有機(jī)電致發(fā)光顯示基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示基板的制備過程中，如圖1和圖2所示，先在襯底基板上形成具有開口的像素界定層1，所述開口和襯底基板形成容納槽，然后采用噴墨打印技術(shù)向容納槽內(nèi)噴墨打印墨水，墨水干燥后形成發(fā)光單元的膜層2，如空穴傳輸層、發(fā)光層等。
[0003]在墨水干燥成膜過程中，由于溶劑蒸汽主要由液滴邊緣區(qū)域揮發(fā)，而墨水體積變化主要發(fā)生在墨水中部區(qū)域，因此墨水中部會向邊緣流動，這種流動會帶動溶質(zhì)向邊緣迀移，并最終在邊緣沉積，而形成圖2所示的膜層2，其邊緣區(qū)域的厚度大于中部區(qū)域的厚度。當(dāng)發(fā)光單元的各個膜層形成完畢后，發(fā)光效果如圖3所示，發(fā)光單元的中部會形成顯示亮區(qū)，邊緣會形成暗區(qū)，稱為“咖啡環(huán)效應(yīng)”。盡管圖1中厚度較大的邊緣區(qū)域中，上下兩側(cè)的邊緣部分的寬度dl與左右兩側(cè)的邊緣部分的寬度d2—致，但是由于發(fā)光單元的上下兩條邊較短，左右兩條邊較長，因此，在圖3中靠近上下兩邊的暗區(qū)表現(xiàn)得更明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板及其制作方法、顯示裝置，以改善發(fā)光器件的顯示效果。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板，包括襯底、設(shè)置在所述襯底上的第一像素界定層，所述第一像素界定層具有多個第一開口，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板還包括設(shè)置在所述第一像素界定層上的第二像素界定層，所述第二像素界定層具有多個第二開口，多個所述第一開口與多個所述第二開口一一對應(yīng)，所述第二開口的邊緣超過所述第一開口的邊緣，以將所述第一像素界定層的一部分露出，所述第一開口與所述第二開口的長度差大于所述第一開口與所述第二開口的寬度差。
[0006]優(yōu)選地，所述第一像素界定層被所述第二開口露出的部分包括:位于所述第一開口的沿其長度方向的兩側(cè)的兩個第一露出部和位于所述第一開口的沿其寬度方向的兩側(cè)的兩個第二露出部，其中一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸大于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸，另一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸不小于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸。
[0007]優(yōu)選地，兩個所述第二露出部的寬度均在4?5μηι之間。
[0008]優(yōu)選地，所述顯示基板還包括設(shè)置在所述襯底上的多個薄膜晶體管、覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層和設(shè)置在所述鈍化層上的電極層，所述薄膜晶體管、所述鈍化層和所述電極層均位于所述第一像素界定層和所述襯底之間，所述電極層包括多個像素電極，每個所述第一開口均對應(yīng)一個像素電極和一個薄膜晶體管，所述鈍化層上設(shè)置有過孔，所述像素電極通過所述過孔與相應(yīng)的薄膜晶體管的漏極相連，[0009 ]其中一個所述第一露出部在所述鈍化層上的正投影覆蓋所述過孔。
[0010]優(yōu)選地，制成所述第一像素界定層的材料包括親水材料，制成所述第二像素界定層的材料包括疏水材料。
[0011]優(yōu)選地，所述第二像素界定層的厚度大于所述第一像素界定層的厚度。
[0012]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種顯示基板的制作方法，包括:
[0013]形成第一像素界定材料層；
[0014]對所述第一像素界定材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成具有多個第一開口的第一像素界走層;
[0015]形成第二像素界定材料層；
[0016]對所述第二像素界定材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成具有多個第二開口的第二像素界定層，其中，多個所述第二開口與多個所述第一開口一一對應(yīng)，所述第二開口的邊緣超過所述第一開口的邊緣，所述第二開口與所述第一開口的長度差大于所述第二開口與所述第一開口的寬度差。
[0017]優(yōu)選地，所述第一像素界定層被所述第二開口露出的部分包括:位于所述第一開口的沿其長度方向的兩側(cè)的兩個第一露出部和位于所述第一開口的沿其寬度方向的兩側(cè)的兩個第二露出部，其中一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸大于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸，另一個所述第一露出部在第一開口長度方向上的尺寸不小于任意一個所述第二露出部在第一開口寬度方向的尺寸。
[0018]優(yōu)選地，兩個所述第二露出部的寬度均在4?5μπι之間。
[0019]優(yōu)選地，所述形成第一像素界定材料層的步驟之前還包括:
[0020]制作多個薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管與所述多個第一開口一一對應(yīng)；
[0021]形成具有過孔的鈍化層，其中一個所述第一露出部在所述鈍化層上的正投影覆蓋所述過孔。
[0022]優(yōu)選地，形成所述第一像素界定材料層的材料包括親水材料;形成所述第二像素界定材料層的材料包括疏水材料。
[0023]優(yōu)選地，所述第二像素界定材料層的厚度大于所述第一像素界定材料層的厚度。
[0024]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板。
[0025]在本發(fā)明中，由于所述第二開口的邊緣超過了第一開口的邊緣，所述第二開口會將一部分第一像素界定層露出，因此，當(dāng)所述容納槽中發(fā)光單元的膜層的邊緣區(qū)域厚度大于中間區(qū)域厚度時(shí)，第一像素界定層被第二開口露出的部分可以減少膜層的邊緣區(qū)域與其下方的像素電極接觸范圍，而膜層中不與像素電極接觸的部分不會發(fā)光，從而減小發(fā)光時(shí)發(fā)光單元邊緣產(chǎn)生的暗區(qū)寬度。另外，由于所述第一開口與所述第二開口的長度差大于所述第一開口與所述第二開口的寬度差，因此，第一露出部可以更多地將靠近容納槽的短邊位置的膜層部分與像素電極隔離開，從而進(jìn)一步減小靠近發(fā)光單元短邊的暗區(qū)寬度，提高發(fā)光單元發(fā)光的均勻性。
【附圖說明】
[0026]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0027]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光顯示基板中發(fā)光單元的俯視圖；
[0028]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光顯示基板中發(fā)光單元的剖視圖；
[0029]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光單元的發(fā)光效果示意圖；
[0030]圖4是本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光顯示基板中發(fā)光單元的俯視圖；
[0031]圖5是沿圖4中A-A線的剖視圖。
[0032]其中，附圖標(biāo)記為:
[0033]1、像素界定層;2、膜層；10、第一像素界定層;11、第一露出部；12、第二露出部;20、第二像素界定層;30、襯底;40、薄膜晶體管;50、鈍化層;60、像素電極;51、過孔。
【具體實(shí)施方式】
[0034]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0035]作為本發(fā)明的一個方面，提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板，如圖4和圖5所示，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板包括襯底30、設(shè)置在襯底30上的第一像素界定層10和設(shè)置在第一像素界定層10上的第二像素界定層20，第一像素界