的活性區(qū)域110、和包圍活性區(qū)域110的終端區(qū)域120。在終端區(qū)域120的半導(dǎo)體層1上形成未圖示的絕緣性的表面保護(hù)膜。進(jìn)而，在終端區(qū)域120的半導(dǎo)體層1的表層形成多個(gè)隔開的ρ型的FLR2。FLR2的配置間隔朝向肖特基二極管100的外側(cè)變大，所以終端區(qū)域120中的電場(chǎng)集中被有效地緩和，耐壓提尚。
[0042]在終端區(qū)域120中按照包圍活性區(qū)域110的環(huán)狀形成FLR2。但是，在終端區(qū)域120的內(nèi)側(cè)形成的FLR2并非是完全連續(xù)的環(huán)狀，具備一個(gè)以上的隔開區(qū)域5。通過隔開區(qū)域5，環(huán)狀的FLR2的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)在俯視時(shí)連通。隔開區(qū)域5的隔開寬度在FLR2的內(nèi)周側(cè)較窄且在外周側(cè)較寬地形成。另外，隔開區(qū)域5無(wú)需形成于所有FLR2，但形成于在終端區(qū)域120的內(nèi)側(cè)按照窄的間隔配置的FLR2。
[0043]〈B-2.抗蝕劑 >
[0044]圖2示出用于形成圖1所示的肖特基二極管100的FLR2的抗蝕劑4。圖2 (a)是在半導(dǎo)體層1上形成了抗蝕劑4的狀態(tài)的俯視圖，圖2(b)是其剖面圖。FLR2是通過將抗蝕劑4作為注入掩模而注入A1等受主型的離子來(lái)形成的?？刮g劑4包括覆蓋半導(dǎo)體層1的活性區(qū)域110的部分、覆蓋比終端區(qū)域120更靠近外側(cè)的部分、以及為了形成FLR2而在終端區(qū)域120上形成的部分。在終端區(qū)域120上形成的抗蝕劑4與應(yīng)形成的FLR2的隔開區(qū)域5對(duì)應(yīng)地具有橋6，通過橋6結(jié)合相鄰的環(huán)狀的抗蝕劑4。
[0045]橋6被形成為其寬度在內(nèi)側(cè)較細(xì)且在外側(cè)變寬。在終端區(qū)域120的內(nèi)側(cè)形成的線寬細(xì)的抗蝕劑4通過橋6而與相鄰的抗蝕劑4結(jié)合，從而抗蝕劑垮塌被抑制。
[0046]橋6的寬度越寬，則以不使抗蝕劑4垮塌的方式支撐的力越強(qiáng)。因此，作為比較例，考慮使橋6的寬度在內(nèi)側(cè)和外側(cè)相等的抗蝕劑。圖3示出用比較例的抗蝕劑形成的FLR21的隔開區(qū)域50，圖5(a)示出其電位分布仿真結(jié)果。另外，在圖5(a)中，隔開區(qū)域50的寬度是4μπι。根據(jù)圖5(a)可知，在具有均勻?qū)挾鹊母糸_區(qū)域50的FLR2中，在圖3所示的電場(chǎng)集中點(diǎn)7、8處電場(chǎng)急劇變大。
[0047]另一方面，通過實(shí)施方式1的抗蝕劑4形成的FLR2的隔開區(qū)域5如圖4所示從FLR2的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)增大。圖5(b)示出FLR2的電位分布仿真結(jié)果。例如，隔開區(qū)域5的寬度在最小的FLR2的內(nèi)周側(cè)設(shè)為1 μπι，在最寬的FLR2的外周側(cè)設(shè)為4 μ m。根據(jù)圖5(b)可知，在實(shí)施方式1的FLR2中，電場(chǎng)集中點(diǎn)7、8處的電場(chǎng)集中與比較例相比變緩和。
[0048]如以上所述，通過使實(shí)施方式1的抗蝕劑4的橋6在內(nèi)側(cè)較窄且在外側(cè)較寬，換言之通過使FLR2的隔開區(qū)域5在FLR2的內(nèi)周側(cè)較窄且在外周側(cè)較寬地形成，能夠抑制向電場(chǎng)集中點(diǎn)7,8的電場(chǎng)集中來(lái)實(shí)現(xiàn)高耐壓，并且抑制抗蝕劑垮塌。
[0049]如圖1所示，在彼此相鄰的FLR2的各個(gè)中形成隔開區(qū)域5的情況下，期望FLR2延伸的方向上的隔開區(qū)域5的位置在兩者中不重疊。位置重疊是指，在通過外側(cè)的FLR2的隔開區(qū)域5形成的電場(chǎng)集中點(diǎn)7處還設(shè)置隔開區(qū)域5。在該情況下，在內(nèi)側(cè)的FLR2中未分擔(dān)電位，所以在更內(nèi)側(cè)的FLR2的電場(chǎng)集中點(diǎn)7處引起進(jìn)一步的電場(chǎng)集中，得不到具有期望的耐壓的半導(dǎo)體器件。通過如圖1那樣在彼此相鄰的FLR2中錯(cuò)開地形成隔開區(qū)域5，能夠防止過剩的電場(chǎng)集中，得到高耐壓的半導(dǎo)體器件。
[0050]另外，如圖1、2所示，在FLR2的間隔充分寬的終端區(qū)域120的外周附近，抗蝕劑4的線寬也充分變大，抗蝕劑垮塌的可能性變低。在這樣的情況下，也可以在FLR2的間隔窄的終端區(qū)域120的內(nèi)側(cè)設(shè)置隔開區(qū)域5，在FLR2的間隔寬的終端區(qū)域120的外側(cè)省略隔開區(qū)域5。
[0051]<B-3.變形例 >
[0052]在圖4中，作為在FLR2的內(nèi)周側(cè)較窄且在外周側(cè)較寬地形成的隔開區(qū)域5的一個(gè)例子，示出了從FLR2的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，隔開區(qū)域5的寬度以固定比例增加的形狀。但是，如圖6所示，隔開區(qū)域5也可以設(shè)為如下形狀:在FLR2的內(nèi)周側(cè)保持了固定寬度之后，寬度以固定比例向外周側(cè)增加。根據(jù)這樣的形狀，相比于圖4所示的隔開區(qū)域5，能夠在FLR2的夕卜周側(cè)成為相同的寬度的大小，在FLR2的內(nèi)周側(cè)附近進(jìn)一步減小寬度。因此，防止抗蝕劑垮塌，并且抑制隔開區(qū)域5的寬度最窄的FLR2的內(nèi)周側(cè)附近的急劇的電位梯度，抑制向電場(chǎng)集中點(diǎn)7的電場(chǎng)集中，能夠得到高耐壓的半導(dǎo)體器件。
[0053]另外，也可以如圖7所示，設(shè)置隔開區(qū)域5的寬度成為固定的多個(gè)區(qū)域，從FLR2的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)階梯狀地增大隔開區(qū)域5的寬度。根據(jù)這樣的形狀，相比于圖4所示的隔開區(qū)域5，能夠在FLR2的外周側(cè)成為相同的寬度的大小，在FLR2的內(nèi)周側(cè)附近進(jìn)一步減小寬度。因此，防止抗蝕劑垮塌，并且抑制隔開區(qū)域5的寬度最窄的FLR2的內(nèi)周側(cè)附近的急劇的電位梯度，進(jìn)一步抑制向電場(chǎng)集中點(diǎn)7的電場(chǎng)集中，能夠得到高耐壓的半導(dǎo)體器件。另夕卜，在圖7中，示出為隔開區(qū)域5的寬度成為固定的各區(qū)域的長(zhǎng)度(圖7中的左右方向)相同、階梯狀的變化量在各階梯中成為等量，但它們能夠適當(dāng)變更。
[0054]另外，也可以如圖8所示，以使隔開區(qū)域5的寬度的增加量從FLR2的內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)連續(xù)地變大的方式使橋6彎曲而形成FLR2。根據(jù)這樣的形狀，相比于圖4所示的隔開區(qū)域5，能夠在FLR2的外周側(cè)成為相同的寬度的大小，在FLR2的內(nèi)周側(cè)附近進(jìn)一步減小寬度。因此，防止抗蝕劑垮塌，并且抑制隔開區(qū)域5的FLR2內(nèi)周側(cè)附近的急劇的電位梯度，能夠進(jìn)一步抑制向電場(chǎng)集中點(diǎn)7的電場(chǎng)集中。另外，隔開區(qū)域5的FLR2外周側(cè)端部的角度變大，所以電場(chǎng)集中點(diǎn)8處的等電位線的曲率比圖4、6、7的情況下小，能夠進(jìn)一步抑制電場(chǎng)集中點(diǎn)8處的電場(chǎng)集中。
[0055]〈B-4.效果 >
[0056]實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件具備形成于第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層1(由寬能帶隙半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體基板)的半導(dǎo)體元件、和在俯視時(shí)包圍半導(dǎo)體元件而形成于半導(dǎo)體層1的第2導(dǎo)電類型的多個(gè)FLR2 (環(huán)狀區(qū)域)，多個(gè)FLR2中的至少一個(gè)具備使該FLR2的內(nèi)側(cè)和外側(cè)在俯視時(shí)連通的一個(gè)以上的隔開區(qū)域5。形成FLR2的抗蝕劑4通過與隔開區(qū)域5對(duì)應(yīng)的橋而被結(jié)合，所以即使在抗蝕劑4的線寬變細(xì)的情況下也能夠抑制制造時(shí)的抗蝕劑垮塌。因此，在終端區(qū)域120的內(nèi)側(cè)能夠使FLR2的配置間隔變窄，能夠有效地緩和終端區(qū)域中的電場(chǎng)集中。
[0057]另外，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件中，在彼此相鄰的FLR2的各個(gè)中形成隔開區(qū)域5的情況下，F(xiàn)LR2的延伸方向上的隔開區(qū)域5的位置在兩者中不重疊。由此，能夠防止過剩的電場(chǎng)集中，得到高耐壓的半導(dǎo)體器件。
[0058]另外，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件中，通過從FLR2的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)增大隔開區(qū)域5的寬度，能夠緩和電場(chǎng)集中點(diǎn)7、8處的電場(chǎng)集中。
[0059]另外，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件中，隔開區(qū)域5也可以在FLR2的內(nèi)周側(cè)具有固定寬度的區(qū)域。由此，能夠減小FLR2的內(nèi)周側(cè)的隔開區(qū)域5的寬度，所以防止抗蝕劑垮塌，并且能夠抑制隔開區(qū)域5的寬度最窄的FLR2的內(nèi)周側(cè)附近的急劇的電位梯度，抑制向電場(chǎng)集中點(diǎn)7的電場(chǎng)集中，得到高耐壓的半導(dǎo)體器件。
[0060]另外，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件中，也可以從FLR2的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)階梯狀地增大隔開區(qū)域5的寬度。由此，能夠減小FLR2的內(nèi)周側(cè)的隔開區(qū)域5的寬度，所以防止抗蝕劑垮塌，并且能夠抑制隔開區(qū)域5的寬度最窄的FLR2的內(nèi)周側(cè)附近的急劇的電位梯度，進(jìn)一步抑制向電場(chǎng)集中點(diǎn)7的電場(chǎng)集中，得到高耐壓的半導(dǎo)體器件。
[0061]另外，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件中，也可以從FLR2的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)連續(xù)地增大隔開區(qū)域5的寬度的增加量。由此，能夠減小FLR2的內(nèi)周側(cè)的隔開區(qū)域5的寬度，所以防止抗蝕劑垮塌，并且能夠抑制隔開區(qū)域5的FLR2內(nèi)周側(cè)附近的急劇的電位梯度，進(jìn)一步抑制向電場(chǎng)集中點(diǎn)7的電場(chǎng)集中。另外，隔開區(qū)域5的FLR2外周側(cè)端部的角度變大，所以電場(chǎng)集中點(diǎn)8處的等電位線的曲率變小，能夠進(jìn)一步抑制電場(chǎng)集中點(diǎn)8處的電場(chǎng)集中。
[0062]另外，為了提高半導(dǎo)體器件的耐壓，需要特別使內(nèi)周側(cè)的FLR2的配置間隔變窄，但在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體器件中在半導(dǎo)體基板1中使用碳化硅半導(dǎo)體基板的情況下，在碳化硅中雜質(zhì)擴(kuò)散少，所以為了使FLR2的配置間隔變窄，需要使抗蝕劑4的線寬變窄。通常，如果使抗蝕劑4的線寬變窄，則有時(shí)由于抗蝕劑垮塌而得不到期望的耐壓。但是，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，即使在使抗蝕劑4的線寬變窄的情況下也能夠抑制形成FLR2時(shí)的抗蝕劑垮塌，所以能夠在有效地緩和終端區(qū)域120中的電場(chǎng)集中的同時(shí)得到更高耐壓的半導(dǎo)體器件。
[0063]另外，在半導(dǎo)體器件的四角的角部等具有曲率的區(qū)域中不易引起抗蝕劑垮塌，主要在直線部中引起。因此，也可以僅在抗蝕劑4的直線部中設(shè)置橋6，僅在FLR2的直線部中配置隔開區(qū)域5。
[0064]另外，形成FLR2時(shí)的雜質(zhì)濃度對(duì)終端區(qū)域的耐壓造成大的影響。在雜質(zhì)濃度小的情況下，由于固定電荷等干擾因素而電位分布變得不穩(wěn)定，耐壓容易降低。在雜質(zhì)濃度大的情況下，電位分布穩(wěn)定，但在靠近外側(cè)的環(huán)中電場(chǎng)集中變大而