夠減小對(duì)激光 二極管忍片載體600的熱負(fù)載，本例完全能夠?qū)崿F(xiàn)運(yùn)一要求，因?yàn)楸纠龃笤撎鴫|載體300 本身W及跳墊載體300與外部熱傳遞之間的熱阻，進(jìn)而降低跳墊載體300的溫度，所述跳墊 載體300與封裝外殼100的熱傳遞有W下兩個(gè)鏈路。
[0029] 第一熱傳遞鏈路中，激光二極管忍片601在工作時(shí)產(chǎn)生熱量，熱量通過導(dǎo)熱忍片 載體602傳遞到半導(dǎo)體致冷器500,半導(dǎo)體致冷器500的熱量通過跳墊載體支柱構(gòu)件200傳 遞到跳墊載體300上，所述跳墊載體300通過第二導(dǎo)電金屬線700傳遞熱量至激光二極管 忍片載體600上；第二熱傳遞鏈路中，環(huán)境溫度的熱量通過第一導(dǎo)電金屬線400傳遞到跳墊 載體300上，所述跳墊載體300通過第二導(dǎo)電金屬線700傳遞熱量至激光二極管忍片載體 600。
[0030] 跳墊載體300、第一跳墊載體支柱201和第二跳墊載體支柱202之間的組裝位置示 意圖如圖3所示，第一跳墊載體支柱201和第二跳墊載體支柱202選用低導(dǎo)熱系數(shù)材料，比 如二氧化娃或=氧化二侶，跳墊載體支柱構(gòu)件200與半導(dǎo)體致冷器熱端502都貼裝在封裝 外殼底部106,且低導(dǎo)熱系數(shù)的第一跳墊載體支柱201和第二跳墊載體支柱202在保證粘接 強(qiáng)度的前提下，盡量增加高度，減小粘接面積等W增大激光二極管忍片載體600與封裝外 殼底部106的熱阻，即增大第一熱傳遞鏈路的熱阻。跳墊載體300在保證阻抗匹配、與焊接 材料的熱膨脹系數(shù)匹配、漏電和高頻損耗等前提下，盡量選用導(dǎo)熱系數(shù)較低的材料，能夠同 時(shí)增大第一熱傳遞鏈路和第二熱傳遞鏈路的熱阻。
[0031] 為了驗(yàn)證本發(fā)明，將跳墊載體300、第一跳墊載體支柱201和第二跳墊載體支柱 202更換不同的材料，在激光二極管忍片601工作溫度35°C和光發(fā)射組件環(huán)境溫度為90°C 時(shí)，經(jīng)過實(shí)驗(yàn)獲得半導(dǎo)體致冷器500的功率值，得到的數(shù)據(jù)如下表所示，實(shí)驗(yàn)證明，本發(fā)明 能夠滿足商業(yè)級(jí)和工業(yè)級(jí)的需求，因此，本例所述第一跳墊載體支柱201和第二跳墊載體 支柱202選用低導(dǎo)熱系數(shù)材料，比如二氧化娃或=氧化二侶。
[0033] 實(shí)施例2 :
[0034] 本例還提供一種降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的方法，采用了如實(shí)施例1所述的 降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，并包括W下兩種熱傳遞鏈路：
[0035] 第一熱傳遞鏈路，激光二極管忍片601在工作時(shí)產(chǎn)生熱量，熱量通過導(dǎo)熱忍片載 體602傳遞到半導(dǎo)體致冷器500,半導(dǎo)體致冷器500將熱量通過跳墊載體支柱構(gòu)件200傳遞 到跳墊載體300上，所述跳墊載體300通過第二導(dǎo)電金屬線700傳遞熱量至激光二極管忍 片載體600 ;
[0036] 第二熱傳遞鏈路，工作環(huán)境的熱量通過第一導(dǎo)電金屬線400傳遞到跳墊載體300 上，所述跳墊載體300通過第二導(dǎo)電金屬線700傳遞熱量至激光二極管忍片載體600。
[0037] 更為具體的，第一熱傳遞鏈路中，激光二極管忍片601在工作時(shí)產(chǎn)生熱量，熱量通 過導(dǎo)熱忍片載體602傳遞到半導(dǎo)體致冷器冷端501，半導(dǎo)體致冷器熱端502的熱量通過封裝 外殼底部106和跳墊載體支柱構(gòu)件200傳遞到跳墊載體300上，所述跳墊載體300通過第 二導(dǎo)電金屬線700傳遞熱量至激光二極管忍片載體600 ;
[0038] 第二熱傳遞鏈路，熱量通過第一導(dǎo)電金屬線400傳遞到跳墊載體300上，所述跳墊 載體300通過第二導(dǎo)電金屬線700傳遞熱量至激光二極管忍片載體600。
[0039] W上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定 本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于運(yùn)些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在 不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可W做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的 保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，包括：信號(hào)陶瓷（105)、 跳墊載體支柱構(gòu)件（200)、跳墊載體（300)、半導(dǎo)體致冷器（500)和激光二極管芯片載體 (600)，所述信號(hào)陶瓷（105)與所述跳墊載體（300)相連接，所述跳墊載體（300)與所述激光 二極管芯片載體（600)相連接，跳墊載體支柱構(gòu)件（200)設(shè)置于所述跳墊載體（300)的下 方，所述半導(dǎo)體致冷器（500)設(shè)置于所述激光二極管芯片載體（600)的下方。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，所述跳 墊載體支柱構(gòu)件（200 )包括第一跳墊載體支柱（201)和第二跳墊載體支柱（202 )，所述第一 跳墊載體支柱（201)和第二跳墊載體支柱（202)對(duì)稱設(shè)置于所述跳墊載體（300)兩端的下 方。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，還包括 第一導(dǎo)電金屬線（400)和第二導(dǎo)電金屬線（700)，所述信號(hào)陶瓷（105)通過第一導(dǎo)電金屬線 (400)與所述跳墊載體（300)相連接，所述跳墊載體（300)通過第二導(dǎo)電金屬線（700)與所 述激光二極管芯片載體（600)相連接。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征 在于，所述激光二極管芯片載體（600)包括激光二極管芯片（601)和導(dǎo)熱芯片載體（602)， 所述激光二極管芯片（601)貼裝在所述導(dǎo)熱芯片載體（602)上。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，所述跳 墊載體（300)為導(dǎo)熱跳墊載體，所述跳墊載體（300)的導(dǎo)熱系數(shù)比導(dǎo)熱芯片載體（602)的導(dǎo) 熱系數(shù)小。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，所述半 導(dǎo)體致冷器（500 )包括半導(dǎo)體致冷器冷端（501)和半導(dǎo)體致冷器熱端（502 )，所述半導(dǎo)體致 冷器冷端（501)設(shè)置于所述導(dǎo)熱芯片載體（602 )的下方，所述半導(dǎo)體致冷器熱端（502 )設(shè)置 于所述半導(dǎo)體致冷器（500)遠(yuǎn)離所述導(dǎo)熱芯片載體（602)的一端。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，還包括 封裝外殼底部（106)，所述跳墊載體支柱構(gòu)件（200)和半導(dǎo)體致冷器熱端（502)分別設(shè)置于 所述封裝外殼底部（106)上。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，還包括 封裝外殼（100)、封裝外殼蓋（101)和封裝外殼引線管腳（102);所述封裝外殼蓋（101)設(shè)置 于所述封裝外殼（100)上，進(jìn)而與所述封裝外殼底部（106)共同形成內(nèi)部帶空腔的封裝結(jié) 構(gòu)，所述信號(hào)陶瓷（105)、跳墊載體支柱構(gòu)件（200)、跳墊載體（300)、半導(dǎo)體致冷器（500)和 激光二極管芯片載體（600)均設(shè)置于所述空腔內(nèi)；所述封裝外殼引線管腳（102)與所述封 裝外殼（100)的一端相連接。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，其特征在于，還包括 封裝外殼光口（ 103)和封裝外殼光窗（104)，所述封裝外殼光口（ 103)設(shè)置于所述封裝外殼 (100)遠(yuǎn)離所述封裝外殼引線管腳（102)的一端，所述封裝外殼光窗（104)設(shè)置于所述封裝 外殼光口（103)內(nèi)。10. -種降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的方法，其特征在于，采用了如權(quán)利要求4至9 任意一項(xiàng)所述的降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置，并包括以下兩種熱傳遞鏈路： 第一熱傳遞鏈路，激光二極管芯片（601)在工作時(shí)產(chǎn)生熱量，熱量通過導(dǎo)熱芯片載 體（602)傳遞到半導(dǎo)體致冷器（500)，半導(dǎo)體致冷器（500)將熱量通過跳墊載體支柱構(gòu)件 (200 )傳遞到跳墊載體（300 )上，所述跳墊載體（300 )通過第二導(dǎo)電金屬線（700 )傳遞熱量 至激光二極管芯片載體（600); 第二熱傳遞鏈路，工作環(huán)境的熱量通過第一導(dǎo)電金屬線（400)傳遞到跳墊載體（300) 上，所述跳墊載體（300)通過第二導(dǎo)電金屬線（700)傳遞熱量至激光二極管芯片載體 (600)〇
【專利摘要】本發(fā)明提供一種降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置及方法，所述降低帶制冷型光發(fā)射組件功耗的裝置包括：信號(hào)陶瓷、跳墊載體支柱構(gòu)件、跳墊載體、半導(dǎo)體致冷器和激光二極管芯片載體，所述信號(hào)陶瓷與所述跳墊載體相連接，所述跳墊載體與所述激光二極管芯片載體相連接，跳墊載體支柱構(gòu)件設(shè)置于所述跳墊載體的下方，所述半導(dǎo)體致冷器設(shè)置于所述激光二極管芯片載體的下方。本發(fā)明通過跳墊載體支柱構(gòu)件和跳墊載體的設(shè)置，進(jìn)而與其他構(gòu)件相互配合以增大了跳墊載體本身以及跳墊載體與外部熱傳遞的熱阻，進(jìn)而降低跳墊載體的溫度，能夠大大改善光發(fā)射組件的功耗問題，降低了其功耗，有效減小半導(dǎo)體致冷器的負(fù)載。
【IPC分類】H01S5/024
【公開號(hào)】CN105406352
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201511025589
【發(fā)明人】吳帥, 朱寧寧, 鎮(zhèn)磊
【申請(qǐng)人】深圳市極致興通科技有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年12月30日