此，本發(fā)明同軸電纜可具有高的可曉性，且可使電場(chǎng)屏蔽層與外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)之間的空 隙變小。
[0030] 發(fā)明的效果
[0031] 根據(jù)本發(fā)明，可提供在傳輸高頻信號(hào)的情況下插入損耗低且不存在傳輸特性惡化 的憂(yōu)慮的極細(xì)同軸電纜。
【附圖說(shuō)明】
[0032] 圖1的（a)部分為W往的同軸電纜的一例的與長(zhǎng)度方向垂直的截面的剖視圖，圖 1的化）部分為將W往的同軸電纜制作成極細(xì)電纜的口徑時(shí)與長(zhǎng)度方向垂直的截面的剖視 圖，圖1的（C)部分為在圖1的化）部分中示出的同軸電纜的電介質(zhì)層部分的放大剖視圖。
[0033] 圖2為實(shí)施方式的同軸電纜的與長(zhǎng)度方向垂直的截面的剖視圖。
[0034] 圖3為簡(jiǎn)要示出計(jì)算電場(chǎng)屏蔽層的電阻值時(shí)使用的常數(shù)的圖。
[0035] 圖4為示出傳輸信號(hào)頻率與反射損耗量之間的關(guān)系的圖。
[0036] 圖5為示出傳輸信號(hào)頻率與插入損耗之間的關(guān)系的圖。
[0037] 圖6為示出電場(chǎng)屏蔽層的電阻值與插入損耗的降低率之間的關(guān)系的圖。
[0038] 圖7為電介質(zhì)層的外徑與外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)的口徑之比與反射損耗量降低率之間 的關(guān)系的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]W下，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的同軸電纜。然而，需要留意的是，本發(fā)明的技術(shù)范圍 不限定于運(yùn)些實(shí)施方式，而設(shè)及發(fā)明要求保護(hù)范圍中記載的發(fā)明的等同替代。 W40] 對(duì)本發(fā)明的同軸電纜進(jìn)行說(shuō)明之前，進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明W往電纜的問(wèn)題。
[0041]圖1的（a)部分為W往的同軸電纜的一例的與長(zhǎng)度方向垂直的截面的剖視圖，圖 1的化）部分為將W往的同軸電纜制作成極細(xì)電纜的口徑時(shí)與長(zhǎng)度方向垂直的截面的剖視 圖，圖1的（C)部分為在圖1的化）部分中示出的同軸電纜的局部放大剖視圖。
[0042] 同軸電纜101包括：內(nèi)部導(dǎo)體111;電介質(zhì)層112,配置于內(nèi)部導(dǎo)體111的外周面； 多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)113,配置于電介質(zhì)層112的外周面；W及銷(xiāo)114,W覆蓋多個(gè)外部導(dǎo)體 用導(dǎo)線(xiàn)113的方式配置。作為同軸電纜101的結(jié)構(gòu)，示出了W往的同軸電纜的一例的結(jié)構(gòu)， 在電介質(zhì)層上未設(shè)置金屬層，而是直接W橫向卷繞的方式配置外部導(dǎo)體。同軸電纜101的 口徑由A表示，電介質(zhì)層112的口徑由B表示。多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)113的口徑由C表示， 在一例中，多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)113的口徑為30ym。
[0043] 同軸電纜102包括：內(nèi)部導(dǎo)體121 ;電介質(zhì)層122,配置于內(nèi)部導(dǎo)體121的外周面； 多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)123,配置于電介質(zhì)層122的外周面；銷(xiāo)124,W覆蓋多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo) 線(xiàn)123的方式配置。作為同軸電纜102的結(jié)構(gòu)，示出了將同軸電纜101細(xì)徑化來(lái)形成了極 細(xì)同軸電纜的結(jié)構(gòu)，在電介質(zhì)層上未設(shè)置金屬層，而是直接W橫向卷繞的方式配置外部導(dǎo) 體。同軸電纜102的口徑由D表示，電介質(zhì)層122的口徑由E表示。多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn) 123的口徑由C表示，且與同軸電纜101的多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)113的口徑相等。
[0044] 同軸電纜102的口徑D大致相當(dāng)于細(xì)徑化的同軸電纜101的口徑A的1/5。同軸 電纜101與電纜口徑變小的同軸電纜102,根據(jù)在制作上的問(wèn)題等，作為外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)使 用口徑大致相同的導(dǎo)體的情況較多。當(dāng)將口徑大致相同的導(dǎo)體用作用于形成外部導(dǎo)體的多 個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，若同軸電纜的口徑大，則相對(duì)于電介質(zhì)口徑，外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)的口徑 非常小，在外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)之間形成的空隙可忽視，若同軸電纜的口徑小，電介質(zhì) 口徑與外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)的口徑相似，在多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)之間形成的空隙的影 響不可忽視。 W45] 圖1的（a)部分中，由箭頭F表示的同軸電纜101的空隙的總大小與電介質(zhì)層112的截面積的比例為2%左右。另一方面，如圖1的（C)部分的放大剖視圖所示，圖1的化） 部分中由箭頭G表示的同軸電纜102的空隙的總大小與電介質(zhì)層112的截面積的比例為 8%左右。像運(yùn)樣，在同軸電纜102中，與同軸電纜101相比，空隙的總大小與電介質(zhì)層112 的截面積的比例增加到了4倍。
[0046] 若同軸電纜極細(xì)化，而使在多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)之間形成的空隙的大小 與電介質(zhì)層的截面積的比例變大，則在多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)層之間形成的空隙的 影響不可忽視，包括形成于電介質(zhì)層與外部導(dǎo)體之間的空隙在內(nèi)的有效的電介質(zhì)外形不呈 大致圓筒形，而是如圖I的（C)部分所示，呈歪的形狀。其結(jié)果，產(chǎn)生同軸電纜的傳輸特性 惡化的問(wèn)題。
[0047] 因此，如對(duì)比文件1及對(duì)比文件2中所述，考慮可利用在電介質(zhì)層上配置金屬層的 結(jié)構(gòu)來(lái)排除在多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)之間形成的空隙所造成的影響。
[0048] 然而，如上所述，對(duì)比文件2中記載的同軸電纜的金屬層具有足W發(fā)揮作為導(dǎo)體 的功能的厚度，當(dāng)傳輸高頻信號(hào)時(shí)，根據(jù)表皮效應(yīng)，傳輸信號(hào)可在配置于外部導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)的 附帶金屬層的塑料帶的金屬層中流動(dòng)。附帶金屬層的塑料帶的金屬層的電阻值發(fā)揮作為導(dǎo) 體的功能顯著，從而傳輸信號(hào)在附帶金屬層的塑料帶的金屬層中流動(dòng)，而不是在外部導(dǎo)體 中流動(dòng)，因此存在由傳輸信號(hào)時(shí)的電阻損耗引起的傳輸信號(hào)的損耗增加的憂(yōu)慮。
[0049] 為了改善在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載的結(jié)構(gòu)的同軸電纜的信號(hào)傳輸?shù)膿p耗，當(dāng)進(jìn)一步加 厚附帶金屬層的塑料帶的金屬層的厚度時(shí)，如上所述，同軸電纜的可曉性和耐久性降低，且 當(dāng)同軸電纜反復(fù)進(jìn)行彎曲動(dòng)作時(shí)，存在附帶金屬層的塑料帶的金屬層中發(fā)生龜裂，并且屏 蔽效果降低的憂(yōu)慮。
[0050] 本發(fā)明的發(fā)明人著眼于如下問(wèn)題：若將配置于多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)之間 的金屬層的電阻值設(shè)得非常大，金屬層不發(fā)揮作為導(dǎo)體的功能。目P，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了 如下問(wèn)題：通過(guò)使配置于多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)之間的金屬層非常薄而電阻值非常 大，來(lái)抑制傳輸信號(hào)在金屬層中流動(dòng)，可抑制傳輸信號(hào)的反射及損耗。
[0051] 根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)將配置于多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)之間的金屬層的電阻值 設(shè)得非常大，在傳輸信號(hào)為高頻的情況下，使傳輸信號(hào)在電阻值小的外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)中流 動(dòng)，而不是在金屬層中流動(dòng)，從而可抑制傳輸信號(hào)的反射及損耗。
[0052] 本發(fā)明提供同軸電纜，上述同軸電纜在多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)與電介質(zhì)層之間配置 具有不發(fā)揮作為導(dǎo)體功能程度的電阻值的金屬層，即，電場(chǎng)屏蔽層，從而將有效的電介質(zhì)的 外形校正為大致圓筒形，來(lái)降低傳輸信號(hào)的反射及損耗。
[0053]圖2為實(shí)施方式的同軸電纜的與長(zhǎng)度方向垂直的截面的剖視圖。
[0054] 同軸電纜1包括內(nèi)部導(dǎo)體11、電介質(zhì)層12、多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)13、銷(xiāo)14W及沿 著電介質(zhì)層12的外周面卷繞的帶材15。帶材15具有基帶16和電場(chǎng)屏蔽層17,基帶16W 與電介質(zhì)層相接觸的方式卷繞，電場(chǎng)屏蔽層17蒸鍛于基帶16的外側(cè)面，并且，電場(chǎng)屏蔽層 17的外周面與多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)13相接觸。
[0055] 內(nèi)部導(dǎo)體11包括由搶合而成的多個(gè)銀鍛銅合金線(xiàn)。內(nèi)部導(dǎo)體11可由銀鍛銅合金 線(xiàn)形成，也可由錫鍛銅、銀鍛銅、粗銅等形成。作為一例，內(nèi)部導(dǎo)體11的口徑為60ym。
[0056] 電介質(zhì)層12由四氣乙締-全氣甲基乙締基酸共聚物（PFA)形成，且配置于內(nèi)部導(dǎo) 體11的外周面。作為一例，電介質(zhì)層12的外徑為150ym。電介質(zhì)層12也可由聚乙締或聚 四氣乙締（PTFE)、四氣乙締-六氣丙締共聚物師巧、乙締-四氣乙締共聚物腳曬等其 他樹(shù)脂形成。
[0057] 多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)13分別由銀鍛銅合金線(xiàn)形成，且W至少一部分與電場(chǎng)屏蔽 層17的外周面相接觸的方式按照與帶材15的卷繞方向相同的方向被橫向卷繞。多個(gè)外部 導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)13分別具有傳輸信號(hào)時(shí)的作為回歸路徑的功能。作為一例，多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo) 線(xiàn)13的口徑分別為30ym。多個(gè)外部導(dǎo)體用導(dǎo)線(xiàn)13分別由銀鍛銅合金線(xiàn)形成，也可由錫鍛 銅、銀鍛銅、粗銅等形成。
[(K)郎]銷(xiāo)14由四氣乙締-全氣甲基乙締基酸共聚物（PFA)形成，且為配置于多個(gè)外部導(dǎo) 體用導(dǎo)線(xiàn)13的外周面的保護(hù)膜層。作為一例，銷(xiāo)14的厚度為30ym。
[0059] 基帶16為在一側(cè)面利用蒸鍛方式形成了電場(chǎng)屏蔽層的帶狀的聚醋膜，基帶16W 蒸鍛形成的電場(chǎng)屏蔽層的一面朝向外側(cè)且基帶16的寬度方向的端部重疊的方式沿著電介 質(zhì)層12的外周面卷繞。作為一例，基帶16的寬度為0.6mm，且厚度為4ym，蒸鍛形成的電 場(chǎng)屏蔽層17的厚度為0.1ym。
[0060] 電場(chǎng)屏蔽層17為在基帶16的一側(cè)表面蒸鍛形成的侶或銅等金屬。在電場(chǎng)屏蔽