九超結(jié)器件和本發(fā)明實(shí)施例一的區(qū)別之處為:
[0111]如圖11所示，所述截止環(huán)21直接由所述N型外延層、介質(zhì)膜35和該介質(zhì)膜35上的保護(hù)環(huán)36組成，所述保護(hù)環(huán)36通過(guò)接觸孔和底部的所述N型外延層接觸，保護(hù)環(huán)36為一金屬保護(hù)環(huán)。在其他實(shí)施例中，保護(hù)環(huán)36也能為多晶硅保護(hù)環(huán);在其他實(shí)施例中也能不采用保護(hù)環(huán)36，截止環(huán)21直接由所述N型外延層和介質(zhì)膜35組成。由于截止環(huán)21中沒(méi)有N+或P+的注入，這樣使該區(qū)域沒(méi)有額外的離子注入，簡(jiǎn)化了工藝過(guò)程，在進(jìn)一步的減少光刻次數(shù)的工藝中具有優(yōu)勢(shì)。
[0112]當(dāng)然還可以對(duì)上述各種技術(shù)方案進(jìn)行各種組合得到本發(fā)明的新的實(shí)施例，如將本發(fā)明實(shí)施例三至九的俯視圖都采用圖3所示結(jié)構(gòu)，則能得到對(duì)應(yīng)的實(shí)施例結(jié)構(gòu);將所述截止環(huán)21的組合、2區(qū)中的場(chǎng)板、3區(qū)中的P型柱的寬度和深度做相應(yīng)的調(diào)節(jié)能得到對(duì)應(yīng)的其它實(shí)施例結(jié)構(gòu)，這里不再一一列舉。
[0113]以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，超結(jié)器件的中間區(qū)域?yàn)殡姾闪鲃?dòng)區(qū)，終端保護(hù)結(jié)構(gòu)環(huán)繞于所述電荷流動(dòng)區(qū)的外周，所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)包括過(guò)渡區(qū)和電壓承受區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)位于所述電荷流動(dòng)區(qū)和所述電壓承受區(qū)之間；其特征在于: 所述電流流動(dòng)區(qū)包含由形成于N型外延層中的交替排列的第一 P型柱和第一 N型柱組成的第一部分超結(jié)結(jié)構(gòu)； 在俯視面上，所述第一 P型柱和所述第一 N型柱都呈長(zhǎng)條形且互相平行，各所述第一 P型柱和所述第一 N型柱都沿著長(zhǎng)度方向延伸到所述電流流動(dòng)區(qū)的外側(cè)的所述電壓承受區(qū)中形成第二部分超結(jié)結(jié)構(gòu)； 由形成于所述N型外延層中的交替排列的第二 P型柱和第二 N型柱組成的第三部分超結(jié)結(jié)構(gòu)，所述第三部分超級(jí)結(jié)構(gòu)沿著所述第一P型柱的寬度方向從所述電流流動(dòng)區(qū)的外側(cè)延伸到所述電壓承受區(qū)中；所述第二 P型柱和所述第二 N型柱都呈長(zhǎng)條形且互相平行，且所述第二 P型柱和所述第一 P型柱平行； 所述第二部分超結(jié)結(jié)構(gòu)和所述第三部分超結(jié)結(jié)構(gòu)一起組成環(huán)繞在所述電流流動(dòng)區(qū)的外周的所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)，使所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的P型柱和N型柱都為不帶轉(zhuǎn)折的長(zhǎng)條形，從而提高所述超結(jié)器件的漏電特性； 在所述過(guò)渡區(qū)中形成有場(chǎng)板和P型環(huán)，所述場(chǎng)板呈環(huán)形結(jié)構(gòu)并環(huán)繞在所述電流流動(dòng)區(qū)的外周;所述P型環(huán)形成于所述N型外延層中，所述P型環(huán)呈環(huán)形結(jié)構(gòu)并環(huán)繞在所述電流流動(dòng)區(qū)的外周； 在所述電壓承受區(qū)的最外端的所述N型外延層中形成有截止環(huán)，所述截止環(huán)呈環(huán)形結(jié)構(gòu)并環(huán)繞在所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的外周。2.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:在所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)還包括一條呈環(huán)狀結(jié)構(gòu)的第三P型柱，所述第三P型柱環(huán)繞在所述第二部分超結(jié)結(jié)構(gòu)和所述第三部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的外周。3.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:在所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)域的所述N型外延層上形成有終端介質(zhì)膜，所述終端介質(zhì)膜具有一臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)面傾斜且位于所述過(guò)渡區(qū)中，從所述過(guò)渡區(qū)到所述電壓承受區(qū)方向上所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的厚度逐漸增加； 所述過(guò)渡區(qū)的場(chǎng)板覆蓋所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)并延伸到所述電壓承受區(qū)的所述終端介質(zhì)膜上，所述過(guò)渡區(qū)的場(chǎng)板在覆蓋所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)位置處具有傾斜側(cè)面。4.如權(quán)利要求3所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述過(guò)渡區(qū)的場(chǎng)板為多晶娃場(chǎng)板，金屬場(chǎng)板，多晶娃場(chǎng)板和金屬場(chǎng)板的組合結(jié)構(gòu)。5.如權(quán)利要求4所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述過(guò)渡區(qū)的場(chǎng)板為多晶硅場(chǎng)板和金屬場(chǎng)板的組合結(jié)構(gòu)中，所述多晶硅場(chǎng)板在覆蓋所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)位置處具有傾斜側(cè)面； 在具有側(cè)面傾斜的多晶硅場(chǎng)板的頂部形成有金屬場(chǎng)板，該金屬場(chǎng)板和所述側(cè)面傾斜的多晶硅場(chǎng)板之間不連接或者通過(guò)接觸孔連接。6.如權(quán)利要求3所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述終端介質(zhì)膜的組成材料為熱氧化膜。7.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述截止環(huán)由形成于所述N型外延層的N+區(qū)和該N+區(qū)上的介質(zhì)膜組成； 或者，所述截止環(huán)由形成于所述N型外延層的N+區(qū)、該N+區(qū)上的介質(zhì)膜以及該介質(zhì)膜上的保護(hù)環(huán)組成，所述保護(hù)環(huán)通過(guò)接觸孔和底部的N+區(qū)接觸，所述保護(hù)環(huán)為多晶硅保護(hù)環(huán)或金屬保護(hù)環(huán)； 或者，所述截止環(huán)由形成于所述N型外延層的N+區(qū)、該N+區(qū)上的介質(zhì)膜、該介質(zhì)膜上的保護(hù)環(huán)和多晶硅場(chǎng)板環(huán)組成，所述保護(hù)環(huán)通過(guò)接觸孔和底部的N+區(qū)接觸，所述保護(hù)環(huán)為多晶硅保護(hù)環(huán)或金屬保護(hù)環(huán);所述多晶硅場(chǎng)板環(huán)和所述保護(hù)環(huán)通過(guò)接觸孔接觸或者所述多晶硅場(chǎng)板環(huán)和所述保護(hù)環(huán)不連接。8.如權(quán)利要求7所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:在所述保護(hù)環(huán)和底部的N+區(qū)接觸的所述接觸孔底部形成有P+區(qū)。9.如權(quán)利要求7或8所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述截止環(huán)的N+區(qū)的摻雜濃度大于lel6cm—3。10.如權(quán)利要求8所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:在述保護(hù)環(huán)底部的所述接觸孔底部的P+區(qū)的摻雜濃度大于lel6cm—3。11.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述截止環(huán)由所述截止環(huán)區(qū)域的所述N型外延層和該N型外延層上的介質(zhì)膜組成； 或者，所述截止環(huán)由所述截止環(huán)區(qū)域的所述N型外延層、該N型外延層上的介質(zhì)膜以及該介質(zhì)膜上的保護(hù)環(huán)組成，所述保護(hù)環(huán)為多晶硅保護(hù)環(huán)或金屬保護(hù)環(huán)； 或者，所述截止環(huán)由所述截止環(huán)區(qū)域的所述N型外延層、該N型外延層上的介質(zhì)膜、該介質(zhì)膜上的保護(hù)環(huán)和多晶硅場(chǎng)板環(huán)組成，所述保護(hù)環(huán)為多晶硅保護(hù)環(huán)或金屬保護(hù)環(huán);所述多晶硅場(chǎng)板環(huán)和所述保護(hù)環(huán)通過(guò)接觸孔接觸或者所述多晶硅場(chǎng)板環(huán)和所述保護(hù)環(huán)不連接。12.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述截止環(huán)由形成于所述N型外延層的P+區(qū)和該P(yáng)+區(qū)上的介質(zhì)膜組成； 或者，所述截止環(huán)由形成于所述N型外延層的P+區(qū)、該P(yáng)+區(qū)上的介質(zhì)膜以及該介質(zhì)膜上的保護(hù)環(huán)組成，所述保護(hù)環(huán)通過(guò)接觸孔和底部的P+區(qū)接觸，所述保護(hù)環(huán)為多晶硅保護(hù)環(huán)或金屬保護(hù)環(huán)； 或者，所述截止環(huán)由形成于所述N型外延層的P+區(qū)、該P(yáng)+區(qū)上的介質(zhì)膜、該介質(zhì)膜上的保護(hù)環(huán)和多晶硅場(chǎng)板環(huán)組成，所述保護(hù)環(huán)通過(guò)接觸孔和底部的P+區(qū)接觸，所述保護(hù)環(huán)為多晶硅保護(hù)環(huán)或金屬保護(hù)環(huán);所述多晶硅場(chǎng)板環(huán)和所述保護(hù)環(huán)通過(guò)接觸孔接觸或者所述多晶硅場(chǎng)板環(huán)和所述保護(hù)環(huán)不連接。13.如權(quán)利要求12所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述截止環(huán)的P+區(qū)的摻雜濃度大于lel6cm—3。14.如權(quán)利要求1或2所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:沿著所述第一P型柱的寬度方向上，所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的最外側(cè)的P型柱的寬度小于所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的其它P型柱以及所述第一部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的P型柱的寬度，同時(shí)所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的最外側(cè)的P型柱的深度小于所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的其它P型柱以及所述第一部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的P型柱的深度。15.如權(quán)利要求1或2所述的超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于:沿著所述第一P型柱的寬度方向上，所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的位于所述電壓承受區(qū)的P型柱的寬度小于所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的位于所述過(guò)渡區(qū)的P型柱以及所述第一部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的P型柱的寬度，同時(shí)所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的位于所述電壓承受區(qū)的P型柱的深度小于所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的位于所述過(guò)渡區(qū)的P型柱以及所述第一部分超結(jié)結(jié)構(gòu)的P型柱的深度。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種超結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，電流流動(dòng)區(qū)的超結(jié)結(jié)構(gòu)的P和N型柱都呈條形結(jié)構(gòu)且平行，終端保護(hù)結(jié)構(gòu)中一部分超結(jié)結(jié)構(gòu)由電流流動(dòng)區(qū)的P和N型柱沿長(zhǎng)度方向延伸形成，終端保護(hù)結(jié)構(gòu)中的另一部分超結(jié)結(jié)構(gòu)由和電流流動(dòng)區(qū)的P和N型柱平行的條形結(jié)構(gòu)的第二P和N型柱交替排列而成。在過(guò)渡區(qū)中形成有場(chǎng)板和P型環(huán)；在電壓承受區(qū)的最外端的形成有截止環(huán)。本發(fā)明終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)構(gòu)的P和N型柱都為不帶轉(zhuǎn)折的長(zhǎng)條形，能提高器件的漏電特性和可靠性，能以最小的終端尺寸得到高的擊穿電壓。
【IPC分類(lèi)】H01L29/06, H01L29/40
【公開(kāi)號(hào)】CN105448961
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510786183
【發(fā)明人】肖勝安, 曾大杰
【申請(qǐng)人】深圳尚陽(yáng)通科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年11月17日