封裝半導(dǎo)體元件的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種封裝半導(dǎo)體元件的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法，詳細(xì)而 言，設(shè)及一種利用封裝層封裝半導(dǎo)體元件而成的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法及半導(dǎo)體裝置 的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] W往，公知有一種利用樹脂片封裝發(fā)光二極管等半導(dǎo)體元件的方法。
[0003] 例如，提出如下一種方法：在安裝有發(fā)光二極管的基板之上設(shè)置具有基材片和層 疊于基材片之下的有機(jī)娃樹脂層的封裝用片，接著，利用有機(jī)娃樹脂層埋設(shè)發(fā)光二極管而 將該發(fā)光二極管封裝。之后，對封裝用片進(jìn)行加熱而使有機(jī)娃樹脂層（封裝層）固化，接著， 將基材片自封裝層剝離，從而制造光半導(dǎo)體裝置（例如，參照下述專利文獻(xiàn)1。）。
[0004] 專利文獻(xiàn)1 :(日本）特開2013-095809號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引 發(fā)巧要解決的間顆
[0006] 但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的方法中，存在封裝層在加熱中變形運(yùn)樣的不良情況。 另外，在加熱中基材片也發(fā)生變形，因此，存在封裝層隨著基材片的變形而進(jìn)一步變形運(yùn)樣 的不良情況。
[0007] 本發(fā)明的目的在于，提供能夠在防止剝離層的變形的同時(shí)抑制封裝層的變形的封 裝半導(dǎo)體元件的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0008] 用于解決間顆的方案
[0009] 本發(fā)明的一種封裝半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，包括：準(zhǔn)備工序，在該準(zhǔn) 備工序中，準(zhǔn)備配置有半導(dǎo)體元件的支承片；封裝工序，在該封裝工序中，利用具有剝離層、 完全固化前的封裝層W及加強(qiáng)層的封裝片的所述封裝層在常溫下對所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行 埋設(shè)封裝，其中，該封裝層層疊在所述剝離層之下，且由熱固化性樹脂形成，該加強(qiáng)層層疊 在所述剝離層之上，用于加強(qiáng)所述剝離層和所述封裝層；加熱工序，該加熱工序在所述封裝 工序之后，在該加熱工序中，對所述封裝層加熱而使所述封裝層固化；W及剝離工序，該剝 離工序在所述加熱工序之后，在該剝離工序中，將所述加強(qiáng)層剝離。
[0010] 采用該方法，在剝離工序之前的加熱工序中，能夠利用層疊在剝離層之上的加強(qiáng) 層對剝離層和封裝層進(jìn)行加強(qiáng)。因此，在加熱工序中，加強(qiáng)層能夠抑制剝離層和封裝層的變 形。
[0011] 其結(jié)果，采用本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法，能夠制造出可靠性優(yōu)異的半 導(dǎo)體裝置。
[0012] 另外，在本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，在所述加熱工序中， 在常壓下對封裝片加熱。
[0013] 采用該方法，與利用加壓裝置等對封裝層進(jìn)行加壓的方法不同，不需要相關(guān)的加 壓裝置等特別的裝置，在常壓下，利用簡易的加熱裝置就能夠?qū)Ψ庋b片進(jìn)行加熱。因此，能 夠利用簡便的方法且W較低的成本制造出封裝半導(dǎo)體元件。
[0014] 另外，在本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，所述加強(qiáng)層的厚度相 對于所述剝離層和所述封裝層的合計(jì)厚度的比值為0. 07W上。
[0015] 采用該方法，加強(qiáng)層的厚度相對于剝離層和封裝層的合計(jì)厚度的比值為上述下限 W上，因此，能夠更可靠地對剝離層和封裝層進(jìn)行加強(qiáng)。因此，能夠更進(jìn)一步地抑制加熱工 序中的剝離層和封裝層的變形。
[0016] 另外，在本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，所述加強(qiáng)層由帶有弱 粘著性糊劑的PET膜形成。
[0017] 采用該方法，因?yàn)榧訌?qiáng)層由帶有弱粘著性糊劑的PET膜形成，所W能夠更可靠地 對剝離層和封裝層進(jìn)行加強(qiáng)。因此，能夠更進(jìn)一步地抑制加熱工序中的剝離層和封裝層的 變形。
[0018] 另外，在本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，在所述剝離工序中， 將所述剝離層和所述加強(qiáng)層運(yùn)兩者同時(shí)自所述封裝層剝離。
[0019] 采用該方法，與依次剝離剝離層和加強(qiáng)層的方法相比，能夠W較少的工時(shí)來實(shí)施 剝離工序。因此，能夠W簡便的方法且W較低的成本制造出封裝半導(dǎo)體元件。
[0020] 另外，在本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法中，優(yōu)選的是，所述支承片是安裝有 所述半導(dǎo)體元件的基板。
[0021] 另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括：利用上述封裝半導(dǎo)體元 件的制造方法制造所述封裝半導(dǎo)體元件的工序和將所述封裝半導(dǎo)體元件安裝于基板的工 序。
[0022] 采用該方法，因?yàn)槔蒙鲜龇庋b半導(dǎo)體元件的制造方法來制造封裝半導(dǎo)體元件， 所W能夠制造出可靠性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置。
[0023] 發(fā)巧的效果
[0024] 采用本發(fā)明，能夠抑制加熱工序中的剝離層和封裝層的變形，其結(jié)果，能夠制造出 可靠性優(yōu)異的封裝半導(dǎo)體元件和半導(dǎo)體裝置。
【附圖說明】
[0025] 圖IA-圖IC是本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法的第1實(shí)施方式的制造工序 圖，圖IA表示準(zhǔn)備工序，圖IB表示封裝工序，圖IC表示加熱工序。
[0026] 圖2D-圖沈是接續(xù)著圖IA-圖IC的本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法的第1 實(shí)施方式的制造工序圖，圖2D和圖沈表示剝離工序。
[0027] 圖3A-圖3E是本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法的第2實(shí)施方式的制造工序 圖，圖3A表示準(zhǔn)備工序，圖3B表示壓接工序，圖3C表示大氣開放工序，圖3D表示加熱工序， 圖3E表示剝離工序。
[002引圖4A-圖4C是本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法的第3實(shí)施方式的制造工序 圖，圖4A表示準(zhǔn)備工序，圖4B表示封裝工序，圖4C表示加熱工序。
[0029]圖抓-圖5G是接續(xù)著圖4A-圖4C的本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法的第3實(shí)施方式的制造工序圖，圖5D和圖祀表示第1剝離工序，圖5F表示第2剝離工序，圖5G 表示安裝工序。
【具體實(shí)施方式】
[0030] (第1實(shí)施方式）
[0031] 在圖IA-圖IC中，將紙面上側(cè)作為上側(cè)（第1方向一側(cè)、厚度方向一側(cè)），將紙面 下側(cè)作為下側(cè)（第1方向另一側(cè)）。具體而言，W圖IA-圖IC所記載的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)。圖 2D-圖沈的方向W圖IA-圖IC的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)。
[0032] 作為本發(fā)明的封裝半導(dǎo)體元件的制造方法的第1實(shí)施方式的L邸裝置1的制造方 法，包括準(zhǔn)備工序（參照圖1A)、封裝工序（參照圖1B)、加熱工序（參照圖1C)W及剝離工 序（參照圖2D和圖2E)。下面，詳細(xì)描述各工序。
[003引（準(zhǔn)備工序）
[0034] 在準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備作為安裝有作為半導(dǎo)體元件的LED2的支承片的基板3。在準(zhǔn) 備該基板3的過程中，首先，將LED2安裝于基板3之上。具體而言，將LED2安裝在基板3 的上表面。或者，也能夠準(zhǔn)備預(yù)先安裝有LED2的基板3。
[0035] 如圖IA所示，基板3形成為沿面方向（與厚度方向正交的方向）延伸的俯視大致 矩形的平板形狀?；?由例如侶等金屬材料、例如氧化侶等陶瓷材料W及例如聚酷亞胺 等樹脂材料等那樣的、作為L邸裝置1的基板而通常使用的材料形成。在基板3的上表面 形成有包括用于與LED2的端子（未圖示）電連接的電極（未圖示）和與電極相連續(xù)的配 線的導(dǎo)體圖案（未圖示）。導(dǎo)體圖案由例如金、銅、銀、儀等導(dǎo)體形成?；?的一邊的長 度例如為ImmW上，而且例如為1，OOOmmW下?；?的厚度例如為0. 25mmW上，優(yōu)選為 0. 9mmW上，而且例如為IOmmW下，優(yōu)選為5mmW下。
[0036]LED2形成為俯視大致矩形的平板形狀，在上表面或者下表面具有端子（未圖示）。 LED2的一邊的長度例如為0. 05mmW上，優(yōu)選為0.ImmW上，而且例如為IOmmW下，優(yōu)選為 5mmW下。LED2的厚度例如為5JimW上，優(yōu)選為10JimW上，而且例如為2,000JimW下， 優(yōu)選為1,000ymW下。
[0037] 作為將LED2安裝于基板3的方法，例如能夠采用倒裝法安裝。另外，還能夠利用 引線接合的方式將LED2的端子與基板3的電極相連接。
[003引另外，將多個(gè)LED2安裝于基板3。LED2沿面方向彼此隔開間隔地安裝于基板3的 上表面。LED2在面方向上，具體而言，在前后左右方向（前后方向?yàn)閄方向、左右方向?yàn)閅 方向時(shí)的X-Y方向）上等間隔地排列配置。LED2的面方向的間隔例如為0.ImmW上，優(yōu)選 ImmW上，而且例如為50mmW下，優(yōu)選5mmW下。
[003引（封裝工序）
[0040] 在封裝工序中，如圖IA所示，首先，準(zhǔn)備封裝片4,之后，如圖IB所示，利用封裝片 4來封裝LED2。
[0041] 如圖IA所示，封裝片4具有：剝離層5、層疊在剝離層5之下的封裝層6W及層疊 在剝離層5之上的加強(qiáng)層7。
[0042] 剝離層5是用于在封裝片4中保護(hù)封裝層6的上表面且支承封裝層6的層，是在使 用后（具體而言，后述的加熱工序之后）自封裝層6剝離的層。剝離層5在封裝片4中夾 設(shè)在接下來說明的封裝層6和加強(qiáng)層7之間。作為剝離層5,能夠舉出例如聚乙締膜、聚醋 膜（PET膜等）等聚合物膜、例如陶瓷片、W及例如金屬錐等。能夠優(yōu)選舉出聚合物膜。另 夕F，也能夠?qū)冸x層5的表面（上表面和下表面）實(shí)施氣化處理等剝離處理。剝離層5在 為聚合物膜的情況下的線膨脹系數(shù)是例如70X106K1?上，優(yōu)選為80X106K1?上，而且， 例如為140X10SrIW下，優(yōu)選為120X10 61(1?下。線膨脹系數(shù)利用TMA(熱機(jī)械分析） 來計(jì)算。剝離層5的厚度例如為25ymW上，優(yōu)選為38ymW上，而且，例如為2,000ymW 下，優(yōu)選為IOOymW下。
[0043] 封裝層6在封裝片4中被設(shè)置在最下部，具體而言，形成在剝離層5的整個(gè)下表 面。封裝層6由含有封裝樹脂的封裝樹脂組合物呈片狀地形成。
[0044] 作為封裝樹脂，能夠舉出通過加熱而固化的熱固化性樹脂。
[0045] 作為熱固化性樹脂，能夠舉出例如有機(jī)娃樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酷亞胺樹脂、酪醒樹 月旨、尿素樹脂、=聚氯胺樹脂、不飽和聚醋樹脂等。能夠優(yōu)選舉出有機(jī)娃樹脂。
[0046] 作為熱固化性樹脂，能夠舉出例如二階段熱固化性樹脂組合物、