釀衍生物、金屬氧化物和含氯基的化合物中的一種或 多種。
      [0024] 所述空穴傳輸區(qū)可W包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一種,并且所述滲雜 層中包含的P-滲雜劑的含量可W為4體積%或小于4體積%。
      [00巧]所述偶極材料可W包含面化物,并且所述第二電極可W包含銀-儀。 陽(yáng)0%] 在所述第二電極中包含的儀的含量可W為10體積%至40體積%。
      [0027] 所述偶極材料可W包含Lil、化I、KI、化I、CsI和化I中的一種或多種。
      [0028] 所述電子注入層還可W包含功函為4. OeV或小于4. OeV的金屬,并且所述金屬可 W包括 Li、化、K、化、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、La、Nd、Tb、Lu、Mg、孔和其合金中的一 種或多種。
      [0029] 所述電子注入層可W包含含有艦元素(I)的偶極材料和鏡燈b)。
      [0030] 所述電子注入層可W通過共沉積包含Lil、化I、KI、化I、CsI、化I之一的偶極材料 和鏡燈b)而形成。
      【附圖說(shuō)明】
      [0031] 參考附圖,通過詳細(xì)描述示例性實(shí)施方案,特征對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言會(huì)變得 顯而易見,其中:
      [0032] 圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的橫截面視圖;
      [0033] 圖2示出圖1中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的放大的橫截面視圖;
      [0034] 圖3示出圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的變型的橫截面視圖;
      [0035] 圖4至圖6示出在圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管中的每一紅色像素、綠色像素和 藍(lán)色像素中的電壓-電流密度的圖;
      [0036] 圖7示出圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的變型的橫截面視圖;
      [0037] 圖8示出圖7中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的變型的橫截面視圖;
      [0038] 圖9示出圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的變型的橫截面視圖。
      [0039] 圖10示出圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的變型的橫截面視圖;W及
      [0040] 圖11示出圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的變型的橫截面視圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0041] 現(xiàn)在將參考附圖在下文中更全面地描述示例實(shí)施方案;然而,它們可W W不同的 形式實(shí)施,并且不應(yīng)解釋為局限于本文所述的實(shí)施方案。相反,提供運(yùn)些實(shí)施方案,W使得 本公開將全面和完整,并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整地表達(dá)示例性實(shí)施。
      [0042] 在附圖中,為了清楚,可W放大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度和尺寸。應(yīng)理解,當(dāng)層被 稱為在另一層或襯底"上"時(shí),其可直接在另一層或襯底上,或還可W存在中介層。此外,應(yīng) 理解,當(dāng)層被稱為在另一層"之下"時(shí),其可W直接處于之下,或還可W存在一個(gè)或多個(gè)中介 層。此外,還應(yīng)理解,當(dāng)層被稱為在兩個(gè)層"之間"時(shí),其可W為所述兩個(gè)層之間的唯一的層, 或還可W存在一個(gè)或多個(gè)中介層。在整個(gè)說(shuō)明書中相同的參考數(shù)字指代相同的元件。
      [0043] 本文中,烷基可W是指由直鏈或支鏈的Ci-Cw飽和控衍生的單價(jià)取代基。在某些 實(shí)施方案中,烷基可W是Ci-Cw烷基。在某些實(shí)施方案中,烷基可W是C i-Ci。烷基。在某些 實(shí)施方案中,烷基可W是Ci-Ce烷基。烷基的非限制性實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異下基、仲 了基、戊基、異戊基、己基等。
      [0044] 本文中,芳基可W是指由具有至少一個(gè)環(huán)的Ce-Cw芳香族不飽和控衍生的單價(jià)取 代基。當(dāng)芳基包含兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)時(shí),所述環(huán)可W經(jīng)由單鍵彼此連接或可W彼此稠合。在 某些實(shí)施方案中,芳基可W是Ce-Cw芳基。在某些實(shí)施方案中,芳基可W是Ce-Cis芳基。在 某些實(shí)施方案中,芳基可W是Ce-Ci。芳基。芳基的非限制性實(shí)例包括苯基、糞基、菲基和蔥 基。
      [0045] 圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的橫截面視圖。圖2示出圖1 中所示的有機(jī)發(fā)光二極管的放大的橫截面視圖。
      [0046] 參考圖1和圖2,根據(jù)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可W包括襯底123、驅(qū) 動(dòng)薄膜晶體管130、第一電極160、發(fā)光元件層170和第二電極180。第一電極160和第二電 極180可W分別為陽(yáng)極和陰極,或反之亦然。
      [0047] 襯底123可W由例如無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料、或娃片制成,所述無(wú)機(jī)材料例如玻璃, 所述有機(jī)材料例如聚碳酸醋(PC)、聚甲基丙締酸甲醋(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋 (PET)、聚酷胺(PA)、聚酸諷(PE巧或其組合。
      [0048] 襯底緩沖層126可W在襯底123上形成。襯底緩沖層126可W防止雜質(zhì)的滲透并 使表面平整化。
      [0049] 襯底緩沖層126可W由能夠執(zhí)行所述功能的各種材料制成。例如,娃氮化物 (Si化)層、娃氧化物(SiOx)層和娃氮氧化物(SiOxNy)層中的一種可W用作襯底緩沖層 126。在實(shí)施方案中,根據(jù)襯底123的類型和加工條件可W省略襯底緩沖層126。
      [0050] 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137可W在襯
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