疊方向上部分地重疊，則也可看作是滿足 W< 0. 95XL的扁平粒子10連續(xù)層疊的部分。在該層疊的部分中，當(dāng)在扁平粒子之間存在 L多W> 0. 95XL的扁平粒子時(shí)，則不看作是滿足W彡0. 95XL的扁平粒子連續(xù)層疊的部 分。
[0031]圖1的曲線14中示出滿足0.95XL的扁平粒子連續(xù)層疊的部分的包圍方法 (外周）的一例。如此包圍的部分的面積S的比例優(yōu)選占磁性材料100的截面面積的10% 以上。
[0032]圖3A~D表示包圍了滿足W彡0.95XL的扁平粒子連續(xù)層疊的部分的圖。以下具 體地?cái)⑹霭鼑椒?。首先，在按照達(dá)到長徑La的8倍~12倍的方式進(jìn)行了觀察的磁性材 料100的截面SEM圖像中，找到1個(gè)1邊的長度滿足W彡0. 95XL的扁平粒子（1)。在扁平 粒子⑴的層疊方向上相鄰的扁平粒子⑵滿足W彡0. 95XL、扁平粒子（1)、⑵之間僅存 在基質(zhì)相或非磁性相時(shí)，則為扁平粒子（1)、（2)連續(xù)層疊的部分。同樣，在扁平粒子（2)的 層疊方向上相鄰的扁平粒子（3)滿足0. 95XL、扁平粒子（2)、（3)之間僅存在基質(zhì)相或 非磁性相時(shí)，則為扁平粒子（1)、（2)、（3)連續(xù)層疊的部分。如此，特定出滿足W彡0. 95XL 的彎曲的2個(gè)以上扁平粒子連續(xù)層疊的部分。其中，圖3A~D中，顯示出各個(gè)扁平粒子的 (1)、（2)、（3)由于并未具體地特定，因此未圖示。
[0033] 圖3A~B為扁平粒子10是以由外側(cè)的弧、內(nèi)側(cè)的弧和直線構(gòu)成的形狀、且滿足 W< 0. 95XL的4個(gè)扁平粒子層疊在一起的圖。首先，如圖3A所示，在4個(gè)扁平粒子的外側(cè) 的弧的頂點(diǎn)中，特定出位于最外側(cè)的多個(gè)頂點(diǎn)α(圖3A的6個(gè)黑圓）。接著，用直線將相鄰 扁平粒子的頂點(diǎn)α之間連接。位于同一扁平粒子內(nèi)的頂點(diǎn)α之間并不連接。在圖3Α中 所引出的直線和扁平粒子的邊（弧和直線）上以實(shí)線的方式將外周包圍（圖3Β)。
[0034]圖3C~D為扁平粒子10是以由外側(cè)的弧、內(nèi)側(cè)的弧構(gòu)成的形狀、且滿足 W< 0. 95XL的4個(gè)扁平粒子層疊在一起的圖。首先，如圖3C所示，在4個(gè)扁平粒子的頂點(diǎn) 中，特定出位于最外側(cè)的多個(gè)頂點(diǎn)β(圖3C的6個(gè)黑圓）。接著，用直線將相鄰扁平粒子的 頂點(diǎn)β之間連接。位于同一扁平粒子內(nèi)的頂點(diǎn)β之間并不連接。在圖3C中所引出的直 線和扁平粒子的弧上以實(shí)線的方式將外周包圍（圖3D)。
[0035] 如此，在按照達(dá)到長徑La的8倍~12倍的方式進(jìn)行了觀察的磁性材料100的截面 SEM圖像中，將滿足W彡0. 95XL的2個(gè)以上扁平粒子連續(xù)層疊的部分全部特定，如圖3B、 圖3D那樣將外周包圍，計(jì)算所包圍的部分的面積的總和S相對(duì)于磁性材料100的截面積的 比例。
[0036]如圖4A~B所示，當(dāng)扁平粒子10滿足W彡0. 95XL時(shí)，則流過扁平粒子10內(nèi)的 渦電流的直線距離縮短，可以降低渦流損耗。當(dāng)增大扁平粒子10的長徑L時(shí)，高頻帶內(nèi)渦 流損耗增大，如此通過彎曲扁平粒子10,還可以使用長徑L大的扁平粒子10。另外，當(dāng)使用 長徑L大的扁平粒子10時(shí)，具有抑制扁平粒子10的氧化、進(jìn)而扁平粒子10的填充率增大、 飽和磁化增大的優(yōu)點(diǎn)。
[0037] 如上計(jì)算的面積S的比例為磁性材料100的截面的面積（磁性材料100的截面 SEM圖像的面積）的10%以上。面積S的比例小于10%時(shí)，無法獲得渦流損耗的降低效果。 另外，通過使面積S為10%以上，則相對(duì)于垂直扁平粒子10層疊方向的方向，可以提高磁性 材料100的強(qiáng)度。
[0038] 優(yōu)選扁平粒子的長徑平均值La為1μm以上且50μm以下。一般來說，渦流損耗與 頻率的平方成比，在高頻帶內(nèi)，渦流損耗增大。當(dāng)扁平粒子10的長徑平均值La大于50μm 時(shí)，粒子內(nèi)發(fā)生的渦流損耗在約100kHz以上時(shí)變得顯著，因此不優(yōu)選。另外，由于鐵磁諧振 頻率降低、在MHz頻帶顯現(xiàn)因鐵磁諧振所導(dǎo)致的損耗，因此不優(yōu)選。當(dāng)扁平粒子10的長徑 平均值La小于1μm時(shí)，雖然高頻帶內(nèi)的渦流損耗小，但頑磁力大、磁滯損耗增大，因此不優(yōu) 選。如此，為了在100kHz~MHz頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)低磁損耗的磁性材料100,有扁平粒子10的適 合的長徑的范圍。
[0039] 扁平粒子10優(yōu)選含有Fe(鐵）、Co(鈷）或Ni(鎳）。扁平粒子10還可以是Fe、 Co、Ni單質(zhì)的金屬。扁平粒子10還可以是Fe基合金、Co基合金、FeCo基合金、FeNi基合金 等合金。Fe基合金例如可以舉出FeCo合金、FeNi合金、FeMn(鐵猛）合金、FeCu(鐵-銅） 合金。Co基合金例如可以列舉出CoFe合金、CoNi合金、CoMn合金、CoCu合金。FeCo基合 金例如可以列舉出FeCoNi、FeCoMn、FeCoCu合金。FeNi基合金例如可以列舉出FeNiMn合 金、FeNiCu合金、FeNiAl合金。另外，有時(shí)扁平粒子10上形成將扁平粒子10覆蓋的氧化 膜。
[0040]扁平粒子10優(yōu)選含有鐵氧化物、鈷氧化物或鎳氧化物。通過在扁平粒子10的內(nèi) 部含有氧化物，可以抑制因氧在扁平粒子10內(nèi)擴(kuò)散所導(dǎo)致的磁性金屬（Fe、Co或Ni)的氧 化。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)高飽和磁化且因氧化導(dǎo)致的經(jīng)時(shí)劣化少、可靠性高的磁性材料100。這里，鐵 氧化物例如是用FeOx的化學(xué)式表示的氧化物，Kx< 1. 5。另外，鈷氧化物例如是用CoOy的化學(xué)式表示的氧化物，Ky< 4/3。另外鎳氧化物是例如用NiOz的化學(xué)式所表示的氧 化物，1彡z彡2。
[0041] 本實(shí)施方式中使用的元素的組成分析例如可通過SEM-EDX(EnergyDispersive X-rayFluorescenceSpectrometer，能量色散X射線焚光光譜儀）或透射型電子顯微鏡 (TransmissionElectronMicroscope:TEM)_EDX等方法進(jìn)行。
[0042] 扁平粒子10的長徑L優(yōu)選具有拐點(diǎn)。拐點(diǎn)是指長徑L從向上凸變成向下凹的點(diǎn) (圖5的點(diǎn)X)，即長徑L的切線斜率從單純?cè)黾幼兂蓡渭儨p小的點(diǎn)。如圖5所示，當(dāng)扁平粒 子10的長徑L具有拐點(diǎn)時(shí)，與沒有圖2的拐點(diǎn)的扁平粒子相比，具有進(jìn)一步抑制渦流損耗 的效果或者在垂直于粒子層疊方向的方向上的強(qiáng)度增加的效果。
[0043] 以上，通過本實(shí)施方式的磁性材料，可以提供高頻帶內(nèi)具備高導(dǎo)磁率和低磁損耗 的特性的磁性材料。
[0044] (第2實(shí)施方式）
[0045] 本實(shí)施方式的設(shè)備是具備上述實(shí)施方式中說明過的磁性材料100的設(shè)備。因此， 省略與上述實(shí)施方式重復(fù)的內(nèi)容的記載。
[0046] 本實(shí)施方式的設(shè)備例如為電感器、扼流圈、濾波器、變壓器等高頻磁性部件、天線 基板和部件、電波吸收體等。
[0047] 最容易利用上述實(shí)施方式的磁性材料100的特征的用途是電感器。特別是，當(dāng)應(yīng) 用于在100kHz以上的高頻帶內(nèi)施加高電流的功率電感器時(shí)，易于發(fā)揮磁性材料100所具備 的高導(dǎo)磁率和低磁損耗的效果。
[0048] 圖6A~B、圖7A~B、圖8為本實(shí)施方式的電感器的概念圖的一個(gè)例子。
[0049] 作為最基本的結(jié)構(gòu)，可以列舉出圖6A的在環(huán)狀磁性材料上實(shí)施線圈繞線的形態(tài)、 圖6B的在棒狀磁性材料上實(shí)施線圈繞線的形態(tài)等。為了將扁平粒子10和基質(zhì)相12 -體化 成環(huán)狀或棒狀，優(yōu)選在〇.lkgf/cm2以上的壓力下實(shí)施壓制成型。當(dāng)壓力小于0.lkgf/cm2時(shí)， 有成型體內(nèi)部的空隙增多、扁平粒子10的體積率降低、飽和磁化、導(dǎo)磁率減小的可能性。壓 制成型可以列舉出單螺桿壓制成型法、熱壓成型法、CIP(各向同性壓力成型）法、HIP(熱等 靜壓成型）法、SPS(放電等離子體燒結(jié)法）法等方法。
[0050] 進(jìn)而，還可制成圖7A所示的線圈繞線與磁性材料成為一體的片式電感器或圖7B 所示的平面型電感器等。片式電感器還可以如圖7A那樣制成層疊型。
[0051] 圖8表示變壓器結(jié)構(gòu)的電感器。
[0052] 圖6A-B、圖7A-B、圖8僅僅是記載了代表性的結(jié)構(gòu)，實(shí)際上優(yōu)選根據(jù)用途和所要求 的電感器特性來改變結(jié)構(gòu)和尺寸。
[0053] 根據(jù)本實(shí)施方式的設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)特別是在1