施方式】
[0023]下面結(jié)合實施例和說明書附圖對本發(fā)明做詳細(xì)的說明，但不限于此。
[0024]如圖1所示。
[0025]實施例1、
[0026]一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，包括從下至上依次為襯底1、下包層2、有源區(qū)3、第一上包層4、腐蝕阻擋層5、第二上包層6和歐姆接觸層7 ;所述腐蝕阻擋層5為從下至上依次排列的(AlaGa! J0.sIn0.sP'GaJn! bP及(Alfa! a) α5Ιηα5Ρ三層結(jié)構(gòu)，每層厚度的范圍5-15nm，其中，a取值為0.1-0.5，b取值為0.5-0.7 ;所述有源區(qū)3為從下至上依次排列的(AlxGai x)0.5ln0.5P勢皇層、Gaylni yP量子阱及(AlxGai x)0.5In0.5P勢皇層，其中，X取值為0.4-0.6，y取值為0.4-0.6 ;且b、y取值滿足條件:b > y。所述有源區(qū)的激射波長約為650nm。
[0027]實施例2、
[0028]如實施例1所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其區(qū)別在于，所述第二上包層6及歐姆接觸層7構(gòu)成脊型結(jié)構(gòu)，在所述第二上包層6未覆蓋歐姆接觸層7的部分、第二上包層6的側(cè)面及裸露的腐蝕阻擋層5上方分別包覆有介質(zhì)膜8 ;在所述歐姆接觸層7上方包覆接觸設(shè)置有第一金屬電極層9，在所述襯底1下方設(shè)置有第二金屬電極層10 ;在所述AlGalnP半導(dǎo)體激光器的前后兩個端面設(shè)置有非吸收窗口 11。
[0029]實施例3、
[0030]如實施例1、2所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其區(qū)別在于，所述下包層、第一上包層及第二上包層均為與GaAs晶格匹配的Α1α5Ιηα5Ρ。
[0031]實施例4、
[0032]如實施例1、2、3所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其區(qū)別在于，所述襯底為偏向〈111〉晶向的N型GaAs(lOO)單晶片，偏角大小為5-15°，進一步優(yōu)選，偏角大小為10°。
[0033]實施例5、
[0034]如實施例1、2、3所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其區(qū)別在于，所述歐姆接觸層為P型GaAs ;所述介質(zhì)膜為Si02s Si 3N4。
[0035]實施例6、
[0036]如實施例1、2、3所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其區(qū)別在于，所述第一金屬電極層為Ti/Pt/Au ;所述第二金屬電極層為Ge/Ni/Au。
[0037]對比例、
[0038]如圖2a所示，使用現(xiàn)有技術(shù)的AlGalnP半導(dǎo)體激光器的窗口區(qū)出現(xiàn)了腐蝕臺階；如圖2b所示，使用本發(fā)明所述腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器的窗口區(qū)則非常平整，腐蝕深度一致性很好，因此，相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有突出的技術(shù)優(yōu)勢。
【主權(quán)項】
1.一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，包括從下至上依次為襯底、下包層、有源區(qū)、第一上包層、腐蝕阻擋層、第二上包層和歐姆接觸層；其特征在于，所述腐蝕阻擋層為從下至上依次排列的(AlaGa! a) 0.sIn0.sP'GaJnj bP及(Alfa! a)a5Ina5P三層結(jié)構(gòu)，每層厚度的范圍5-15nm，其中，a取值為0.1-0.5，b取值為0.5-0.7 ;所述有源區(qū)為從下至上依次排列的(AlxGai x)0.5In0.5P勢皇層、Gaylni yP量子阱及(Α1Χ6&1 χ)0.5Ιη0.5Ρ勢皇層，其中，X取值為0.4-0.6，y取值為0.4-0.6 ;且b、y取值滿足條件:b > y。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述第二上包層及歐姆接觸層構(gòu)成脊型結(jié)構(gòu)，在所述第二上包層未覆蓋歐姆接觸層的部分、第二上包層的側(cè)面及裸露的腐蝕阻擋層上方分別包覆有介質(zhì)膜；在所述歐姆接觸層上方包覆接觸設(shè)置有第一金屬電極層，在所述襯底下方設(shè)置有第二金屬電極層；在所述AlGalnP半導(dǎo)體激光器的前后兩個端面設(shè)置有非吸收窗口。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下包層、第一上包層及第二上包層均為與GaAs晶格匹配的Α1α5Ιηα5Ρ。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述襯底為偏向〈111〉晶向的N型GaAs(lOO)單晶片，偏角大小為5-15°。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述歐姆接觸層為P型GaAs。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述介質(zhì)膜為Si02S Si 3N4。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGalnP半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述第一金屬電極層為Ti/Pt/Au ;所述第二金屬電極層為Ge/Ni/Au。
【專利摘要】一種含有高選擇性腐蝕阻擋層的AlGaInP半導(dǎo)體激光器，包括從下至上依次為襯底、下包層、有源區(qū)、第一上包層、腐蝕阻擋層、第二上包層和歐姆接觸層；其特征在于，所述腐蝕阻擋層為從下至上依次排列的(AlaGa1-a)0.5In0.5P、GabIn1-bP及(AlaGa1-a)0.5In0.5P三層結(jié)構(gòu)，每層厚度的范圍5-15nm，其中，a取值為0.1-0.5，b取值為0.5-0.7；所述有源區(qū)為從下至上依次排列的(AlxGa1-x)0.5In0.5P勢壘層、GayIn1-yP量子阱及(AlxGa1-x)0.5In0.5P勢壘層，其中，x取值為0.4-0.6，y取值為0.4-0.6；且b、y取值滿足條件：b＞y。本發(fā)明在進行雜質(zhì)誘導(dǎo)量子阱混雜形成非吸收窗口時，所述腐蝕阻擋層可以降低Al、Ga原子互擴散程度，提高腐蝕阻擋層與第二上包層的腐蝕選擇比。制作脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)時，腐蝕面平整，光輸出模式穩(wěn)定。
【IPC分類】H01S5/343
【公開號】CN105406359
【申請?zhí)枴緾N201511019089
【發(fā)明人】朱振, 張新, 徐現(xiàn)剛
【申請人】山東華光光電子有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年12月29日