x+y《1)表示的半導(dǎo)體物質(zhì)，例如 可選擇氮化侶銅嫁、氮化嫁、氮化侶嫁、氮化銅嫁、氮化侶、氮化銅等中的一種W上，并且，可 涂敷有第二導(dǎo)電性滲雜物（例如，Mg)。其中，發(fā)光結(jié)構(gòu)物至少包括上述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體 層21、上述活性層22、上述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層23，而且還可在各層的上方/下方包括其他 巧光體層、活性層、半導(dǎo)體層和/或電極層。優(yōu)選地，上述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層23的厚度可 W為50皿~500皿，但并不局限與此。上述超小型發(fā)光二極管所發(fā)出的光的顏色并不局限 于藍(lán)色，因此昨發(fā)出的光的顏色不同的情況下，可將其他種類的III-V族半導(dǎo)體物質(zhì)用作P 型半導(dǎo)體層，運(yùn)并不受限制。
[0110] 接著，對(duì)形成于第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層23上的第二電極層12進(jìn)行說(shuō)明。 陽(yáng)111] 上述第二電極層12可使用被用作普通的發(fā)光二極管元件的電極的金屬或金屬氧 化物，優(yōu)選地，可單獨(dú)或混合使用銘（化）、鐵（Ti)、侶（Al)、金（Au)、儀（Ni)、氧化銅錫及它 們的氧化物或合金等，但并不局限于此。優(yōu)選地，上述第二電極層的厚度可W為！~lOOnm， 但并不局限與此。在發(fā)光二極管元件包括第二電極層的情況下，存在如下優(yōu)點(diǎn)，即，可WW 低于在第二半導(dǎo)體層和電極線的連接部位形成金屬歐姆層的工序中所需的溫度來(lái)接合。
[0112] 另一方面，為了防止因上述超小型發(fā)光二極管元件的活性層22和包括超小型發(fā) 光二極管電極組件所包括的第一電極及第二電極的電極線相接觸而發(fā)生短路，超小型發(fā)光 二極管元件在外部面包括絕緣覆膜30,上述絕緣覆膜30至少覆蓋活性層22部分的整個(gè)外 部面。
[0113] 并且，優(yōu)選地，為了同時(shí)防止電路短路及因半導(dǎo)體層的外部表面受損而引起的超 小型發(fā)光二極管元件的耐久性下降的問(wèn)題，還可在第一半導(dǎo)體層21及第二半導(dǎo)體層23中 的一個(gè)W上的外部面涂敷絕緣覆膜30。
[0114] 具體地，如圖6所示，絕緣覆膜30覆蓋第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層21的外部面、活性層 22的外部面及第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層23的外部面。
[0115] 上述絕緣覆膜30起到當(dāng)超小型發(fā)光二極管元件所包括的活性層與電極相接觸時(shí) 防止發(fā)生電路短路的作用。并且，絕緣覆膜30通過(guò)保護(hù)包括超小型發(fā)光二極管元件的活性 層在內(nèi)的外部面，由此可通過(guò)防止元件的外部表面的缺陷來(lái)抑制發(fā)光效率下降。
[0116] 在使各個(gè)超小型發(fā)光二極管元件分別配置于互不相同的兩個(gè)電極之間并與兩個(gè) 電極相連接的情況下，可防止因活性層與電極相接觸而發(fā)生的電路短路。但是，在物理上， 很難使納米單元的超小型發(fā)光二極管元件分別安裝于電極。因此，如本發(fā)明，在通過(guò)施加電 源來(lái)使超小型發(fā)光二極管元件在互不相同的兩個(gè)電極之間自動(dòng)整列的情況下，超小型發(fā)光 二極管元件可在互不相同的兩個(gè)電極之間進(jìn)行移動(dòng)、整列等的位移，在此過(guò)程中，因超小型 發(fā)光二極管元件的活性層22的外部面有可能與電極線相接觸，從而有可能頻繁發(fā)生電路 短路。
[0117] 另一方面，在使超小型發(fā)光二管元件在電極上直立的情況下，有可能不發(fā)生因活 性層與電極線相接觸而引起的電路短路問(wèn)題。目P，僅在無(wú)法使超小型發(fā)光二極管元件在電 極上直立而使得上述發(fā)光二極管元件水平配置于電極上的情況下，才有可能導(dǎo)致活性層與 電極線相接觸，在運(yùn)種情況下，有可能僅存在超小型發(fā)光二極管元件未與互不相同的兩個(gè) 電極相連接的問(wèn)題，而不發(fā)生電路短路問(wèn)題。
[0118] 具體地，圖6為W往的超小型發(fā)光二極管電極組件的垂直剖視圖，可確認(rèn)，第一超 小型發(fā)光二極管元件71的第一半導(dǎo)體層71a與第一電極線61相連接，第二半導(dǎo)體層71c 與第二電極線62相連接，第一超小型發(fā)光二極管元件71直立于上下配置的兩個(gè)電極61、 62來(lái)與兩個(gè)電極61、62相連接。如圖6所示，在電極組件中，若第一超小型發(fā)光二極管元件 71同時(shí)與兩個(gè)電極連接，則由于不存在上述元件的活性層7化與互不相同的兩個(gè)電極61、 62中的一個(gè)相連接的可能性，從而有可能不發(fā)生因活性層7化和電極61、62相接觸而引起 的電路短路。
[0119] 與此相反，在圖6中，第二超小型發(fā)光二極管元件72水平配置于第一電極61，在此 情況下，第二超小型發(fā)光二極管元件72的活性層7化與第一電極61相連接。但在此時(shí)，僅 存在第二超小型發(fā)光二極管元件未與第一電極61及第二電極62相連接的問(wèn)題，而不會(huì)發(fā) 生電路短路問(wèn)題。由此，在如圖6所示的電極組件所包括的第一超小型發(fā)光二極管元件71 的第一半導(dǎo)體層71曰、活性層7化及第二半導(dǎo)體層71c的外部面涂敷絕緣覆膜的情況下，上 述絕緣覆膜僅具有如下目的及效果，即，通過(guò)防止超小型發(fā)光二極管元件外部表面受損來(lái) 防止發(fā)光效率下降。
[0120] 但是，本發(fā)明與如圖6中的W往超小型電極組件不同，由于是互不相同的兩個(gè)電 極W相隔開的方式配置于相同的平面上（參照?qǐng)D8)，且W與形成上述兩個(gè)電極的相同的平 面平行的方式水平配置超小型發(fā)光二極管元件，因此，必然發(fā)生在W往的超小型電極組件 中未發(fā)生的基于超小型發(fā)光二極管元件的活性層和電極間的相接觸而引起的電路短路的 問(wèn)題。因此，為了防止上述問(wèn)題，在超小型發(fā)光二極管元件的外部面必然需要覆蓋至少活性 層部分的整個(gè)外部面的絕緣覆膜。 陽(yáng)121] 進(jìn)而，如本發(fā)明的超小型電極組件所包括的超小型發(fā)光二極管元件，在具有依次 垂直排列第一半導(dǎo)體層、活性層、第二半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)的超小型發(fā)光二極管元件中，活性層 必然向外部露出。并且，在運(yùn)種結(jié)構(gòu)的超小型發(fā)光二極管元件中，活性層并不是僅位于上述 超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度方向的正中央，而是可向特定半導(dǎo)體層的一側(cè)傾斜，從而可 增加電極和活性層相接觸的可能性。由此，上述絕緣覆膜W與活性層在超小型發(fā)光二極管 元件中的位置無(wú)關(guān)的方式使超小型發(fā)光二極管元件與互不相同的兩個(gè)電極電連接，因此為 了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而必然需要上述絕緣覆膜。
[0122] 具體地，圖7為本發(fā)明優(yōu)選一實(shí)例的與第一電極和第二電極相連接的超小型發(fā)光 二極管元件的俯視圖及垂直剖視圖。具體地，如圖7中的A-A剖視圖，第一超小型發(fā)光二極 管元件121a、12化、121c中的活性層12化并不位于超小型發(fā)光二極管元件121的中央部， 而是向左側(cè)傾斜，在此情況下，使得活性層12化的一部分與電極131相連接的可能性變高， 因此有可能發(fā)生電路短路，并且上述問(wèn)題可成為引發(fā)超小型發(fā)光二極管電極組件的不良的 原因。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明所包括的超小型發(fā)光二極管元件在包括活性層部分的外 部面涂敷絕緣覆膜，并因絕緣覆膜，使得即使如圖7所示的第一超小型發(fā)光二極管元件121 的活性層12化搭在電極13,也有可能不會(huì)發(fā)生短路。 陽(yáng)12引優(yōu)選地，上述絕緣覆膜30可包括氮化娃（SIsNa)、二氧化娃（Si〇2)、氧化侶（Al2〇3)、 氨氧化給化％)、立氧化二錠化〇3)及二氧化鐵們〇2)中的一種W上，更加優(yōu)選地，上述絕 緣覆膜30可由上述成分形成，但可W為透明的絕緣覆膜30,但并不局限與此。在上述絕緣 覆膜30為透明的絕緣覆膜的情況下，上述絕緣覆膜30在起到上述絕緣覆膜30的作用的同 時(shí)，還可使因涂敷絕緣覆膜而有可能發(fā)生的發(fā)光效率下降的問(wèn)題最小化。
[0124] 另一方面，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選一實(shí)例，上述絕緣覆膜30有可能并不涂敷于超小型 發(fā)光二極管元件的第一電極層11及第二電極層12中的一個(gè)W上的電極層，更加優(yōu)選地，絕 緣覆膜30可均未涂敷于兩個(gè)電極層11、12。運(yùn)是因?yàn)樯鲜鰞蓚€(gè)電極層11、12和互不相同的 電極應(yīng)電連接，但若絕緣覆膜30涂敷于兩個(gè)電極層11、12,則有可能阻礙電連接，從而存在 導(dǎo)致超小型發(fā)光二極管的發(fā)光下降或者因未能電連接而無(wú)法發(fā)光的問(wèn)題。但是，若在超小 型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)電極層11、12和互不相同的兩個(gè)電極之間存在電連接，則可不存 在超小型發(fā)光二極管的發(fā)光問(wèn)題，從而除上述超小型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)電極層11、12 的末端部之外的剩余電極層11、12部分可包括絕緣覆膜30。
[01巧]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選一實(shí)例，上述超小型發(fā)光二極管元件還可在上述絕緣覆膜30 上包括疏水性覆膜40。上述疏水性覆膜40用于通過(guò)使超小型發(fā)光二極管元件的表面具有 疏水性特性來(lái)防止發(fā)光二極管元件之間的凝聚現(xiàn)象，當(dāng)超小型發(fā)光二極管元件與溶劑相混 合時(shí)，通過(guò)使超小型發(fā)光二極管元件之間的凝聚最小化，來(lái)消除阻礙獨(dú)立的超小型元件的 特性的問(wèn)題，當(dāng)向電極線施加電源時(shí)，可使各個(gè)超小型發(fā)光二極管元件更加容易地進(jìn)行位 置整列。
[01%] 疏水性覆膜40可形成于上述絕緣覆膜30上。在此情況下，只要形成于絕緣覆膜 上來(lái)防止超小型發(fā)光二極管元件之間的凝聚現(xiàn)象，則可使用的疏水性覆膜不受限制，優(yōu)選 地，上述疏水性覆膜可單獨(dú)或混合使用如十八烷基S氯硅烷（OCtade巧Itrichlorosilane, OT巧和氣烷基硅烷（fIuoroa化^trichlorosilane)、全氣烷基S乙氧基硅烷 (pe;rfluo;roa化}dt;riethoxysilane)等的自組裝單分子膜（SAMs,self-assembled monolayers)和如特氣龍（teflon)、全氣樹脂（切top)等的含氣聚合物（fluoropolymer)， 但并不局限于此。
[0127] 另一方面，為了使超小型發(fā)光二極管元件和互不相同的兩個(gè)電極之間電連接，本 發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件所包括的超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度滿足如下關(guān)系 式1。若并未電連接，即使向電極線施加電源，也使得并未電連接的超小型發(fā)光二極管元件 不發(fā)光，從而可存在無(wú)法實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的的致命問(wèn)題。 陽(yáng)12引 關(guān)系式1
[0129] 0. 5Z《H<X巧巧Z，優(yōu)選地，上述關(guān)系式1可滿足Z《H<X巧巧Z，更加優(yōu)選地，上 述關(guān)系式1可滿足Z《H《X+Y+Z，此時(shí)，可W為IOOnm<X《10ym、IOOnm<Y《10ym、 100皿<Z《10ym。上述X為電極線所包括的第一電極的寬度，上述Y為第二電極的寬度， 上述Z為第一電極和與上述第一電極相鄰的第二電極之間的間距，上述H為超小型發(fā)光二 極管元件的長(zhǎng)度。其中，在設(shè)有多個(gè)上述第一電極及第二電極的情況下，上述兩個(gè)電極間的 間距Z可相同或相異。
[0130] 上述超小型發(fā)光二極管元件與互不相同的兩個(gè)電極電連接的部分可W為超小型 發(fā)光二極管元件的第一電極層及第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層中的一個(gè)W上的層（或第二導(dǎo)電性 半導(dǎo)體層及第二電極層中的一個(gè)W上的層）。 陽(yáng)13U若超小型發(fā)光二極管元件的超長(zhǎng)度明顯小于互不相同的兩個(gè)電極之間的間距，貝U超小型發(fā)光二極管元件很難同時(shí)與互不相同的兩個(gè)電極相連接。因此，本發(fā)明的超小型發(fā) 光二極管元件為超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H滿足上述關(guān)系式1中的0. 5Z《H的超小 型發(fā)光二極管元件。若超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H不滿足關(guān)系式1中的0. 5Z《H，則 存在超小型發(fā)光二極管元件無(wú)法與第一電極和第二電極電連接，而超小型發(fā)光二極管元件 僅與第一電極及第二電極中的一個(gè)電連接的問(wèn)題。更加優(yōu)選地，如圖8所示，由于第二超小 型發(fā)光二極管元件122可介于第一電極111和第二電極131之間來(lái)電連接，從而本發(fā)明所 包括的超小型發(fā)光二極管元件可W為滿足關(guān)系式2中的Z《H的發(fā)光二極管元件。
[0132] 另一方面，在超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H考慮第一電極的寬度X、第二電極的 寬度Y及第一電極、第二電極之間的電極間距Z來(lái)變長(zhǎng)的情況下，可使得并非為圖7中的 第=超小型發(fā)光二極管元件123的兩個(gè)末端部的部分分別與第一電極112和第二電極132 獨(dú)立連接。若第=超小型發(fā)光二極管元件123的活性層不位于第=超小型發(fā)光二極管元件 123的中央部，而且在第=超小型發(fā)光二極管元件123的外部面未涂敷有至少覆蓋活性層 部分的外部面的絕緣覆膜，則有可能將成為發(fā)生電極112、132和第S超小型發(fā)光二極管元 件123之間發(fā)生電路短路的原因。但是，本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管元件在外部面包括至 少覆蓋活性層部分的整個(gè)外部面的絕緣覆膜，因此如圖7中的第=超小型發(fā)光二極管元件 123,即使在并非為超小型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)末端部分的部分與電極相連接的情況下， 也可W不發(fā)生電路短路，同時(shí)可電連接。
[0133] 但是，若隨著超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H同時(shí)考慮第一電極的寬度X、第二電 極的寬度Y及第一電極、第二電極之間的電極間距Z而變長(zhǎng)，來(lái)導(dǎo)致無(wú)法滿足關(guān)系式1中的 H<X巧巧Z，則可存在超小型發(fā)光二極管電極組件包括無(wú)法電連接的超小型發(fā)光二極管元 件的問(wèn)題。
[0134] 具體地，在圖7中，第四超小型發(fā)光二極管元件124同時(shí)與兩個(gè)第二電極132、133 及一個(gè)第一電極112相連接，但與運(yùn)種情況相對(duì)應(yīng)的超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度則屬于 不滿足上述關(guān)系式1中的H<X巧巧Z的情況。運(yùn)種超小型發(fā)光二極管元件由于在活性層 的外部面涂敷有絕緣覆膜，因此可消除因第二電極132、133或第一電極112與活性層相接 觸而發(fā)生的電路短路的問(wèn)題，但隨著兩個(gè)第二電極132、133與超小型發(fā)光二極管元件124 的兩個(gè)末端相連接，使得上述兩個(gè)第二電極132、133實(shí)際處于未電連接的狀態(tài)，運(yùn)就有可 能導(dǎo)致即使向電極線施加電源，也使圖7中的第四超小型發(fā)光二極管元件124不發(fā)光的問(wèn) 題。
[0135] 并且，即使若超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H大于上述第四超小型發(fā)光二極管元 件124的長(zhǎng)度，來(lái)使得超小型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)末端部與第一電極111及第二電極133 電連接，但因超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度變長(zhǎng)而使得光效率下降，從而存在無(wú)法制造出 所希望的超小型發(fā)光二極管電極組件的問(wèn)題。 陽(yáng)136] 因此，為了防止運(yùn)種問(wèn)題，超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H可滿足關(guān)系式1中的H < X巧巧z。
[0137]但是，若超小型發(fā)光二極管元件的活性層向特定導(dǎo)電性半導(dǎo)體層一側(cè)傾斜（參照 圖7中的12化），并且，與電極相連接的超小型發(fā)光二極管元件的部分為涂敷有絕緣覆膜的 活性層而非電極層和/或?qū)щ娦园雽?dǎo)體層，則雖因絕緣覆膜而不會(huì)發(fā)生電路短路，但有可 能存在超小型發(fā)光二極管元件未與電極線電連接的問(wèn)題。
[0138] 具體地，在圖7中，第五超小型發(fā)光二極管元件125同時(shí)與第一電極111及第二電 極131相連接。但是，若觀察圖7中的B-B剖視圖，則可確認(rèn)，與第一電極111相連接的第五 超小型發(fā)光二級(jí)管元件125的部分為涂敷有絕緣覆膜的活性層125c部分，第一電極層125a 及第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層12化未與第一電極111相連接。運(yùn)種第五超小型發(fā)光二極管元件 因在活性層125C部分的外部面涂敷有絕緣覆膜而不發(fā)生電路短路，但因第一電極層125a 及第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層12化未與第一電極111相連接，從而可存在當(dāng)向電極線施加電源時(shí) 超小型發(fā)光二極管元件125不發(fā)光的問(wèn)題。
[0139] 并且，在超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H滿足關(guān)系式1中的打Y+Z<H<XWWZ, 且在超小型發(fā)光二極管元件與電極電連接的狀態(tài)下，也有可能存在無(wú)法體現(xiàn)發(fā)出目標(biāo)光量 的超小型發(fā)光二極管電極組件的情況。具體地，在圖8中，第六超小型發(fā)光二極管元件126 與第一電極111及第二電極131電連接，因此當(dāng)向電極線施加電源時(shí)不存在發(fā)光方面的問(wèn) 題，但隨著第六超小型發(fā)光二極管元件126未W垂直于第一電極111及第二電極131的方 式整列來(lái)安裝，而是W傾斜的狀態(tài)安裝，因而導(dǎo)致用于安裝一個(gè)超小型發(fā)光二極管元件而 所占據(jù)的電極線的面積增加，由此，隨著可在電極線中的面積有限的超小型發(fā)光二極管元 件安裝區(qū)域安裝的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量減少，從而存在很難體現(xiàn)發(fā)出目標(biāo)光量的 超小型發(fā)光二極管電極組件的問(wèn)題。
[0140] 由此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，超小型發(fā)光二極管元件的長(zhǎng)度H可滿足關(guān)系式2 中的H《X巧+Z。在此情況下，可提現(xiàn)與在超小型發(fā)光二極管元件中向長(zhǎng)度方向涂敷絕緣覆 膜的活性層的位置無(wú)關(guān)地不存在電路短路并電連接的超小型發(fā)光二極管電極組件，由于使 一個(gè)超小型發(fā)光二極管元件所占據(jù)的電極線的面積減少，因此可增加在面積有限的電極線 可安裝的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量，從而非常有利于體現(xiàn)所希望的超小型發(fā)光二極管 電極組件。 陽(yáng)141] 接著，對(duì)上述超小型發(fā)光二極管元件與第一電極和第二電極運(yùn)雙方均連接的形態(tài) 進(jìn)行說(shuō)明。 陽(yáng)14引根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，為了提高光提取效率（extractionefficien巧）， 相對(duì)于底座基板，可水平配置與上述第一電極及第二電極相連接的超小型發(fā)光二極管元 件。更加優(yōu)選地，相對(duì)于基板，可向水平方向配置于超小型發(fā)光二極管元件。 陽(yáng)143] 圖8為本發(fā)明的優(yōu)選一實(shí)例所包括的超小型發(fā)光二極管電極組件的立體圖，多個(gè) 超小型發(fā)光二極管元件160cW平行于相對(duì)于底座基板160d的方式"水平配置"于第一電 極102a和第二電極10化。
[0144] 更加具體地，圖9的（a)部分為本發(fā)明優(yōu)選一實(shí)例的超小型發(fā)光二極管電極組件 的掃描式電子顯微鏡照片。根據(jù)上述掃描式電子顯微鏡照片中的本發(fā)明優(yōu)選一實(shí)例，第一 電極的寬度為3ym，第二電極的寬度為3ym，電極之間的間距為2ym，電極的厚度為2ym。 并且，與電極相連接的超小型發(fā)光二極管的長(zhǎng)度為2ym，半徑為500皿，用于使超小型發(fā)光 二極管與電極相連接而投入的漿料的濃度為相對(duì)于100重量份的丙酬，混合I.O重量份的 上述超小型發(fā)光二極管。進(jìn)而，為了使超小型發(fā)光二極管元件對(duì)電極自動(dòng)整列，施加了 1分 鐘的電壓為Vac= 30V，頻率為500曲Z的交流電源。
[0145] 如可通過(guò)上述掃描式電子顯微鏡照片確認(rèn)，超小型發(fā)光二極管搭在第一電極、第 二電極來(lái)與