試樣 是不滿足本發(fā)明的條件的試樣。
[0071] 如表1所示，對(duì)于外部電極主體13a中含有Sn的試樣編號(hào)1的試樣和含有Bi的 試樣編號(hào)2的試樣而言，未發(fā)現(xiàn)IR劣化的產(chǎn)生。另外，對(duì)于外部電極主體13a中含有Ag的 試樣編號(hào)3的試樣而言，IR劣化的產(chǎn)生少。 陽(yáng)072] 與此相對(duì)，對(duì)于外部電極主體13a中含有Pd的試樣編號(hào)4的試樣、特別是未添加 金屬的試樣編號(hào)5的試樣而言，大量地發(fā)現(xiàn)了 IR劣化的產(chǎn)生。
[0073] 如上所述，本實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器1由于使外部電極主體13a中含有氨保 持元素，因此能夠利用構(gòu)成導(dǎo)電路徑體15的一部分的外部電極主體13a吸收并保持鍛敷工 序中所產(chǎn)生的氨。其結(jié)果是能夠抑制氨向電介質(zhì)層10的擴(kuò)散，從而防止絕緣電阻（IR)的 劣化。
[0074] 需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，在構(gòu)成為Sn等氨保持元素存在于內(nèi)部電極12的內(nèi)部 的情況下也能夠得到良好的結(jié)果。另外，存在有Bi、Al代替上述Sn的情況下也能夠得到良 好的結(jié)果。
[00巧]另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選通常作為氨保持元素的Sn、Bi、Al的至少一種大量偏析于 內(nèi)部電極12與外部電極主體13a的接合部。
[0076] 在此，對(duì)于上述內(nèi)部電極12與外部電極主體13a的接合部，參考圖2進(jìn)行說(shuō)明。內(nèi) 部電極12與外部電極主體13a的接合部是指，在陶瓷基體11的端面Ila露出的內(nèi)部電極 12的端面12a與在陶瓷基體11的端面Ila處形成的外部電極主體13a相接觸的區(qū)域R中 的、一側(cè)端部（圖2中為上端部）Rl與另一側(cè)端部（圖2中為下端部）R2的中間點(diǎn)R0。 陽(yáng)077]旨P，上述"Sn、Bi、Al的至少一種大量偏析于內(nèi)部電極12與外部電極主體13a的接 合部"是指Sn、Bi、Al的至少一種大量偏析于圖2的RO所表示的位置（接合部）。
[0078] 需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中，對(duì)外部電極主體13a為一層結(jié)構(gòu)的情況進(jìn)行了 說(shuō)明，但也可W使外部電極主體13a構(gòu)成為：形成多層結(jié)構(gòu)，使其中規(guī)定的一層或者多層中 含有氨保持元素。
[0079][實(shí)施方式引
[0080] 一邊參考圖4, 一邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2所設(shè)及的層疊陶瓷電容器IA進(jìn)行說(shuō)明。 在該層疊陶瓷電容器IA中，如圖4所示，在外部電極主體13a與內(nèi)部電極12的界面處形成 有氨保持膜13e。需要說(shuō)明的是，對(duì)于與實(shí)施方式1的層疊陶瓷電容器1共通的構(gòu)成，在對(duì) 實(shí)施方式2的層疊陶瓷電容器IA進(jìn)行說(shuō)明的圖中標(biāo)記相同符號(hào)，不對(duì)其進(jìn)行重復(fù)說(shuō)明。W 下的其他實(shí)施方式3~5的情況也相同。
[0081] 層疊陶瓷電容器IA在外部電極主體13a與內(nèi)部電極12的界面處具備氨保持膜 13e，該氨保持膜13e含有與氨形成共價(jià)型氨化物的元素（其中，不包括生成沸點(diǎn)低于125°C 的氨化物的元素）W及與氨形成邊界區(qū)域的氨化物的元素中的至少一種。該氨保持膜13e W覆蓋在端面Ila露出的內(nèi)部電極的引出部12a的方式連續(xù)地形成于陶瓷基體11的端面 11a。但是，氨保持膜13e也可W不連續(xù)，還可W部分地存在、或者W網(wǎng)眼狀、線狀等方式存 在。
[0082] 氨保持膜13e通過(guò)將處于金屬狀態(tài)的氨保持元素（氨保持金屬）瓣射來(lái)形成，W 金屬膜的狀態(tài)形成于陶瓷基體11的端面11a。需要說(shuō)明的是，氨保持膜13e還可W通過(guò)蒸 鍛、鍛敷等來(lái)形成。 陽(yáng)〇8引 < 評(píng)價(jià)試驗(yàn)>
[0084] 為了確認(rèn)本實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器IA的意義，制作出具備通過(guò)將不同種類 的金屬（Sn、Bi、Al、Ag、Zn、Pd、U)瓣射而形成的膜的試樣、即表2的試樣編號(hào)6~12的試 樣。另外，特別地制作出沒(méi)有進(jìn)行瓣射而未形成氨保持膜的試樣編號(hào)13的試樣。氨保持膜 13e的膜厚設(shè)定為lym。
[0085] 需要說(shuō)明的是，將外部電極主體13a的厚度設(shè)定為15 Jim(端面中央部）。用于形 成外部電極主體13a的導(dǎo)電糊劑的規(guī)格設(shè)定為：固體成分含量為25體積％、固體成分中的 玻璃的比率為25體積％。
[0086] 并且，對(duì)如此制作出的表2的試樣編號(hào)6~13的試樣按照與上述實(shí)施方式1中進(jìn) 行的PCBT試驗(yàn)相同的條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0087] 將其結(jié)果示于表2中。
[0088][表2]
[0089]
[0090] 試樣編號(hào)帶有*的試樣是本發(fā)明的范圍外的試樣。
[0091] 表2中，試樣編號(hào)6~10的試樣是滿足本發(fā)明的條件的試樣，試樣編號(hào)11~13 的試樣是不滿足本發(fā)明的條件的試樣。
[0092] 如表2所示，對(duì)于設(shè)置有Sn膜作為氨保持膜13e的試樣編號(hào)6的試樣、設(shè)置有Bi 膜作為氨保持膜13e的試樣編號(hào)7的試樣W及設(shè)置有Al膜作為氨保持膜13e的試樣編號(hào) 8的試樣而言，未發(fā)現(xiàn)IR劣化的產(chǎn)生。另外，對(duì)于設(shè)置有Ag膜的試樣編號(hào)9的試樣W及設(shè) 置有化膜的試樣編號(hào)10的試樣而言，IR劣化的產(chǎn)生少。 陽(yáng)093] 與此相對(duì)，對(duì)于通過(guò)瓣射形成有Pd膜的試樣編號(hào)11的試樣、形成有Ti膜的試樣 編號(hào)12的試樣而言，大量地發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生IR劣化。特別是對(duì)于未進(jìn)行瓣射的試樣編號(hào)13的試 樣而言，大量地發(fā)現(xiàn)IR劣化。
[0094] 根據(jù)上述結(jié)果，在外部電極主體13a與內(nèi)部電極12的界面設(shè)置有氨保持膜13e的 情況下，鍛敷工序中所產(chǎn)生的氨被氨保持膜13e吸收，因此能夠抑制、防止氨經(jīng)由內(nèi)部電極 12擴(kuò)散至電介質(zhì)層10。
[0095] 在本實(shí)施方式2中，對(duì)W覆蓋所有的內(nèi)部電極的引出部12a的方式在陶瓷基體11 的端面Ila處連續(xù)地形成有氨保持膜13e的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但在端面Ila處部分地 存在、或者W網(wǎng)眼狀、線狀等方式存在的情況下，也能夠得到具有意義的效果。
[0096] [實(shí)施方式引
[0097] 圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所設(shè)及的層疊陶瓷電容器IB的圖。在該層疊陶 瓷電容器IB中，氨保持膜13f形成于外部電極主體13a的內(nèi)部。具體而言，外部電極主體 13a按照W Ni作為主要成分的外部電極主體13al和W化作為主要成分的外部電極主體 13曰2運(yùn)樣兩層的方式構(gòu)成，在該兩層的界面處形成有氨保持膜13f，該氨保持膜13f是具有 導(dǎo)電性的幾乎連續(xù)的膜。
[0098] 氨保持膜13f如下形成：在用于形成第2層的外部電極主體13a2的導(dǎo)電糊劑中配 合氨保持金屬，將該導(dǎo)電糊劑涂布于第1層的外部電極主體13al之后，將兩層外部電極主 體13al、13a2同時(shí)燒成。
[0099] 在導(dǎo)電糊劑中添加的氨保持金屬的比例優(yōu)選設(shè)定為I~40體積％的范圍。 陽(yáng)100] <評(píng)價(jià)試驗(yàn)> 陽(yáng)101] 為了確認(rèn)本實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器IB的意義，使用在W化粉末作為導(dǎo)電成 分的導(dǎo)電糊劑中添加表3所示的不同種類的金屬粉末（Sn、Bi、AgJn、Pd)而成的導(dǎo)電糊劑 化及未添加金屬粉末的導(dǎo)電糊劑，制作出表3的試樣編號(hào)14~19的試樣。 陽(yáng)102] 需要說(shuō)明的是，金屬粉末在用于形成第2層的外部電極主體13a2的導(dǎo)電糊劑中的 添加量W導(dǎo)電糊劑中的固體成分比計(jì)設(shè)定為5體積％的比例。其他規(guī)格與實(shí)施方式1相同。陽(yáng)103] 另一方面，用于形成第1層的外部電極主體13al的導(dǎo)電糊劑的規(guī)格如下所述。
[0104] 固體成分含量：15體積％ 陽(yáng)1化]固體成分中的共通材料（日語(yǔ)：共材）的比率：40體積％ 陽(yáng)106] 固體成分中的玻璃的比率：25體積％ 陽(yáng)107] Ni粉末的粒徑：0. 5ym
[0108] 共通材料的粒徑：IOOnm~500nm 陽(yáng)109] 并且，對(duì)如此制作出的表3的試樣編號(hào)14~19的試樣，按照與上述的實(shí)施方式1 中進(jìn)行的PCBT試驗(yàn)相同條件進(jìn)行試驗(yàn)。
[0110] 將其結(jié)果示于表3中。 陽(yáng) 111][表 3]
[0113] 試樣編號(hào)帶有*的試樣是本發(fā)明的范圍外的試樣。
[0114] 表3中，試樣編號(hào)14~17的試樣是滿足本發(fā)明的條件的試樣，試樣編號(hào)18、19的 試樣是不滿足本發(fā)明的條件的試樣。
[0115] 如表3所示，對(duì)于在第2層的外部電極主體13a2中配合有Sn的試樣編號(hào)14的試 樣、W及在第2層的外部電極主體13a2中配合有Bi的試樣編號(hào)15的試樣而言，未發(fā)現(xiàn)IR 劣化的產(chǎn)生。另外，對(duì)于配合有Ag的試樣編號(hào)16的試樣、W及配合有化的試樣編號(hào)17的 試樣而言，IR劣化的產(chǎn)生少。
[0116] 與此相對(duì)，對(duì)于在第2層的外部電極主體13a2中配合有Pd的試樣編號(hào)18的試樣 而言，IR劣化大量產(chǎn)生。特別是對(duì)于未添加金屬粉末的試樣編號(hào)19的試樣而言，IR劣化的 產(chǎn)生多。