9012BI,US6225467 B1，DE10312675ALWO98/04007A1 和US6352791BI),巧，蔥，并四苯，巧，螺二巧，樹枝狀 大分子，并四苯如紅巧締衍生物，1,10-菲咯嘟衍生物（JP2003/115387,JP2004/311184， JP2001/267080,WO2002/04:3449)，娃雜環(huán)戊二締衍生物巧P1480280,EP1478032， EP1469533)，化晚衍生物（JP2004/200162Kodak)，菲咯嘟，例如BCP和BPhen,W及許多 通過聯苯或其它芳族基團鍵合的菲咯嘟扣S2007/0252517Al)或蔥鍵合的菲咯嘟扣S 2007/0122656Al,例如式9和10)，1，3, 4-臟二挫，例如式11，S挫，例如式12,S芳基棚燒， 苯并咪挫衍生物和其它N-雜環(huán)化合物（參見US2007/0273272Al),娃雜環(huán)戊二締衍生物， 棚燒衍生物、Ga-喔星類（Oxinoid)絡合物。
[0180] 優(yōu)選的ETM結構單元選自式（38)的具有C=X基團的單元，其中X= 0、S或Se, 優(yōu)選0,如在例如WO2004/093207A2和WO2004/013080Al中公開的。
[0181]
陽182] 更優(yōu)選地，式（38)的結構單元具有式（38a)、（38b)和（38c)的巧酬、螺二巧酬或 巧并巧酬：
陽1財其中
[0186]R和RiS各自獨立地是氨原子，在環(huán)中具有6至50碳原子的取代或未取代的芳族 環(huán)狀控基基團，具有5至50個環(huán)原子的取代或未取代的芳族雜環(huán)基團，具有1至50個碳原 子的取代或未取代的烷基基團，在環(huán)中具有3至50個碳原子的取代或未取代環(huán)烷基基團， 具有1至50碳原子的取代或未取代的烷氧基基團，在環(huán)中具有6至50個碳原子的取代或 未取代的芳烷基基團，在環(huán)中具有5至50個碳原子的取代或未取代的芳氧基基團，在環(huán)中 具有5至50個碳原子的取代或未取代的芳硫基基團，具有1至50個碳原子的取代或未取 代的燒氧幾基基團，具有1至50個碳原子的取代或未取代的甲娃烷基基團，簇基基團，面素 原子，氯基基團，硝基基團或徑基基團。Ri和R2、R3和R4、r5和R6、r7和RS對中的一對或多 對任選地形成環(huán)系，并且 陽 187] r是 0、1、2、3 或 4。 陽18引其它優(yōu)選的ETM結構單元選自式（39)的咪挫衍生物和苯并咪挫衍生物，如在例如US2007/0104977Al中公開的： 陽 189] 陽190] 其中
陽191] R是氨原子，可W具有取代基的C6-C60芳基基團，可W具有取代基的化晚基基團， 可W具有取代基的哇嘟基基團，可W具有取代基的C1-20烷基基團，或可W具有取代基的C1-20烷氧基基團； 陽192] m是0至4的整數； 陽193] Ri是可W具有取代基的C6-C60芳基基團，可W具有取代基的化晚基基團，可W具 有取代基的哇嘟基基團，可W具有取代基的C1-20烷基基團，或可W具有取代基的C1-20燒 氧基基團； 陽194] R2是氨原子，可W具有取代基的C6-C60芳基基團，可W具有取代基的化晚基基團， 可W具有取代基的哇嘟基基團，可W具有取代基的C1-20烷基基團，或可W具有取代基的C1-20烷氧基基團；并且 陽1巧]L是可W具有取代基的C6-60亞芳基基團，可W具有取代基的亞化晚基基團，可W具有取代基的亞哇嘟基基團，或可W具有取代基的亞巧基基團，并且 陽196] Ari是可W具有取代基的C6-C60芳基基團，可W具有取代基的化晚基基團，或可W 具有取代基的哇嘟基基團。 陽197] 還優(yōu)選的是2, 9, 10-取代的蔥（被1-或2-糞基和4-或3-聯苯取代）或含有兩 個蔥單元的分子，如在例如US2008/0193796Al中公開的。
[0198] 在另一種優(yōu)選實施方式中，所述ETM材料選自下式（40)至（45)的雜芳族環(huán)系：
陽201] 特別優(yōu)選的是式（46)至（48)的蔥苯并咪挫衍生物，如在例如US6878469B2、US2006/147747A和EP1551206Al中公開的： 陽202]
陽203] 特別優(yōu)選用于電子傳輸層的共聚物含有來自二苯甲酬、=嗦、咪挫或苯并咪挫衍 生物的具有電子傳導性質的結構單元，或者可W任選被取代的巧單元。運些的實例是二苯 甲酬單元、芳基立嗦單元、苯并咪挫單元和二芳基巧單元。 陽204] 特別優(yōu)選使用選自下式（49)至巧2)的結構單元的具有電子傳導性質的結構單元 或化合物：
陽206] 其中
[0207] R哇R4可W采取與式（38)中相同的定義。 陽20引在具有電子傳導或主要電子傳導性質的電子傳輸層中的聚合物中，具有電子傳導 性質的材料的比例或具有電子傳導性質的結構單元的比例優(yōu)選在10摩爾％~99摩爾％的 范圍，更優(yōu)選在20摩爾％~80摩爾％的范圍，最優(yōu)選在30摩爾％~60摩爾％的范圍。 陽209] 在優(yōu)選實施方式中，所述電子傳導材料作為結構單元被并入聚合物中，并因此是 電子傳導聚合物。
[0210] 優(yōu)選地，所述電子傳導聚合物具有至少一種選自如上面關于發(fā)光體層中的聚合物 描述的聚合物骨架結構單元的另外的結構單元。 陽211] 所述至少一種聚合物骨架結構單元在所述電子傳導聚合物中的比例優(yōu)選在10摩 爾％~99摩爾％的范圍，更優(yōu)選在20摩爾％~80摩爾％的范圍，最優(yōu)選在30摩爾％~60 摩爾％的范圍。
[0212] 在所述電子傳導聚合物中形成所述聚合物骨架的非常特別優(yōu)選的結構單元選自 巧、螺二巧、巧并巧、菲、二氨菲、二苯并嚷吩、二苯并巧喃及其衍生物。
[0213] 在優(yōu)選實施方式中，所述電子傳導聚合物是共輛的聚合物。所述共輛的聚合物的 特別優(yōu)選的聚合物骨架結構單元選自上面提到的式（23)至（31)的結構單元。
[0214] 在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實施方式中，所述電子傳導聚合物是非共輛的或部分共輛 的聚合物。所述非共輛的或部分共輛的聚合物的特別優(yōu)選的聚合物骨架結構單元選自上面 提到的式（32)至（37d)的結構單元。
[0215] 在另一種優(yōu)選實施方式中，所述電子傳導層僅包含如上所述的低分子量電子傳輸 材料。
[0216] 在另一種優(yōu)選實施方式中，所述電子傳導層包含至少一種低分子量電子傳輸材料 和聚合物的混合物。該聚合物的特別優(yōu)選的聚合物骨架結構單元選自巧、螺二巧、巧并巧、 菲和二氨菲，及其衍生物。另外，該聚合物也可W另外具有如上所述的電子傳導重復單元。
[0217] 含有電子傳導結構單元的聚合物的實例和相應的合成法例如在US2003/0170490 Al中W=嗦單元作為電子傳導結構單元進行了公開。
[0218] 本申請還提供了包含所述空穴傳導或主要空穴傳導的聚合物和至少一種溶劑的 制劑。
[0219] 本發(fā)明的電子器件可另外包含其它層，所述層尤其可W選自空穴注入層、發(fā)光體 層、電子阻擋層、空穴阻擋層、激子產生層和電子注入層。
[0220] 優(yōu)選地，本發(fā)明器件的所述至少一個發(fā)光體層從溶液中施加。 陽221] 在特別優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明的電致發(fā)光器件的兩個層即所述至少一個發(fā)光 體層和所述至少一個電子傳輸層都從溶液施加。 陽222] 本發(fā)明的電致發(fā)光器件的一種優(yōu)選實施方式具有下文中描述的結構，所述結構對 于頂部發(fā)射顯示器是尤其有利的： 陽223]-基底，其通常由玻璃或塑料組成，或AM顯示器的反面，
[0224]-陰極，在此通常使用具有低逸出功的金屬、金屬的組合或金屬合金，例如Ca、Ba、Cs、Mg、AI、In或Mg/Ag， 悅巧]-任選的電子注入層（"EIL")，其中該層可W任選與下文中提到的皿L和/或ETL 層合并， 陽226]-至少一個電子傳輸層巧化)，其旨在首先傳輸電子和其次阻擋空穴，
[0227]-至少一個由上述材料組成的發(fā)光體層（EML)， 陽22引-任選的空穴注入層化IL)，和
[0229] -透明陽極，其通常由氧化銅錫廣口0")組成。
[0230] 在一種優(yōu)選實施方式中，空氣穩(wěn)定型陰極被用于本發(fā)明的電致發(fā)光器件中。運種 空氣穩(wěn)定型陰極可由如下組成：如化que等在高等材料（Adv.Mater.) 2007,19,683 - 687中 報道的Ti〇2、或如化adl巧等在高等材料（Adv.Mater.)DOI:10. 1002/a血a. 200802594中報 道的Zr〇2、或如Bolink等在高等材料（Adv.Mater.) 2009, 21，79 - 82中報道的化0。 陽231] 本申請還提供了具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的電致發(fā)光聚合物，如上面關 于本發(fā)明電致發(fā)光器件的所述至少一個發(fā)光體層已經描述的。 陽232] 優(yōu)選地，所述具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的聚合物具有至少一種空穴傳輸 結構單元和至少一種發(fā)光結構單元，其中所述至少一種空穴傳輸結構單元和所述至少一種 發(fā)光結構單元可W選自上面關于本發(fā)明電致發(fā)光器件的所述至少一個發(fā)光體層的發(fā)光聚 合物已經描述的結構單元。 陽233]更優(yōu)選地，具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本發(fā)明的材料另外具有至少一種 聚合物骨架結構單元，所述聚合物骨架結構單元可W選自上面已經描述的聚合物骨架結構 單元。
[0234] 非常特別優(yōu)選形成所述聚合物骨架的結構單元選自巧、螺二巧、巧并巧、菲、二氨 菲、二苯并嚷吩、二苯并巧喃及其衍生物。 陽235] 最優(yōu)選地，所述空穴傳輸結構單元選自胺、=芳基胺、嚷吩、巧挫和上面提到的式 (18)至（21)的結構單元。 陽236] 空穴傳輸聚合物的實例在WO2007/131582Al和WO2008/009343Al中公開。 陽237] 含有金屬絡合物的聚合物的實例及其合成方法在EP1138746Bl和DE 102004032527Al中公開。
[0238] 在另一種優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的聚合物是非共輛的或部分共輛的聚合物。 陽239] 特別優(yōu)選的本發(fā)明的非共輛或部分共輛的聚合物包含非共輛的聚合物骨架結構 單元。
[0240] 所述非共輛的聚合物骨架結構單元優(yōu)選選自上述的式（32)和（33)的巧并巧結構 單元。 陽241] 其它優(yōu)選的非共輛的聚合物骨架結構單元選自上述的式（34a)至（37d)的巧、菲、 二氨菲和巧并巧衍生物。 陽242] 所述具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本發(fā)明聚合物中的所述聚合物骨架結 構單元的比例優(yōu)選在10摩爾％~99摩爾％的范圍，更優(yōu)選在20摩爾％~80摩爾％的范 圍，最優(yōu)選在30摩爾％~60摩爾％的范圍。 陽243] 所述具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本發(fā)明聚合物中的所述空穴傳輸結構 單元的比例優(yōu)選在10摩爾％~99摩爾％的范圍，更優(yōu)選在20摩爾％~80摩爾％的范圍， 最優(yōu)選在30摩爾％~60摩爾％的范圍。
[0244] 所述具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本發(fā)明聚合物中的所述發(fā)光結構單元 的比例優(yōu)選在0. 01摩爾％~20摩爾％的范圍，更優(yōu)選在0. 5摩爾％~10摩爾％的范圍， 最優(yōu)選在1摩爾％~5摩爾％的范圍。
[0245] 本申請還提供了包含至少一種如上所述的具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的 本發(fā)明聚合物的混合物。 陽246] 本申請還提供了包含至少一種如上所述具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本 發(fā)明聚合物和至少一種溶劑的制劑。 陽247] 在一種優(yōu)選實施方式中，所述制劑是均勻的溶液，意味著只存在一個均相。
[0248] 在另一種實施方式中，所述制劑是乳液，意味著連續(xù)相和不連續(xù)相二者都存在。
[0249] 優(yōu)選地，所述至少一種溶劑選自有機溶劑。更優(yōu)選地，所述有機溶劑選自二氯甲 燒、立氯甲燒、一氯苯、鄰二氯苯、四氨巧喃、苯甲酸、嗎嘟、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二 甲苯、1,4-二Ii燒、丙酬、甲基乙基酬、1,2-二氯乙燒、1，1，I-S氯乙燒、1，1，2, 2-四氯乙 燒、乙酸乙醋、乙酸正下醋、二甲基甲酯胺、二甲基乙酷胺、二甲基亞諷、糞滿、糞燒、巧滿及 其混合物。 陽巧0] 所述制劑中本發(fā)明聚合物的濃度優(yōu)選在0.OOl重量％~50重量％的范圍，更優(yōu)選 在0.Ol重量％~20重量％的范圍，甚至更優(yōu)選在0. 1重量％~10重量％的范圍，尤其在 0. 1重量％~5重量％的范圍。所述制劑可W任選另外包含至少一種粘合劑，W便能夠調節(jié) 流變性質，如在例如WO2005/055248Al中所述的。 陽251] 本申請還提供了具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本發(fā)明聚合物或者包含具 有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本發(fā)明聚合物的混合物在電子器件中的用途。 陽252]本申請同樣提供了包含具有空穴傳導或主要空穴傳導性質的本發(fā)明聚合物的電 子器件。
[0253] 所述電子器件優(yōu)選具有2、3、4、5或6個電極。 陽254] 在一種特別優(yōu)選的實施方式中，所述電子器件具有兩個電極：陽