透明導電膜及電子設備的制造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電子觸控技術，尤其涉及一種透明導電膜及電子設備。
【背景技術】
[0002]透明導電膜是具有良好導電性及在可見光波段具有高透光率的一種薄膜。現(xiàn)有技術中，采用極細的金屬線通過一定排列方式構成的金屬網(wǎng)格搭配在透明基底材料上，從而形成導電性較佳的透明導電膜。
[0003]但傳統(tǒng)透明導電膜在導電區(qū)域鋪設金屬網(wǎng)格，而在絕緣區(qū)域不進行金屬網(wǎng)格鋪設，使得導電區(qū)域和絕緣區(qū)域存在透過率差異，這種透過率差異會導致用戶隱約看到導電區(qū)域的網(wǎng)格，影響整體外觀效果。
[0004]現(xiàn)有一種透明導電膜，如圖1所示，其設有導電區(qū)域1和絕緣區(qū)域2，其導電區(qū)域1與絕緣區(qū)域2均鋪設金屬網(wǎng)格3，且通過將絕緣區(qū)域2內的金屬網(wǎng)格3做斷開處理從而保證絕緣區(qū)域2絕緣。這種做法在一定程度上降低金屬網(wǎng)格3的可見性，但由于絕緣區(qū)域2的金屬網(wǎng)格3存在若干斷開處，但仍然無法較好的解決透過率差異造成的Pattern及網(wǎng)格線可見問題。
【發(fā)明內容】
[0005]提供一種透過率均勻的透明導電膜。
[0006]一種透明導電膜，包括透明基底以及形成于所述透明基底表面的透明導電層，所述透明導電膜包括導電區(qū)域和絕緣區(qū)域，所述透明導電層設有多條網(wǎng)格線，所述多條網(wǎng)格線相互交叉形成多個網(wǎng)格單元，每個網(wǎng)格單元均具有由網(wǎng)格線構成的網(wǎng)格側邊；所述透明導電層的導電區(qū)域和絕緣區(qū)域還設有連接于所述網(wǎng)格側邊的支路結構，所述支路結構包括搭接于網(wǎng)格側邊的兩個搭接點及連接于兩個所述搭接點之間的分支線；所述導電區(qū)域的分支線設有將該區(qū)域的分支線電性斷開的第一斷開部；所述絕緣區(qū)域的網(wǎng)格側邊設有將該區(qū)域的網(wǎng)格側邊電性斷開的第二斷開部，且任一設置于絕緣區(qū)域的支路結構的兩個所述搭接點搭接于網(wǎng)格側邊且位于該網(wǎng)格側邊上的第二斷開部的同一側。
[0007]進一步的，導電區(qū)域中支路結構的分布概率與絕緣區(qū)域中支路結構的分布概率相同。
[0008]進一步的，分支結構的兩個搭接點位于網(wǎng)格單元的同一網(wǎng)格側邊上。
[0009]進一步的，導電區(qū)域及絕緣區(qū)域的各個網(wǎng)格的各個網(wǎng)格側邊均設有支路結構。
[0010]進一步的，所述導電區(qū)域的支路結構的分支線包括子搭接點及多條依次相連的子分支線，相鄰兩個子分支線通過子搭接點相互連接，所述子搭接點設置于相鄰兩個子分支線的相鄰端部，任一子分支線上所連接的搭接點或子搭接點與該設置于該子分支線上的第一斷開部之間的距離大于或等于該子分支線的長度的五分之一。
[0011]進一步的，設任一網(wǎng)格側邊的長度為L，設置于該網(wǎng)格側邊的支路結構設有多個子分支線，且各個所述子分支線中最長的子分支線的長度為10 μ m至0.5L ;各個所述子分支線中最短的子分支線的長度為10 μ m至0.3L。
[0012]進一步的，所述第一斷開部的斷開間隙長度為5 μ m至15 μ m。
[0013]進一步的，所述第二斷開部的斷開間隙長度為5 μ m至15 μ m。
[0014]進一步的，第一斷開部的斷開間隙長度與第二斷開部的斷開間隙長度相同。
[0015]進一步的，所述支路結構的分支線為直線段、曲線段、折線段，或以上三種線段中的至少兩種的組合。
[0016]進一步的，所述支路結構的形狀為矩形、梯形、圓弧形或多邊形。
[0017]一種電子設備，設有如上所述的透明導電膜。
[0018]本發(fā)明通過于透明導電膜的導電區(qū)域和絕緣區(qū)域分別設置支路結構及第一斷開部及第二斷開部，在保證導電區(qū)域和絕緣區(qū)域的導電或絕緣性能的同時，使透明導電膜的整體透過率更加均勻，提升透明導電膜及其使用透明導電膜的電子設備的整體視覺效果。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是現(xiàn)有技術中的一種透明導電膜的結構示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明的第一實施例的透明導電膜的剖面示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明的第一實施例的透明導電膜的導電區(qū)域的局部放大示意圖；
[0023]圖4是本發(fā)明的第一實施例的透明導電膜的絕緣區(qū)域的局部放大示意圖；
[0024]圖5至圖7是本發(fā)明其他實施例中的網(wǎng)格單元的結構示意圖；
[0025]圖8(a)至圖8(e)是本發(fā)明其他實施例中的凹槽的結構示意圖；
[0026]圖9至圖11是本發(fā)明的第一實施例的支路結構的結構示意圖；
[0027]圖12至圖15是本發(fā)明其他實施例中的支路結構的結構示意圖；
[0028]圖16是本發(fā)明的另一實施例的透明導電膜的剖面示意圖；
[0029]圖17至圖18是本發(fā)明的又一實施例的透明導電膜的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0030]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0031]本發(fā)明能夠進一步減少現(xiàn)有透明導電膜的透過率差異，提供一種透過率更加均勻，導電膜Pattern及網(wǎng)格線可見性低的透明導電膜，提升透明導電膜及其使用透明導電膜的電子設備的整體視覺效果。
[0032]請參閱圖2至圖4。本發(fā)明的透明導電膜10包括透明基底11及形成于所述透明基底11的導電層。在本實施例中，所述導電層由設置于透明基底11上的多條網(wǎng)格線13構成。其中，若干網(wǎng)格線13相互交叉，形成網(wǎng)格單元130。設置有網(wǎng)格單元130的透明導電膜10包括導電區(qū)域10a和絕緣區(qū)域10b。
[0033]請參閱圖2。在本實施例中，透明基底11上開設有整體呈網(wǎng)格狀的凹槽111，且凹槽111內填充有導電材料，從而形成多條導電的網(wǎng)格線13。其中透明基底11可采用如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等熱塑性材料制成。網(wǎng)格狀凹槽內填充的導電材料可采用導電金屬、碳納米管、石墨烯墨水或導電高分子。
[0034]在本實施例中，如圖3和圖4所示，網(wǎng)格線13交叉形成的網(wǎng)格單元130的形狀為四邊形結構，在其他實施例中，網(wǎng)格單元130的形狀還可以其他規(guī)則網(wǎng)格或隨機網(wǎng)格，可以為正六邊形、三角形或其他隨機網(wǎng)格形狀，如圖5至圖7為本發(fā)明實施例提供的網(wǎng)格單元130的不同實施方式的示意圖。基底11或基質層12上設置有網(wǎng)格狀凹槽結構，凹槽結構的深度可為2微米至6微米，凹槽的寬度可為0.2微米至5微米，本領域技術人員可自行設計凹槽的尺寸，使得凹槽的深度和寬度的比值大于或等于0.8。
[0035]請參閱圖8(a)至圖8(e)，圖8(a)所示的凹槽111為底部為“V”字形的微型槽，圖8(b)所示的凹槽111為底部為“W”字形的微型槽，圖8(c)所示的凹槽111為底部為弧形的微型槽，圖8(d)所示的凹槽111為底部為波浪形的微型槽，圖8(e)所示的凹槽111為底部為弧形與“V”字形結構相組合的微型槽。
[0036]凹槽111為底部為“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形等形狀的微型槽，這樣凹槽111內的導電墨水在烘干的時候，導電墨水縮聚，不容易出現(xiàn)烘干后的導電材料斷開的現(xiàn)象，以及增大導電材料與凹槽142底部的接觸面積，從而增大導電材料對凹槽142底部的吸附力。
[0037]可以理解，凹槽111不限于上述結構，其底部還可以為其它形狀，只需滿足網(wǎng)格狀凹槽底部不平整即可。
[0038]請再次參見圖3及圖4，透明導電膜10的導電區(qū)域10a和絕緣區(qū)域10b均設有網(wǎng)格單元130。每個網(wǎng)格單元130均具有由網(wǎng)格線13構成的網(wǎng)格側邊131?？梢岳斫獾氖?，相鄰的兩個網(wǎng)格單元130具有一個共用的網(wǎng)格側邊131。在本實施例中，所述網(wǎng)格單元130的網(wǎng)格側邊131即為任一網(wǎng)格線13被相交于該網(wǎng)格線13并相互鄰近的另外兩個網(wǎng)格線13所截取的網(wǎng)格線的一段。
[0039]請一并參見圖9至圖11，在本實施例中，透明導電層還包括若干支路結構16。每個支路結構16包括兩個搭接點161及連接于所述兩個搭接點161之間的分支線160，支路結構16的分支線160通過搭接點161搭接于網(wǎng)格單元130的網(wǎng)格側邊131。在導電區(qū)域10a內，支路結構16的分支線160之上設有第一斷開部18，第一斷開部18使得導電區(qū)域10a內的支路結構16電性斷開，從而不參與導電區(qū)域10a的導電。
[0040]類似的，設置于所述透明導電膜10的絕緣區(qū)域10b的網(wǎng)格單元130的網(wǎng)格側邊131設有第二斷開部19。如圖4所示，在絕緣區(qū)域10b內，第二斷開部19設置于網(wǎng)格側邊131之上且位于任意一個支路結構16的兩個搭接點161外側，以保持絕緣區(qū)域13的網(wǎng)格側邊131的絕緣性。
[0041]第一斷開部18、第二斷開部19可采用多種方式實現(xiàn)，如在本實施例中，斷開部140即在凹槽111內一定長度內不填充導電材料或將一定長度內的作為導電材料的網(wǎng)格線13替代為絕緣材料，從而形成具有非導電、且一定寬度的斷開部。
[0042]在本實施例中，支路結構16的形狀為矩形。在本發(fā)明的