電子部件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及電子部件，更特定來(lái)說(shuō)，設(shè)及層疊型線圈部件。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為W往的與電子部件有關(guān)的發(fā)明，例如，已知有專利文獻(xiàn)1所記載的電子部件。 該電子部件內(nèi)置通過(guò)由通孔導(dǎo)體連接多個(gè)線圈導(dǎo)體而構(gòu)成的線圈。另外，在層疊方向相鄰 的兩個(gè)線圈導(dǎo)體成相同形狀，并通過(guò)通孔導(dǎo)體并聯(lián)連接。在W上那樣的專利文獻(xiàn)1所記載 的電子部件中，線圈的直流電阻值較小，抑制線圈中的發(fā)熱，抑制電子部件的溫度上升。
[0003] 然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的電子部件中，全部的線圈導(dǎo)體兩兩并聯(lián)連接。因此， 存在電子部件的層疊方向的長(zhǎng)度較長(zhǎng)運(yùn)樣的問(wèn)題。
[0004] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)平11 - 260644號(hào)公報(bào)（圖36)

【發(fā)明內(nèi)容】
陽(yáng)0化]因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制元件的大型化，并抑制元件的溫度上升的 電子部件。
[0006] 本發(fā)明的一方式所設(shè)及的電子部件的特征在于，具備：層疊體，其為在層疊方向?qū)?疊多個(gè)絕緣體層而構(gòu)成的長(zhǎng)方體狀的層疊體，上述層疊體具有上述多個(gè)絕緣體層的外緣連 接形成的第一側(cè)面；線圈，其為設(shè)置在上述層疊體且通過(guò)由貫通上述絕緣體層通孔導(dǎo)體連 接多個(gè)線圈導(dǎo)體而構(gòu)成的線圈，上述線圈是在旋轉(zhuǎn)的同時(shí)在層疊方向行進(jìn)的螺旋狀；第一 外部電極，其至少設(shè)置在上述第一側(cè)面；W及第二外部電極，其與上述第一外部電極相比設(shè) 置在層疊方向的另一側(cè)，并且至少設(shè)置在上述第一側(cè)面，在上述線圈設(shè)置有設(shè)置有第一并 聯(lián)部W及第二并聯(lián)部，上述第一并聯(lián)部在層疊方向上排列的m個(gè)上述線圈導(dǎo)體的至少一部 分并聯(lián)連接而構(gòu)成，上述第二并聯(lián)部在層疊方向上排列的n個(gè)上述線圈導(dǎo)體的至少一部分 并聯(lián)連接而構(gòu)成，mW及n是自然數(shù)，n比m大，在從上述第一側(cè)面的法線方向俯視時(shí)與上述 第一外部電極重合的第一區(qū)域中的上述第一并聯(lián)部的數(shù)目在該第一并聯(lián)部的數(shù)目與上述 第二并聯(lián)部的數(shù)目的合計(jì)中所占的比例，比在從該第一側(cè)面的法線方向俯視時(shí)不與該第一 外部電極W及上述第二外部電極重合的第二區(qū)域中的上述第一并聯(lián)部的數(shù)目在該第一并 聯(lián)部的數(shù)目與上述第二并聯(lián)部的數(shù)目的合計(jì)中所占的比例高。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制元件的大型化，并抑制元件的溫度上升。
【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1是電子部件的外觀立體圖。
[0009] 圖2是電子部件的層疊體的分解立體圖。
[0010] 圖3是圖1的電子部件的A-A上的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0011] 圖4A是第二實(shí)施方式所設(shè)及的電子部件的層疊體的分解立體圖。
[0012] 圖4B是第二實(shí)施方式所設(shè)及的電子部件的層疊體的分解立體圖。
[0013] 圖4C是圖I的電子部件的A-A上的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0014] 圖4D是圖1的電子部件的A-A上的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0015] 圖5是第一變形例所設(shè)及的電子部件的層疊體的一部分的分解立體圖。
[0016] 圖6是第二變形例所設(shè)及的電子部件的層疊體的一部分的分解立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017] (第一實(shí)施方式）
[0018] (電子部件的結(jié)構(gòu)）
[0019] W下，參照附圖對(duì)第一實(shí)施方式所設(shè)及的電子部件IOa的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是 電子部件IOa~IOf的外觀立體圖。圖2是電子部件IOa的層疊體12的分解立體圖。圖3 是圖1的電子部件IOa的A-A的剖面結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖3中，為了防止附圖變得繁瑣， 省略層疊體12的影線。W下，將層疊方向定義為上下方向，將從上側(cè)俯視時(shí)，層疊體12的 兩邊延伸的方向定義為前后方向W及左右方向。
[0020] 如圖1W及圖2所示，電子部件IOa具備層疊體12、外部電極14曰、14b、線圈LW 及通孔導(dǎo)體vl~v3、v57~v60。
[0021] 層疊體12呈長(zhǎng)方體狀，從上側(cè)向下側(cè)依次層疊絕緣體層16a~16z、16aa~16nn 而構(gòu)成。層疊體12具有上面、下面、前面、背面、右面W及左面。如圖2所示，絕緣體層16a~ 16z、16aa~16nn呈長(zhǎng)方形，例如，通過(guò)由Ni-化一化系鐵氧體構(gòu)成的磁性體材料制成。 W下，將絕緣體層16a~16z、16aa~16nn的上側(cè)的面稱為表面，將絕緣體層16a~16z、 16aa~16nn的下側(cè)的面稱為里面。層疊體12的上面是絕緣體層16a的表面。層疊體12 的下面是絕緣體層16nn的里面。層疊體12的前面、背面、右面W及左面由絕緣體層16a~ 16z、16aa~16nn的外緣連接形成。
[0022] 外部電極14a橫跨上面W及與上面鄰接的四個(gè)側(cè)面（前面、背面、右面W及左面） 設(shè)置。目P，外部電極14a覆蓋上面的整體，并覆蓋四個(gè)側(cè)面的一部分。但是，外部電極14a 只要至少設(shè)置在前面即可。
[0023] 外部電極14b與外部電極14a相比設(shè)置在下側(cè)，并且，橫跨下面化及與下面鄰接四 個(gè)側(cè)面（前面、背面、右面W及左面）設(shè)置。目P，外部電極14b覆蓋下面的整體，并且覆蓋四 個(gè)側(cè)面的一部分。但是，外部電極14b只要至少設(shè)置在前面即可。
[0024] 線圈L在從上側(cè)俯視時(shí)成逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)并且朝向下側(cè)行進(jìn)的螺旋狀，包括線圈導(dǎo)體 18a~18z、ISaa~1她hW及通孔導(dǎo)體v4~v56。線圈導(dǎo)體18a~18z、ISaa~1她hW及 通孔導(dǎo)體v4~v56例如通過(guò)WAg為主成分的導(dǎo)電性材料制成。
[00巧]如圖2所示，線圈導(dǎo)體18a~18z、ISaa~1她h從上側(cè)俯視時(shí)，相互重合并形成沿 絕緣體層16a~16z、16aa~16nn的外緣的長(zhǎng)方形（環(huán)狀）的軌道R。即，軌道R的左右的 兩條邊與絕緣體層16a~16z、16aa~16nn的左右的兩條邊平行，軌道R的前后的兩條邊 與絕緣體層16a~16z、16aa~16nn的前后的兩條邊平行。
[0026] 線圈導(dǎo)體18a~18z、18aa~1她h是分別設(shè)置在絕緣體層16d~16z、16aa~16化 的表面上，并逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的線狀導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體18a~18z、ISaa~1她h具有1/2周的長(zhǎng) 度。具體而言，線圈導(dǎo)體 18日、18b、18e，、18f、18i~18k、18〇 ~18q、18u~18w、18aa、18bb、 1866、18''與軌道1?的左側(cè)的邊^(qū)及后側(cè)的邊重合。線圈導(dǎo)體18(3、18山18旨、1她、181~ 18n、18r~18t、18x~18z、18cc、18dd、18gg、I她h與軌道R的右側(cè)的邊W及前側(cè)的邊重合。W下，在從上側(cè)俯視線圈導(dǎo)體18a~18z、ISaa~1她h時(shí)，將逆時(shí)針的上游側(cè)的端部稱為上 游端，將逆時(shí)針的下游側(cè)的端部稱為下游端。
[0027] 通孔導(dǎo)體v4在上下方向貫通絕緣體層16山連接線圈導(dǎo)體18a的上游端和線圈導(dǎo) 體18b的上游端。通孔導(dǎo)體v5在上下方向貫通絕緣體層16山連接線圈導(dǎo)體18a的下游端 和線圈導(dǎo)體18b的下游端。由此，在上下方向排列且具有相同形狀的兩個(gè)線圈導(dǎo)體18a與 線圈導(dǎo)體18b相互并聯(lián)連接，構(gòu)成并聯(lián)部20a。
[0028] 通孔導(dǎo)體v6在上下方向貫通絕緣體層16e，連接線圈導(dǎo)體18b的下游端與線圈導(dǎo) 體18c的上游端。
[0029] 通孔導(dǎo)體v7、v8與通孔導(dǎo)體v4、v5相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體18c、18d。由此，線圈 導(dǎo)體18c、18d構(gòu)成并聯(lián)部20b。
[0030] 通孔導(dǎo)體v9在上下方向貫通絕緣體層16g，連接線圈導(dǎo)體18d的下游端與線圈導(dǎo) 體18e的上游端。
[0031] 通孔導(dǎo)體vl0、vll與通孔導(dǎo)體v4、v5相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體18e、18f。由此，線 圈導(dǎo)體18e、18f構(gòu)成并聯(lián)部20c。
[0032] 通孔導(dǎo)體vl2在上下方向貫通絕緣體層16i，連接線圈導(dǎo)體18f的下游端與線圈導(dǎo) 體18g的上游端。
[0033] 通孔導(dǎo)體vl3、vl4與通孔導(dǎo)體v4、v5相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體18g、l她。由此，線 圈導(dǎo)體18g、l她構(gòu)成并聯(lián)部20d。
[0034] 通孔導(dǎo)體vl5在上下方向貫通絕緣體層16k，連接線圈導(dǎo)體1化的下游端與線圈導(dǎo) 體18i的上游端。
[0035] 通孔導(dǎo)體V16在上下方向貫通絕緣體層161，連接線圈導(dǎo)體18i的上游端與線圈導(dǎo) 體18j的上游端。通孔導(dǎo)體vl7在上下方向貫通絕緣體層161，連接線圈導(dǎo)體18i的下游端 與線圈導(dǎo)體18j的下游端。通孔導(dǎo)體V18在上下方向貫通絕緣體層16m，連接線圈導(dǎo)體18j 的上游端與線圈導(dǎo)體18k的上游端。通孔導(dǎo)體vl9在上下方向貫通絕緣體層16m，連接線圈 導(dǎo)體18j的下游端與線圈導(dǎo)體18k的下游端。由此，在上下方向排列且具有相同形狀的S 個(gè)線圈導(dǎo)體18i、線圈導(dǎo)體18jW及線圈導(dǎo)體18k相互并聯(lián)連接，構(gòu)成并聯(lián)部22曰。
[0036] 通孔導(dǎo)體V20在上下方向貫通絕緣體層16n，連接線圈導(dǎo)體18k的下游端與線圈導(dǎo) 體1別的上游端。
[0037]通孔導(dǎo)體v21~v24與通孔導(dǎo)體vl6~vl9相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體181、18m、18n。 由此，線圈導(dǎo)體181、18m、18n構(gòu)成并聯(lián)部22b。
[0038] 通孔導(dǎo)體v25在上下方向貫通絕緣體層16q，連接線圈導(dǎo)體18n的下游端與線圈導(dǎo) 體18〇的上游端。
[0039] 通孔導(dǎo)體v26~v29與通孔導(dǎo)體vl6~vl9相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體18〇、18p、18q。 由此，線圈導(dǎo)體18〇、18p、18q構(gòu)成并聯(lián)部22c。
[0040] 通孔導(dǎo)體v30在上下方向貫通絕緣體層16t，連接線圈導(dǎo)體18q的下游端與線圈導(dǎo) 體18r的上游端。
[0041] 通孔導(dǎo)體v31~v34與通孔導(dǎo)體vl6~vl9相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體18r、18s、18t。 由此，線圈導(dǎo)體18r、18s、18t構(gòu)成并聯(lián)部22d。
[0042] 通孔導(dǎo)體v35在上下方向貫通絕緣體層16w，連接線圈導(dǎo)體18t的下游端與線圈導(dǎo) 體18u的上游端。
[0043] 通孔導(dǎo)體v36~v39與通孔導(dǎo)體vl6~vl9相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體18u、18v、18w。 由此，線圈導(dǎo)體18u、18v、18w構(gòu)成并聯(lián)部22e。
[0044] 通孔導(dǎo)體v40在上下方向貫通絕緣體層16z，連接線圈導(dǎo)體18w的下游端與線圈導(dǎo) 體18x的上游端。
[0045] 通孔導(dǎo)體v41~v44與通孔導(dǎo)體vl6~vl9相同，并聯(lián)連接線圈導(dǎo)體18x、18y、18z。 由此，線圈導(dǎo)體18x、18y、18z構(gòu)成并聯(lián)部。
[0046] 通孔導(dǎo)體v45在上下方向貫通絕緣體層16cc，連接線圈導(dǎo)體18z的下游端與線圈 導(dǎo)體ISaa的上游端。
[0047] 通孔導(dǎo)體v46在上下方向貫通絕緣體層16dd，連接線圈導(dǎo)體ISaa的上游端與線圈 導(dǎo)體18化的上游端。通孔導(dǎo)體v47在上下方向貫通絕緣體層16dd，連接線圈導(dǎo)體ISaa的 下游端與線圈導(dǎo)體18化的下游端。由此，在上下方向排列且具有相同形狀的兩個(gè)線圈導(dǎo)體 ISa