透明導(dǎo)電片、及使用透明導(dǎo)電片的觸摸面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于透明電極等的透明導(dǎo)電片，特別涉及一種含有透明導(dǎo)電納米線的透明導(dǎo)電片。
【背景技術(shù)】
[0002]在透明基材上形成導(dǎo)電化合物薄膜的透明導(dǎo)電膜，利用其導(dǎo)電性的用途，例如在液晶顯示器、EL顯示器等平板顯示器和觸摸面板的透明電極等電氣、電子領(lǐng)域中廣泛使用。作為上述透明導(dǎo)電膜，眾所周知的是將氧化錫(Sn02)、氧化銦錫(ΙΤ0)或氧化鋅(ZnO)等通過真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等的干法工藝設(shè)置在透明基材的至少一個面上的透明導(dǎo)電膜。
[0003]另外，除上述干法工藝以外，還提出了通過使用導(dǎo)電高分子、CNT、例如金屬納米線等的金屬微粒的網(wǎng)絡(luò)構(gòu)造的濕法工藝而得到的透明導(dǎo)電膜。
[0004]其中，近年來，對作為在可見光領(lǐng)域透明的導(dǎo)電材料的金屬納米線進(jìn)行了研究。金屬納米線由于其很小，因此在可見光領(lǐng)域下的光透過性高，可期待其代替ΙΤ0作為透明導(dǎo)電膜的應(yīng)用。作為這樣的金屬納米線，一般已知有金納米線、銀納米線、銅納米線等，例如在專利文獻(xiàn)1中就提出了一種使用銀納米線的透明導(dǎo)電膜。
[0005]但是，銀納米線在實際條件下使用時，存在由于銀的氧化而導(dǎo)致的導(dǎo)電率降低的問題。例如，在專利文獻(xiàn)2中記載了針對導(dǎo)電率的降低，添加抗氧化劑、設(shè)置外覆層的內(nèi)容。但是，即使添加抗氧化劑、設(shè)置外覆層，仍然存在若可見光照射在銀納米線上，則銀納米線氧化，透明導(dǎo)電片的電阻值上升的問題。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1日本特開2009-205924號
[0009]專利文獻(xiàn)2日本特開2004-1966923號

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明要解決的問題
[0011]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種即使可見光照射在銀納米線上，銀納米線也難以被氧化的透明導(dǎo)電片。
[0012]解決問題的手段
[0013]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明按以下構(gòu)成:
[0014]根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式，提供一種透明導(dǎo)電片，具備:基體片，在上述基體片上層積的銀納米線保持層，在上述銀納米線保持層中添加的犧牲劑，和在上述銀納米線保持層的表面上層積的銀納米線。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式，提供一種透明導(dǎo)電片，具備:基體片，在上述基體片上層積的銀納米線保持層，在上述銀納米線保持層的表面上層積的銀納米線，在上述銀納米線上層積的外覆層，和在上述外覆層中添加的犧牲劑。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式，提供一種透明導(dǎo)電片，具備:基體片，在上述基體片上層積的銀納米線保持層，在上述銀納米線保持層的表面上層積的銀納米線，在上述銀納米線上層積的外覆層，和在上述銀納米線保持層中添加的犧牲劑。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式，提供一種透明導(dǎo)電片，相對于構(gòu)成銀納米線保持層的樹脂，添加了 0.01 % -10 %的比例的上述犧牲劑。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式，提供一種透明導(dǎo)電片，相對于構(gòu)成外覆層的樹脂，添加了 0.01 % -10 %的比例的上述犧牲劑。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的第六實施方式，提供一種透明導(dǎo)電片，上述銀納米線的直徑為5nm_500nm，長度為 500nm-50000nm。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的第七實施方式，提供一種透明導(dǎo)電片，上述銀納米線用銀以外的金屬鍍覆。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的第八實施方式，提供一種使用上述透明導(dǎo)電片的觸摸面板。
[0022]發(fā)明效果
[0023]本發(fā)明的透明導(dǎo)電片，是即使銀納米線被可見光長時間照射，也能夠抑制透明導(dǎo)電片的電阻值上升的透明導(dǎo)電片。
【附圖說明】
[0024]圖1是關(guān)于透明導(dǎo)電片的剖面圖。
[0025]圖2是關(guān)于透明導(dǎo)電片的剖面圖。
[0026]圖3是觸摸面板的立體圖。
[0027]圖4是沿圖2的A-A’的剖面圖。
[0028]圖5是沿圖3的B-B’的剖面圖。
【具體實施方式】
[0029]以下，基于附圖對涉及本發(fā)明的實施方式進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在本發(fā)明的實施例中記載的部位或部分的尺寸、材質(zhì)、形狀、其相對位置等，除非有特別的特定記載，只是說明例而已，并不旨在將本發(fā)明的范圍僅限定于此。
[0030]如圖1所示，透明導(dǎo)電片1包括基體片2、銀納米線保持層3、銀納米線4、外覆層5，上述各部分按照該順序而進(jìn)行層積。另外，在銀納米線保持層3和外覆層5中的至少任意一層中，添加有犧牲劑。
[0031]并且，銀納米線保持層3、銀納米線4、外覆層5的形成，除非有特殊說明，否則就可以通過與以往相同的方法來進(jìn)行。作為以往方法的例子，有凹版涂布法、輥式涂布法、逗號涂布法等的涂布法，凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法等的印刷法。以下，對上述構(gòu)成部分進(jìn)行說明。
[0032][基體片]
[0033]基體片只要是片狀、膜狀的就沒有特別限制。例如，可列舉為石英玻璃、無堿玻璃、結(jié)晶化透明玻璃、派熱克斯玻璃(注冊商標(biāo))等的玻璃，氧化鋁等的陶瓷，鐵、鋁、銅等的金屬，聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、纖維素樹脂、乙烯醇樹脂、氯乙烯樹脂、環(huán)烯烴系樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、ABS樹脂等的熱塑性樹脂，光固化樹脂、熱固化樹脂等。在重視透明性的情況時，優(yōu)選其總透光率為80%以上，例如可列舉為玻璃、聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、纖維素樹脂等。上述基材的厚度為lOym-lOmm。
[0034][銀納米線保持層]
[0035]銀納米線保持層，只要是能夠?qū)y納米線保持在基體片上的構(gòu)成部分就沒有特別限制。作為構(gòu)成銀納米線保持層的構(gòu)成部分，可列舉為粘合劑樹脂、感光性樹脂。另外，從能夠使銀納米線保持層的厚度變薄的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用感光性樹脂。
[0036]作為粘合劑樹脂，可列舉為丙烯酸類、聚酯、聚氨酯、硝基纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚氯乙烯等的熱塑性樹脂和三聚氰胺丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等的固化性樹脂等。
[0037]作為感光性樹脂，可列舉為丙烯酸類、聚酯、聚氨酯、硝基纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚氯乙烯等的熱塑性樹脂和三聚氰胺丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等的固化性樹脂等。
[0038][銀納米線]
[0039]銀納米線，由銀構(gòu)成。另外，上述銀納米線，通過使銀納米線彼此纏繞，各個銀納米線相接觸，從而成為整體導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)。銀納米線的形狀優(yōu)選為短軸方向的長度與長軸方向的長度之比(以下，稱為長徑比)為10-10000。若長徑比不足10，則透過率降低，若超過10000，則物理強度與透明導(dǎo)電性會降低。
[0040]另外，銀納米線的短軸方向的長度優(yōu)選為5nm-500nm，更優(yōu)選為5nm-100nm。若短軸方向的長度超過500nm，則透明導(dǎo)電片的透過率會降低。而若短軸方向的長度不足5nm，則銀納米線彼此的接觸會變得困難，透明導(dǎo)電片的導(dǎo)電性會降低。
[0041 ] 長軸方向的長度優(yōu)選為500nm-50000nm，更優(yōu)選為10000nm-40000nm。若長軸方向的長度不足500nm，則透明導(dǎo)電片的導(dǎo)電性會降低，若超過50000nm，則透過率會降低。
[0042]另外，銀納米線，優(yōu)選用銀以外的金屬鍍覆。若用銀以外的金屬鍍覆，則銀納米線在被可見光照射時，能夠抑制銀納米線的氧化。
[0043][外覆層]
[0044]外覆層只要是能夠保護(hù)銀納米線免受來自外部的物理、化學(xué)刺激的構(gòu)成部分就沒有特別限制。作為構(gòu)成外覆層的構(gòu)成部分，可列舉為粘合劑