組分的任何合金。
[0093] 按照與實(shí)施例1的P側(cè)阻擋金屬層BMl的次序相同的次序沉積實(shí)施例1的n電極 N1。n電極Nl由依次沉積在n型半導(dǎo)體層120上的Ti、Al合金、1曰、1'1、？*、411和41形成。 Ti的厚度為化m。Al合金的厚度為100皿?；暮穸葹?00皿。Ti的厚度為300皿。Pt的 厚度為100皿。Au的厚度為1500皿。Al的厚度為10皿。運(yùn)些層的厚度僅僅是示例。所述 厚度不限于此。
[0094] 3-2-2.實(shí)施例 2
[0095] 在表1的實(shí)施例2中，P電極Pl與實(shí)施例1中的P電極Pl相同。
[0096]P側(cè)阻擋金屬層BMl由按照如下次序在P電極Pl上沉積的Ti、化、Ti、Au和Al形 成。Ti的厚度為化m?；暮穸葹?00皿。Ti的厚度為50皿。Au的厚度為1500皿。Al的 厚度為lOnm。運(yùn)些層的厚度僅僅是示例。所述厚度不限于此。
[0097] 按照與實(shí)施例2的P側(cè)阻擋金屬層BMl的次序相同的次序沉積實(shí)施例2的n電極 Nlo
[0098]3-2_3.實(shí)施例 3
[0099] 在表1的實(shí)施例3中，P電極Pl由依次沉積在透明電極TEl上的化、Al合金、化 和Ti形成。與透明電極TEl接觸的化的厚度為化m。Al合金的厚度為100皿?；暮穸?為lOnm。Ti的厚度為50nm。所述厚度僅僅是示例。所述厚度不限于運(yùn)些。
[0100] 實(shí)施例3的P側(cè)阻擋金屬層BMl與實(shí)施例2的P側(cè)阻擋金屬層BMl相同。 陽(yáng)101] 按照與實(shí)施例3的P側(cè)阻擋金屬層BMl的次序相同的次序沉積實(shí)施例3的n電極 Nlo 陽(yáng)刪表1
[0104] 4.n電極和P側(cè)阻擋金屬層的效果 陽(yáng)105] 因?yàn)镻電極Pl覆蓋有P側(cè)阻擋金屬層BM1，所W抑制了P電極Pl中的Ag合金或Al合金的遷移。Ag合金或Al合金對(duì)從發(fā)光層130朝半導(dǎo)體層發(fā)出的光進(jìn)行反射。
[0106] 在運(yùn)些實(shí)施例中，與Au接觸的Al不可能發(fā)生遷移。Al接觸電阻率比Al的電阻率 低的Au。因此，無(wú)電流流過(guò)與Au接觸的A1。運(yùn)很難引起遷移。與Au接觸的Al足夠薄W至于不會(huì)引起遷移。 陽(yáng)107] 5.用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法
[0108] 接下來(lái)將描述用于制造根據(jù)實(shí)施方案1的發(fā)光裝置100的方法。在實(shí)施方案1中， 發(fā)光裝置100包括第一導(dǎo)電類型第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電類型第二半導(dǎo)體層，其 中，基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD)通過(guò)外延生長(zhǎng)形成半導(dǎo)體晶體層。因此，所述制造 方法包括形成電連接至第一半導(dǎo)體層的第一電極的第一電極形成步驟和形成電連接至第 二半導(dǎo)體層的第二電極的第二電極形成步驟。
[0109] 制造方法還包括在第二電極上形成第二電極側(cè)阻擋金屬層的第二電極側(cè)阻擋金 屬層形成步驟。第二電極具有包括Ag和Al中至少之一的電極層。在第一電極形成步驟和 第二電極側(cè)阻擋金屬層形成步驟中，在第二電極上形成第二電極側(cè)阻擋金屬層的同時(shí)，形 成電連接至第一半導(dǎo)體層的第一電極。在同一層狀結(jié)構(gòu)中沉積第一電極和第二電極側(cè)阻擋 金屬層。
[0110] 在半導(dǎo)體層的生長(zhǎng)中采用的載氣的實(shí)例包括氨化2)、氮OgW及氨和氮的混合物 (H2+N2)。在后面描述的步驟中，除非另有說(shuō)明，否則可W采用任何載氣。氨氣（N&)用作氮 源，S甲基嫁（Ga(CH3)3:"TMG")用作嫁源。S甲基銅（In(CH3)3:"TMI")用作銅源，S甲基 侶（Al(CHs) 3:"TMA")用作侶源。硅烷（SiH4)用作n型滲雜劑氣體，雙（環(huán)戊二締基）儀 (Mg(C^e)Z)用作P型滲雜劑氣體。 陽(yáng)111 ] 5-1.n型半導(dǎo)體層形成步驟
[0112] 首先，使用氨氣對(duì)襯底110進(jìn)行清潔。然后，在襯底110上形成n型半導(dǎo)體層120。 在形成n型半導(dǎo)體層120之前可W形成緩沖層。在該過(guò)程中，襯底溫度為700°C到1200°C。
[0113] 5-2.發(fā)光層形成步驟
[0114] 隨后，在n型半導(dǎo)體層120上形成發(fā)光層130。例如，重復(fù)地沉積InGaN層、GaN層 和AlGaN層。在該過(guò)程中，襯底溫度為700°C到900°C。
[0115] 5-3.P型半導(dǎo)體層形成步驟
[0116] 然后，在發(fā)光層130上形成P型半導(dǎo)體層140。在該過(guò)程中，襯底溫度為800°C到 1200°C。P型半導(dǎo)體層140的最上表面為P型接觸層。
[0117] 5-4.電流阻擋層形成步驟
[0118] 接下來(lái)，如圖9所示，在P型半導(dǎo)體層140的一部分140a上形成至少一個(gè)電流阻 擋層CBl。所述部分140a具有點(diǎn)狀形狀，并且被布置在P電極Pl與透明電極TEl接觸的區(qū) 域的正下方。出于該目的，通過(guò)光刻法在除了形成電流阻擋層CBl的區(qū)域W外的區(qū)域上形 成掩膜。通過(guò)氣相沉積形成電流阻擋層CB1。然后，移除掩膜。因此，如圖9所示，形成電流 阻擋層CBl。
[0119] 5-5.透明電極形成步驟
[0120] 如圖10所示，在P型半導(dǎo)體層140的剩余部分14化和電流阻擋層CBl上W平面 形狀形成透明電極TEl。首先，通過(guò)在P型半導(dǎo)體層140的漏出部分和電流阻擋層CBl上瓣 射IZO而均勻地形成由IZO形成的透明電極TE1。隨后，通過(guò)光刻法執(zhí)行圖案化。通過(guò)濕 法蝕刻移除用于露出透明電極的n型半導(dǎo)體層120的區(qū)域。此后，優(yōu)選地，執(zhí)行熱處理。因 此，如圖10所示，在P型半導(dǎo)體層140的剩余部分14化和電流阻擋層CBl上形成透明電極 TEl。 陽(yáng)121] 5-6.n型半導(dǎo)體層露出步驟
[0122] 如圖11所示，通過(guò)從P型半導(dǎo)體層140移除所述半導(dǎo)體層的一部分W露出n型半 導(dǎo)體層120的一部分120a?？蒞采用激光來(lái)代替干法蝕刻。因此，如圖11所示，n型半導(dǎo) 體層120的一部分120a被露出。
[0123] 5-7.絕緣層形成步驟
[0124] 如圖12所示，在透明電極TEl的一部分和n型半導(dǎo)體層120的一部分上形成光致 抗蝕劑圖案。通過(guò)氣相沉積在未覆蓋光致抗蝕劑的區(qū)域上形成絕緣層IPl和絕緣層IN1。 然后，去除光致抗蝕劑。W-組多個(gè)短帶形狀形成絕緣層IPl和絕緣層IN1，從而生成相鄰 短帶之間的未形成絕緣層的接觸間隙10和接觸間隙11。因此，在透明電極TEl上形成絕緣 層IP1，在n型半導(dǎo)體層120上形成絕緣層INl。 陽(yáng)1巧]5-8.P電極形成步驟
[01%] 如圖13所示，在透明電極TEl和絕緣層IPl上W帶狀形成P電極Pl。出于該目 的，設(shè)置光致抗蝕劑。通過(guò)瓣射形成P電極P1。例如，按照如下次序在透明電極TEl上形成 厚度為5皿的a-IZ0、厚度為100皿的Ag合金、厚度為100皿的化、厚度為50皿的Ti。P 電極Pl在絕緣層IPl上W帶狀延伸。P電極Pl通過(guò)接觸間隙10電連接至透明電極TE1。 陽(yáng)127] 5-9.n電極形成步驟和P側(cè)阻擋金屬層形成步驟
[0128] 如圖14所示，在同一步驟中執(zhí)行n電極形成步驟和P側(cè)阻擋金屬層形成步驟。即， 在n電極形成步驟和P側(cè)阻擋金屬層形成步驟中，在P電極Pl上形成P側(cè)阻擋金屬層BMl 的同時(shí)，在n型半導(dǎo)體層120上形成n電極Nl。n電極Nl在絕緣層INl上W帶狀延伸。n 電極NI通過(guò)接觸間隙11電連接至n型半導(dǎo)體層120。在同一層狀結(jié)構(gòu)中沉積n電極NI和P側(cè)阻擋金屬層BM1。因此，所述形成之后的n電極Nl和P側(cè)阻擋金屬層BMl具有相同的 層狀結(jié)構(gòu)。所述相同的層狀結(jié)構(gòu)表示如下結(jié)構(gòu)：按照相同的次序沉積多個(gè)層并且每個(gè)層的 厚度相同。 陽(yáng)129] 出于該目的，首先，在除了形成n電極Nl和P側(cè)阻擋金屬層BMl的區(qū)域W外的區(qū) 域上形成光致抗蝕劑。通過(guò)瓣射形成與n電極Nl和P側(cè)阻擋金屬層BMl相對(duì)應(yīng)的膜。例 如，依次沉積厚度為2nm的Ti、厚度為IOOnm的Al合金、厚度為IOOnm的化、厚度為300nm 的Ti、厚度為100皿的Pt、厚度為1500皿的Au和厚度為10皿的A1。然后，移除光致抗蝕 劑。因此，如圖14所示形成n電極Nl和P側(cè)阻擋金屬層BM1。
[0130] 5-10.保護(hù)膜形成步驟
[0131] 接下來(lái)，形成保護(hù)膜F1。通過(guò)CVD在n電極N1、P側(cè)阻擋金屬層BMl和其他層上 形成均勻的膜。通過(guò)干法蝕刻使P焊盤電極BMlc和n焊盤電極Nlc露出。由此形成保護(hù) 膜F1。 陽(yáng)132] 5-11.其他步驟 陽(yáng)133] 除了上述步驟W外，可W執(zhí)行另外的步驟如熱處理。W運(yùn)種方式制造圖1中的發(fā) 光裝置100。 陽(yáng)134] 6.實(shí)施方案1的效果
[0135] 在用于制造根據(jù)實(shí)施方案1的發(fā)光裝置100的方法中，將n電極形成步驟和P側(cè) 阻擋金屬層形成步驟組合成一個(gè)步驟。目P，通過(guò)執(zhí)行同一步驟一次就可W形成n電極Nl和 P側(cè)阻擋金屬層BMl兩者。因此，步驟數(shù)少于當(dāng)分開形成n電極Nl和P側(cè)阻擋金屬層BMl 時(shí)的步驟數(shù)。目P，制造發(fā)光裝置100的周期短。
[0136] 此外，通過(guò)用于制造根據(jù)實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法制造的發(fā)光裝置 100具有還用作反射膜的P電極Pl。因此，P電極Pl將來(lái)自發(fā)光層130的光朝半導(dǎo)體層反 射。因此，P側(cè)阻擋金屬層BMl幾乎不吸收光。
[0137] 7.變化方案