正極351和負(fù)極353的正下方。碗杯結(jié)構(gòu)38環(huán)繞焊墊32a，32b和LED倒裝芯片35而設(shè)置，其材質(zhì)例如是有機(jī)硅模塑料(SiliconeMolding Compound, SMC)或環(huán)氧樹脂模塑料(Epoxy Molding Compound, EMC)等高反射率材料，但本發(fā)明并不以此為限。熒光膠39設(shè)置在碗杯結(jié)構(gòu)38內(nèi)且覆蓋LED倒裝芯片35，其例如是由混合有熒光粉的樹脂材料制成，也可以是由內(nèi)表面涂覆有熒光層的樹脂層構(gòu)成。
[0031]承上述，絕緣基板31的上表面的位于焊墊32a和焊墊32b之間的區(qū)域(或稱焊墊32a和焊墊32b的分隔處)形成有相互間隔的溝槽311，溝槽313，以使得在進(jìn)行回流焊工藝時，焊錫36熔化后如果有向焊墊32a，32b之間的區(qū)域流動時，可以多一空間作為緩沖，從而可以改善短路的現(xiàn)象發(fā)生。本實(shí)施例中，溝槽311和溝槽313例如是通過與絕緣基板31例如陶瓷基板一起燒結(jié)成型而形成，又或者是在陶瓷基板燒結(jié)成型后使用激光雕刻(laserengraving)而形成。
[0032]更具體地，溝槽311和溝槽313中每一者的深度Η優(yōu)選為絕緣基板31的厚度Τ的10%?15%;典型地，溝槽311和溝槽313中每一者的深度Η位于20?30微米范圍內(nèi)。溝槽311和溝槽313的間距D2優(yōu)選為焊墊32a和焊墊32b的間距的10%?50%。
[0033]再者，請參見圖4，對于溝槽311和溝槽313中的每一者，以溝槽311為例，其包括主體部31 la和自主體部31 la側(cè)向延伸的延伸部31 lb ;而溝槽311和溝槽313的間距D2在本實(shí)施例中定義為各自的主體部之間的橫向距離。優(yōu)選地，溝槽311和溝槽313分別為正L型和倒L型，以溝槽311為例，其相當(dāng)于延伸部311b是從主體部311a的端部側(cè)向延伸而形成。此外值得一提的是，各個溝槽311，313的延伸部并不限于圖4所示的從主體部的端部側(cè)向延伸而形成，也可以如圖5所示的溝槽511，513，其延伸部是從主體部的兩個端部之間的中間部分側(cè)向延伸而形成，以溝槽511為例，其包括主體部51 la和自主體部511a側(cè)向延伸的延伸部511b。另外，從圖4還可以發(fā)現(xiàn)，溝槽311的延伸部311b和溝槽313的延伸部(圖4中未標(biāo)示)在縱向方向(也即主體部的延伸方向)上呈錯位設(shè)置；類似地，圖5中的溝槽511的延伸部511b和溝槽513的延伸部(圖5中未標(biāo)示)也是在縱向方向上呈錯位設(shè)置。另外，各個溝槽的延伸部也不限于圖4和圖5所示的形狀，其還可以是其他形狀，例如圖6所示的大致為圓形，也即為圓形或近似圓形的橢圓形。
[0034]請?jiān)賲⒁妶D4，優(yōu)選地，溝槽311的長度例如是其主體部311a的長度L2且大致為焊墊32a鄰近溝槽311的一個側(cè)邊的長度L2的95% ;類似地，溝槽313的長度例如是其主體部的長度且大致為焊墊32b鄰近溝槽313的一個側(cè)邊的長度的95%。
[0035]綜上所述，本發(fā)明上述實(shí)施例通過在絕緣基板例如陶瓷基板表面的焊墊分隔處新增溝槽作為回流焊工藝中焊錫熔化后流動的緩沖空間，因此可以改善短路現(xiàn)象的發(fā)生。
[0036]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝基板，包括絕緣基板、間隔設(shè)置在所述絕緣基板的第一表面上的第一焊墊和第二焊墊、間隔設(shè)置在所述絕緣基板的與所述第一表面相對的第二表面上的第一電極和第二電極，所述第一焊墊和所述第二焊墊分別與所述第一電極和所述第二電極電連接；其特征在于，所述絕緣基板的所述第一表面設(shè)置有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽相互間隔且位于所述第一焊墊和所述第二焊墊之間。2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽中每一者的深度位于20?30微米范圍內(nèi)。3.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽中每一者包括主體部和自所述主體部側(cè)向延伸的延伸部。4.如權(quán)利要求3所述的封裝基板，其特征在于，所述延伸部大致為圓形。5.如權(quán)利要求3所述的封裝基板，其特征在于，所述第一溝槽為正L型和倒L型中之一者，且所述第二溝槽為所述正L型和所述倒L型中之另一者。6.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第一溝槽與所述第二溝槽的間距為所述第一焊墊與所述第二焊墊的間距的10%?50%。7.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第一溝槽的長度大致為所述第一焊墊鄰近所述第一溝槽的一個側(cè)邊的長度的95%，所述第二溝槽的長度大致為所述第二焊墊鄰近所述第二溝槽的一個側(cè)邊的長度的95%。8.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽中每一者的深度為所述絕緣基板的厚度的10%?15%。9.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述絕緣基板的所述第一表面上的碗杯結(jié)構(gòu)，且所述碗杯結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述第一焊墊和所述第二焊墊以及所述第一溝槽和所述第二溝槽而設(shè)置。10.如權(quán)利要求9所述的封裝基板，其特征在于，所述碗杯結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為有機(jī)硅模塑料或環(huán)氧樹脂模塑料。11.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述絕緣基板為一陶瓷基板，所述第一溝槽和所述第二溝槽是通過燒結(jié)成型而形成、或者是在所述陶瓷基板燒結(jié)成型后通過激光雕刻而形成。12.一種LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)，包括LED倒裝芯片、熒光膠和如權(quán)利要求1至11任意一項(xiàng)所述的封裝基板；其中，所述LED倒裝芯片的正極和負(fù)極通過焊錫分別電連接至所述第一焊墊和所述第二焊墊，以及所述熒光膠覆蓋所述LED倒裝芯片。13.如權(quán)利要求12所述的LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊墊和所述第二焊墊分別通過位于所述LED倒裝芯片的所述正極和所述負(fù)極的正下方的金屬填充孔與所述第一電極和所述第二電極電連接。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種封裝基板，其包括：絕緣基板、間隔設(shè)置在絕緣基板的第一表面上的第一和第二焊墊、間隔設(shè)置在絕緣基板的與第一表面相對的第二表面上的第一和第二電極，第一焊墊和第二焊墊分別與第一電極和第二電極電連接。再者，絕緣基板的第一表面設(shè)置有第一和第二溝槽，第一溝槽和第二溝槽相互間隔且位于第一焊墊和第二焊墊之間。本發(fā)明還涉及一種包括前述封裝基板、LED倒裝芯片以及熒光膠的LED倒裝封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過在絕緣基板表面的焊墊分隔處新增溝槽作為回流焊工藝中焊錫熔化后流動的緩沖空間，因此可以改善短路現(xiàn)象的發(fā)生。
【IPC分類】H01L33/62, H01L33/52, H01L33/54
【公開號】CN105428508
【申請?zhí)枴緾N201510873346
【發(fā)明人】蘇宜清, 陳勇智, 洪盟淵
【申請人】開發(fā)晶照明（廈門）有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年12月2日