芯片封裝基板及、芯片封裝結(jié)構(gòu)及二者之制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種芯片封裝基板、芯片封裝結(jié)構(gòu)及二者之制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 芯片封裝基板由于可為芯片提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功效，在電子產(chǎn) 品中得到廣泛的應用。隨著電子產(chǎn)品的輕薄化發(fā)展，芯片封裝基板也日益輕薄化。芯片封 裝結(jié)構(gòu)包括芯片封裝基板以及設(shè)置在芯片封裝基板上的芯片。然而，設(shè)計一種薄型化的芯 片封裝基板與高密集布線的芯片封裝結(jié)構(gòu)是本領(lǐng)域的技術(shù)人員函待解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種能解決上述問題的芯片封裝基板、芯片封裝結(jié)構(gòu)及二 者之制作方法。
[0004] 一種芯片封裝基板，其包括：第一導電線路層、第一導電柱與第一封裝膠體，該第 一封裝膠體包括頂面與底面，該第一導電線路層嵌設(shè)在第一封裝膠體中，該第一導線線路 層包括上表面與下表面，該上表面與該第一封裝膠體的底面齊平，該第一導電柱自該下表 面延伸至第一封裝膠體的頂面，該第一導電柱的末端與該第一封裝膠體的頂面齊平。
[0005] -種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括：封裝基板、至少一層增層線路層與芯片；該封裝基板 包括第一導電線路層、第一導電柱與第一封裝膠體，該第一封裝膠體包括頂面與底面，該第 一導電線路層嵌設(shè)在第一封裝膠體中，該第一導線線路層包括上表面與下表面，該上表面 與該第一封裝膠體的底面齊平，該第一導電柱自該下表面延伸至第一封裝膠體的頂面，該 第一導電柱的末端與該第一封裝膠體的頂面齊平，該增層線路層設(shè)置在該第一封裝膠體的 底面并且與該第一導電線路層保持電性連接，該芯片設(shè)置在該第一封裝膠體的頂面并且與 該第一導電柱電性連接。
[0006] -種芯片封裝基板的制作方法，包括步驟： 提供一個基板，包括承載板及位于所述承載板相對兩側(cè)的第一原銅層及第二原銅層； 分別在該第一原銅層與第二原銅層的表面形成第一導電線路層與第二導電線路層及 分別在該第一導電線路層與第二導電線路層的表面形成第一導電柱與第二導電柱； 在所述第一原銅層上形成第一封裝膠體，在所述第二原銅層上形成第二封裝膠體，所 述第一封裝膠體包覆所述第一導電線路層與第一導電柱，所述第二封裝膠體包覆所述第二 導電線路層與所述第二導電柱，研磨第一封裝膠體以暴露第一導電柱，研磨該第二封裝膠 體以包括第二導電柱； 拆板并且移除第一原銅層與第二原銅層得到第一芯片封裝基板與第二芯片封裝基板。
[0007] -種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟：提供如上所述的芯片封裝基板的制作 方法制作而成的芯片封裝基板； 在封裝基板的其中一個表面形成至少一層增層線路層； 在所述增層線路層的表面形成防焊層； 在封裝基板的另外一個表面設(shè)置芯片，使芯片與封裝基板電性連接。
[0008] 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，根據(jù)本發(fā)明提供的芯片封裝基板制作方法制作的芯片封裝基 板，由于采用封裝膠體作為后續(xù)芯片承載主體的一部分，可以實現(xiàn)芯片封裝基板的薄型化； 根據(jù)本發(fā)明提供的芯片封裝基板與增層線路層的結(jié)合制作而成的芯片封裝結(jié)構(gòu)，增層線路 層可以根據(jù)實際需要進行擴展，并且由于芯片封裝基板與增層線路層中分別承載線路層所 使用的材料不同，可以克服僅使用封裝膠體作為芯片承載主體時出現(xiàn)的翹曲現(xiàn)象，由于可 以將芯片封裝基板的導電線路層向增層線路層擴張，還可以實現(xiàn)芯片封裝結(jié)構(gòu)的高密度布 線需求。
【附圖說明】
[0009] 圖1是本發(fā)明第一實施方式所提供的基板的俯視圖。
[0010] 圖2是圖1中的一個基板單元的剖面示意圖。
[0011] 圖3是圖2中的在第一原銅層上形成第一電鍍阻擋層及在第二原銅層上形成第二 電鍍阻擋層的剖面示意圖。
[0012] 圖4是在第一原銅層表面形成第一導電線路層、在第二原銅層表面形成第二導電 線路層的剖面示意圖。
[0013] 圖5是在部分第一導電線路層上形成第三電鍍阻擋層、在部分第二導電線路層上 形成第四電鍍阻擋層的剖面示意圖。
[0014] 圖6是在第一導電線路層上形成第一導電柱、在第二導電線路層上形成第二導電 柱的剖面示意圖。
[0015] 圖7是移除第一至第四電鍍阻擋層后的剖面示意圖。
[0016] 圖8是在第一原銅層表面形成第一封裝膠體、在第二原銅層表面形成第二封裝膠 體并且經(jīng)過研磨暴露第一導電柱、第二導電柱的剖面示意圖。
[0017] 圖9是經(jīng)過拆板后的剖面示意圖。
[0018] 圖10是蝕刻第一原銅層與第二原銅層之后得到的第一芯片封裝基板與第二芯片 封裝基板的剖面示意圖。
[0019] 圖11是芯片封裝基板與增層線路層相結(jié)合、并在增層線路層表面形成防焊層的 剖面示意圖。
[0020] 圖12是在圖11的基礎(chǔ)上設(shè)置芯片得到的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0021] 主要元件符號說明

如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0022] 下面將結(jié)合附圖及實施例對本技術(shù)方案提供的電路板結(jié)構(gòu)及其制作方法作進一 步的詳細說明。
[0023] 本技術(shù)方案第一實施方式提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)100的制作方法，包括步驟： 第一步，請參閱圖1~2,提供一個基板11。所述基板11可被分為多個陣列排布的基板 單元110。
[0024] 請參閱圖2,每個所述基板單元110在厚度方向上包括承載板111、第一膠層112、 第二膠層113、第一分離銅層114、第二分離銅層115、第一原銅層116及第二原銅層117。所 述第一膠層112、第二膠層113分別位于所述承載板111的相背兩側(cè)。所述第一分離銅層 114內(nèi)嵌在所述第一膠層112中。所述第二分離銅層115內(nèi)嵌在所述第二膠層113中。所 述第一原銅層116覆蓋在所述第一膠層112及第一分離銅層114的表面。所述第二原銅層 117覆蓋在所述第二膠層113及第二分離銅層115的表面。所述第一膠層112及第二膠層 113均為熱塑性膠層。
[0025] 第二步，請參閱圖3及圖4,分別在所述第一原銅層116與第二原銅層117的表面 形成第一導電線路層118與第二導電線路層119。
[0026] 形成所述第一導電線路層118與第二導電線路層119包括步驟： 首先，請參閱圖3,分別在所述第一原銅層116及第二原銅層117表面形成第一電鍍阻 擋層123及第二電鍍阻擋層133。所述第一電鍍阻擋層123開設(shè)有多個第一開孔1231，露 出部分第一原銅層116。所述第二電鍍阻擋層133開設(shè)有多個第二開孔1331，露出部分第 二原銅層117。
[0027] 其次，請參閱圖4,在從所述第一開孔1231露出的第一原銅層116上電鍍形成多個 第一導電線路層118 ;在從所述第二開孔1331露出的第二原銅層117上形成第二導電線路 層 119。
[0028] 第三步，請參閱圖5及圖6,分別在所述第一導電線路層118與第二導電線路層 119的表面形成第一導電柱128與第二導電柱129。
[0029] 形成所述第一導電柱128與第二導電柱129包括步驟： 首先，在所述第一電鍍阻擋層123與部分所述第一導電線路層118的表面形成第三電 鍍阻擋層143,在所述第二電鍍阻擋層133與部分所述第二導電線路層119的表面形成第四 電鍍阻擋層153。在本實施方式中，所述第三電鍍阻擋層143開設(shè)有多個第三開孔1431，露 出部分第一導電線路層118。所述第四電鍍阻擋層153開設(shè)有多個第四開孔1531，露出部 分第二導電線路層119。
[0030] 其次，在從所述第三開孔1431露出的所述第一導電線路層118上電鍍形成第一導 電柱128 ;在從所述第四開孔1531露出的所述第二導電線路層119上電鍍形成第二導電柱 129。最后，請參閱圖7,移除所述第一至第四電鍍阻擋層123、133、143、153。在本實施方式 中，第一導電線路層118,所述第二導電線路層119,第一導電柱128,第二導電柱129均是采 用電鍍方式形成，相比現(xiàn)有技術(shù)以蝕刻銅箔所形成的導電線路層，具有更薄更細之線路結(jié) 構(gòu)。
[0031] 第四步，請參閱圖8,在所述第一原銅層116上形成第一封裝膠體125,在所述第二 原銅層117上形成第二封裝膠體135。所述第一封裝膠體125包覆所述第一導電線路層118 與第一導電柱128,研磨所述第一封裝膠體125,使所述第一封裝膠體125遠離所述第一原 銅層116的表面與所述第一導電柱128遠離第一原銅層116的表面位于同一平面內(nèi)，以露 出所述第一導電柱128。所述第二封裝膠體135包覆所述第二導電線路層119與所述第二 導電柱129,研磨所述第二封裝膠體135,使所述第二封裝膠體135遠離所述第二原銅層117 的表面與所述第二導電柱129遠離所述第二原銅層117的表面位于同一平面內(nèi)，以露出所 述第二導電柱129。
[0032] 第五步，請參閱圖2、圖9與圖10,拆板并且移除第一原銅層116與第二原銅層117 得到第一芯片封裝基板13與第二芯片封裝基板14。具體地，加熱第一膠層112至其熔點， 先使所述第一原銅層116與第一分離銅層114分離，較佳地，是使用研磨的方式移除第一原 銅層116,當然，在其它實施方式中，也可以采用蝕刻技術(shù)移除第一原銅層116,從而暴露所 述第一導電線路層118,進而得到第一芯片封裝基板13 ;加熱第二膠層113至其熔點，使所 述第二原銅層117與第二分離銅層115分離再采用蝕刻技術(shù)移除第二原銅層117,從而暴露 所述第二導電線路層119,進而得到第二芯片封裝基板14。
[0033] 第六步，請參閱圖11，在所述第一芯片封裝基板13或者第二芯片封裝基板14的其 中一個表面形成至少一層增層線路層15以及在所述增層線路層15遠離所述第一芯片封裝 基板13或者第二芯片封裝基板14的表面形成防焊層16。在本實施方式中，為了保證后續(xù)形 成的芯片封裝結(jié)構(gòu)良好的導通，是在所述第一芯片封裝基板13或者第二芯片封裝基板14 的導電線路層表面形成所述增層線路層15。所述增層線路層15的材料由聚合物（polymer) 制成，譬如為聚乙烯（PE)、聚丙烯（PP)等，在本實施方式中，所述增層線路層15的材料為聚 丙烯。由于芯片封裝基板與增層線路層15中分別承載線路層所使用的材料不同，但他們具 有較匹配之熱膨脹系數(shù)（Coefficientofthermalexpansion,CTE)，具體地，后續(xù)在所述 第一芯片封裝基板13的表面焊接的芯片17的熱膨脹系數(shù)約為2. 6ppm/°C，第一封裝膠體 125與第二封裝膠體135的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂（Epoxy)，其熱膨脹系數(shù)約為55ppm/°C，而用于 形成增層線路層15的聚丙烯（PP)的熱膨脹系數(shù)約為50-200ppm/°C，也即第一封