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      基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池及其制備方法

      文檔序號:9669378閱讀:763來源:國知局
      基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池及其制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于鈣鈦礦太陽電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池及其制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,為了解決日益嚴(yán)峻的能源和環(huán)境問題,人們把目光投向了新能源的開發(fā)和利用上。在各種新能源技術(shù)中,光伏發(fā)電無疑是最具有前景的方向之一。傳統(tǒng)的硅基太陽能電池雖然實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化,有著較為成熟的市場,但其性價比還無法與傳統(tǒng)能源相競爭,并且制造過程中的污染和能耗問題影響了其廣泛應(yīng)用。因此,研究和發(fā)展高效率、低成本的新型太陽能電池十分必要。在眾多的新型太陽能電池里,一種基于鈣鈦礦型的有機(jī)金屬鹵化物MAPbX3 (MA為CH3NH3,X代表鹵族元素,最常見的是I)材料的太陽電池引起了全世界的關(guān)注。自2009年出現(xiàn)到目前為止,鈣鈦礦太陽電池的最高效率已超過20%。
      [0003]鈣鈦礦材料不僅可以作為光吸收層,還可用作電子和空穴傳輸層,以此制備出不同結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池,其中最為常見的電池結(jié)構(gòu)為:具有Ti02骨架層的介孔結(jié)構(gòu)、具有平面異質(zhì)結(jié)的平板結(jié)構(gòu)以及有機(jī)結(jié)構(gòu)。平板結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽電池與介孔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽電池的不同在于沒有Ti02介孔骨架層,鈣鈦礦型的有機(jī)金屬鹵化物MAPbX^^T1g致密層直接接觸形成平面異質(zhì)結(jié)。平板結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽電池結(jié)構(gòu)簡單,制備較簡單,電池效率較高,但是穩(wěn)定性存在較大的問題。介孔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽電池,因?yàn)橛蠺i(Vt架層對MAPbX 3材料支撐與保護(hù),電池效率較為穩(wěn)定,且載流子在鈣鈦礦型有機(jī)金屬鹵化物MAPbX3M料中有l(wèi)OOnm左右的擴(kuò)散長度,使得其載流子收集效率高達(dá)99%以上,然而1102骨架層制備工藝較為復(fù)雜,需要高溫?zé)崽幚?,且骨架層不可避免的會影響光吸收,同時增加了器件內(nèi)阻、引入了缺陷,從而減小了光電流,降低了光電轉(zhuǎn)換效率。
      [0004]通過在鈣鈦礦的前驅(qū)體溶液中加入一定比例的1102納米晶體材料,制備的T1 JMAPbI3新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu),一定程度上介于平板結(jié)構(gòu)與介孔結(jié)構(gòu)之間。T1 2納米晶體誘導(dǎo)了鈣鈦礦晶體生長,減少了晶體缺陷,既可減小載流子復(fù)合的幾率,保持高的載流子收集效率,增加了器件穩(wěn)定性,又沒有引入多余的內(nèi)阻。復(fù)合的Ti02納米晶體材料與鈣鈦礦材料形成很好的體接觸,利于載流子傳輸與分離,與其他氧化物材料相比,1102納米晶體材料與相鄰的Ti02致密層晶體結(jié)構(gòu)和能級都很好匹配,可以更好地傳輸電子、減少復(fù)合幾率。基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池采用150°C以下低溫制備,工藝簡單易重復(fù),具有較大的商業(yè)應(yīng)用前景。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明在于提供一種基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池及其制備方法。一種基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池,所述玻璃基底、FT0透明電極、Ti02致密層、復(fù)合T1 2納米晶體的鈣鈦礦層、空穴傳輸層、金屬電極順次相連。在FTO透明電極的一端上沉積有金屬導(dǎo)線,金屬導(dǎo)線連接負(fù)載或測試裝置的一端,金屬電極連接負(fù)載或測試裝置的另一端。入射光從玻璃基底方向射入。Ti02致密層起到阻擋空穴、輸運(yùn)電子的作用。復(fù)合Ti02納米晶體的鈣鈦礦層主要作用是吸收光并轉(zhuǎn)化為電子和空穴。空穴傳輸層采用Spiro-MeOTAD,主要作用為收集空穴,阻擋電子和金屬電極復(fù)合的作用。金屬電極則負(fù)責(zé)收集電子。
      [0006]本方法的具體步驟如下:
      (1)清洗FT0導(dǎo)電玻璃襯底,去除FT0導(dǎo)電玻璃襯底表面沾污層,得到清潔的導(dǎo)電玻璃襯底,并在UV紫外燈下臭氧處理15~45分鐘,形成親水表面,然后置于干燥箱中進(jìn)行60°C干燥處理;
      (2)Ti02致密層制備:用水浴沉積的方法將濃度為200mM/mL四氯化鈦在70°C溫度下水解反應(yīng)一小時,得到致密的Ti02薄膜;
      (3)復(fù)合Ti02納米晶體的鈣鈦礦層制備:采用目前較為普遍的一步法或兩步法制備鈣鈦礦薄膜;
      a、一步法:首先在PbljPMAI銨混合溶液中摻入體積比為1:5~1:15的T1 2的P25漿料(2mg/mL),劇烈攪拌,使其混合均勻,然后用旋涂的方法在Ti02致密層上沉積混入1102納米晶體的鈣鈦礦薄膜,隨后,在100°C至130°C溫度下加熱半小時,得到比較均勻致密的復(fù)合Ti02納米晶體的|丐欽礦層;
      b、兩步法:首先在Pbl2溶液中摻入體積比為1:5~1:15的1102的P25漿料(2mg/mL),劇烈攪拌,使其混合均勻,然后用旋涂的方法在Ti02致密層上沉積混入T1 2納米晶體的Pbl 2薄膜;接著將Pbl2薄膜浸泡入配制好的MAI溶液當(dāng)中,反應(yīng)生成鈣鈦礦薄膜;隨后,在130°C至150°C溫度下加熱半小時,得到比較均勻致密的復(fù)合Ti02納米晶體的鈣鈦礦層;
      (4)空穴傳輸層制備:將配制好的Spiro-OMeTAD漿料,用旋涂的方法旋涂于制備好的鈣鈦礦層上,并在濕度約40%的空氣中保存12小時;
      (5)金屬電極制備:用磁控濺射鍍膜儀在空穴傳輸層上濺射一層金電極,電極厚度大約為 80nm。
      [0007]本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):
      本發(fā)明首次將二氧化鈦/鈣鈦礦復(fù)合納米結(jié)構(gòu)作為疏松的類骨架結(jié)構(gòu),應(yīng)用于鈣鈦礦太陽能電池,這種方法制作工藝簡單,全部過程都是低溫制備,大大簡化了介孔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦電池的制備工藝,并且明顯提高了鈣鈦礦電池的穩(wěn)定性,本發(fā)明真正實(shí)現(xiàn)了低溫快速制備鈣鈦礦電池器件。
      【附圖說明】
      [0008]圖1是基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是實(shí)施例一工藝條件下制得的基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池的ι-v效率曲線圖;
      圖3是實(shí)施例二工藝條件下制得的基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池的ι-ν效率曲線圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0009]本發(fā)明所用原料均采用市售化學(xué)純試劑,下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。在不違反本發(fā)明的主旨下,本發(fā)明應(yīng)不限于以下實(shí)施例具體明示的內(nèi)容。
      [0010]實(shí)施例一
      本發(fā)明利用打02納米顆粒自然沉降的方法配制兩步法Ti02/Pbl2溶液,將直徑約20nm的打02顆粒均勻分散到DMS0溶液里面,取分散均勻的T1 2的DMS0溶液按照體積比1:8的比例稀釋,在稀釋后的DMS0溶液中加入Pbl2,然后劇烈攪拌,使碘化鉛溶解,得到混合均勻的 Ti02/Pbl2溶液。
      [0011]本發(fā)明配制Ti02/Pbl2溶液具體步驟如下:
      (1)打02溶液配制:按照2mg/mL的濃度配制二氧化鈦P25的DMS0溶液,配制好后,用磁力攪拌器劇烈攪拌,使得Ti02納米顆粒在溶液中均勻分散;將經(jīng)過劇烈攪拌的T1 2溶液靜置5天,利用自然沉降過程將溶液中顆粒較大的1102沉降下去,然后取上層懸濁液,加入另外洗干凈的小瓶中,即得到分散均勻的打02的DMS0溶液;
      (2)從配置好的Ti02溶液中,取出500μ L溶液,按照體積比1:8的比例用DMS0溶液稀釋,然后按照Imol/mL的濃度在稀釋后的溶液中加入Pbl2,接著將混合了 T1jP Pbl 2的溶液在隊(duì)氣氛保護(hù)下攪拌2小時,即得到T1 2/PbI2溶液。
      [0012]本發(fā)明組裝基于二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽電池步驟如下:
      (1)清洗1.5*2.0 cm2的FT0導(dǎo)電玻璃襯底,將FT0導(dǎo)電玻璃依次用洗潔精、自來水、去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗2次,每次15分鐘,氮?dú)獯蹈?,去除FT0導(dǎo)電玻璃襯底表面沾污層,得到清潔的導(dǎo)電玻璃襯底,并在紫外臭氧表面處理設(shè)備UV紫外燈下臭氧處理15~45分鐘,形成親水表面,然后置于干燥箱中進(jìn)行60°C干燥處理;
      (2)配制200mM/mL的TiCl4溶液,用化學(xué)水浴的方法,在清洗干凈的FT0導(dǎo)電玻璃襯底上沉積1102致密層,70 °C溫度下水解反應(yīng)一小時得到致密的Ti02薄膜,用去離子水清洗掉玻璃表面殘余的雜質(zhì),然后用干燥箱干燥制備的樣品;
      (3)用旋涂法將配制好的Ti02/Pbl2溶液在轉(zhuǎn)速為3000rpm的轉(zhuǎn)速下,旋涂30s于致密的Ti02薄膜表面,得到淡黃色Pbl 2薄膜,然后將制備好的Pbl 2薄膜浸泡入濃度為40 %的MAI的異丙醇溶液中6min,反應(yīng)生成
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