電子器件密封用樹脂片及電子器件封裝件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子器件密封用樹脂片及電子器件封裝件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，作為電子器件封裝件的制造方法，已知有將固定于基板等上的1個或多個電 子器件用密封樹脂密封的方法。作為此種密封樹脂，例如已知有熱固性樹脂片(例如參照專 利文獻(xiàn)1)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-19714號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 發(fā)明所要解決的問題
[0007] 由于智能手機(jī)等中使用的電子器件高速地運(yùn)作，因此電子器件及其外圍容易達(dá)到 高溫(容易產(chǎn)生熱點(diǎn)）。一旦電子器件達(dá)到高溫，運(yùn)作就會變得不穩(wěn)定，電子器件的特性會發(fā) 生劣化。
[0008] 然而，專利文獻(xiàn)1中對于熱點(diǎn)的消除并沒有進(jìn)行研究，專利文獻(xiàn)1中記載的熱固化 性樹脂片無法消除熱點(diǎn)。
[0009] 本發(fā)明的目的在于，解決所述問題，提供可以將電子器件的熱向基板排放的電子 器件密封用樹脂片及電子器件封裝件的制造方法。
[0010] 用于解決問題的方法
[0011] 本發(fā)明提供一種電子器件密封用樹脂片，其具備第一樹脂層及第二樹脂層，所述 第一樹脂層的熱導(dǎo)率為lW/mK以上。
[0012] 通過用本發(fā)明的電子器件密封用樹脂片將電子器件密封，就可以將電子器件的熱 經(jīng)由高熱導(dǎo)率的第一樹脂層向基板排放，進(jìn)而可以向殼體排放。因而，可以消除熱點(diǎn)。
[0013] 本發(fā)明的電子器件密封用樹脂片中，高熱導(dǎo)率的第一樹脂層擔(dān)負(fù)將電子器件的熱 向基板排放的作用，不需要提高第二樹脂層的熱導(dǎo)率。即，不需要在整個樹脂片中配合成為 切割刀片的磨損的原因的氧化鋁等導(dǎo)熱粒子。由此，也可以減少切割刀片的磨損。另外，可 以降低成本。
[0014] 優(yōu)選所述第一樹脂層含有導(dǎo)熱粒子，所述第一樹脂層中的所述導(dǎo)熱粒子的含量為 60~85體積％。如果導(dǎo)熱粒子的含量為所述范圍內(nèi)，則可以在提高第一樹脂層1的熱導(dǎo)率的 同時，獲得對電子器件或基板的良好的潤濕性及膠粘性。
[0015] 所述導(dǎo)熱粒子優(yōu)選為氧化鋁和/或氮化硼。由此，就可以獲得良好的導(dǎo)熱性、良好 的流動性。
[0016] 優(yōu)選所述導(dǎo)熱粒子的含量為30體積％以下的樹脂層形成于所述第一樹脂層的預(yù) 定要進(jìn)行切割的部分。導(dǎo)熱粒子(特別是氧化鋁)非常硬，成為切割刀片的磨損的原因，然而 通過將導(dǎo)熱粒子的含量少或不含有導(dǎo)熱粒子的樹脂層設(shè)于第一樹脂層的預(yù)定要進(jìn)行切割 的部分，就可以減少切割刀片的磨損。
[0017] 另外，本發(fā)明提供一種電子器件封裝件的制造方法，其包括以使所述第一樹脂層 與電子器件接觸的方式用所述電子器件密封用樹脂片將所述電子器件密封的工序。
[0018] 在由此得到的電子器件封裝件中，由于高熱導(dǎo)率的第一樹脂層與電子器件接觸， 因此可以將電子器件中產(chǎn)生的熱向基板排放。
【附圖說明】
[0019]圖1是實(shí)施方式1的樹脂片的示意剖視圖。
[0020] 圖2是搭載有電子器件的基板的示意剖視圖。
[0021] 圖3是示意性地表示用實(shí)施方式1的樹脂片將電子器件密封的樣子的圖。
[0022] 圖4是示意性地表示切割電子器件封裝件的樣子的圖。
[0023] 圖5是示意性地表示將芯片狀的電子器件封裝件安裝于基板的樣子的圖。
[0024] 圖6是示意性地表示將電子器件固定于粘合片的樣子的圖。
[0025] 圖7是示意性地表示用樹脂片將電子器件密封的樣子的圖。
[0026] 圖8是示意性地表示從密封體中剝離粘合片的樣子的圖。
[0027] 圖9是示意性地表示磨削后的密封體的剖面的圖。
[0028] 圖10是示意性地表示在密封體上形成再布線和凸塊的樣子的圖。
[0029] 圖11是示意性地表示切割密封體的樣子的圖。
[0030] 圖12(a)是實(shí)施方式2的樹脂片的示意剖視圖。(b)是其示意仰視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 以下舉出實(shí)施方式，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，然而本發(fā)明并不僅限定于這些實(shí)施 方式。
[0032][實(shí)施方式1]
[0033] 圖1是實(shí)施方式1的樹脂片11的示意剖視圖。樹脂片11是層疊了第一樹脂層1與第 二樹脂層2的結(jié)構(gòu)。而且，也可以在樹脂片11的兩面，設(shè)有聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等 支承體。為了容易進(jìn)行從樹脂片11中的剝離，也可以對支承體實(shí)施脫模處理。
[0034] 第一樹脂層1的熱導(dǎo)率為lW/mK以上。由于為lW/mK以上，因此可以將電子器件的熱 經(jīng)由高熱導(dǎo)率的第一樹脂層向基板排放。第一樹脂層1的熱導(dǎo)率優(yōu)選為3W/mK以上。第一樹 脂層1的熱導(dǎo)率的上限沒有特別限定，然而例如為15W/mK以下。
[0035] 而且，第一樹脂層1優(yōu)選為電絕緣性。
[0036] 第一樹脂層1優(yōu)選含有導(dǎo)熱粒子。由此，就可以將熱導(dǎo)率設(shè)計(jì)為lW/mK以上。
[0037] 作為導(dǎo)熱粒子沒有特別限定，例如可以舉出氧化鋁(alumina)、氧化鋅、氧化鎂、氮 化硼、氫氧化鎂、氮化鋁、碳化硅等電絕緣性的物質(zhì)。它們可以單獨(dú)使用或并用2種以上地使 用。其中，從熱導(dǎo)率高、可以獲得良好的流動性的理由考慮，優(yōu)選氧化鋁、氮化硼。
[0038] 導(dǎo)熱粒子的熱導(dǎo)率只要是能夠?qū)Φ谝粯渲瑢?賦予導(dǎo)熱性就沒有特別限定，然而 優(yōu)選為12W/mK以上，更優(yōu)選為15W/mK以上，進(jìn)一步優(yōu)選為25W/mK以上。如果為12W/mK以上， 則可以容易地對第一樹脂層1賦予1 W/mK以上的導(dǎo)熱性。導(dǎo)熱粒子的熱導(dǎo)率例如為200W/mK 以下。
[0039] 導(dǎo)熱粒子的粒子形狀沒有特別限定，例如可以舉出球狀、橢圓球體狀、扁平形狀、 針狀、纖維狀、薄片狀、釘形、線圈狀等。這些形狀中，從分散性優(yōu)異、可以提高填充率的方面 考慮，優(yōu)選球狀。
[0040] 第一樹脂層1中的導(dǎo)熱粒子的含量優(yōu)選為55體積％以上，更優(yōu)選為60體積％以上。 如果為55體積％以上，則可以提高第一樹脂層1的熱導(dǎo)率。另一方面，導(dǎo)熱粒子的含量優(yōu)選 為83體積％以下，更優(yōu)選為70體積％以下。如果為83體積％以下，則可以防止第一樹脂層1 中的膠粘成分的相對減少，可以確保對電子器件或基板的潤濕性及膠粘性。
[0041] 導(dǎo)熱粒子的含量也可以以"重量％"為單位進(jìn)行說明。作為代表性的情況對氧化鋁 的含量以"重量％ "為單位進(jìn)行說明。
[0042] 氧化鋁通常密度為3.9g/cm3,因此氧化鋁的含量(重量％ )的合適范圍例如如下所 不。
[0043] 即，第一樹脂層1中的氧化鋁的含量優(yōu)選為83重量％以上，更優(yōu)選為86重量％以 上。第一樹脂層1中的氧化鋁的含量優(yōu)選為95重量％以下，更優(yōu)選為90重量％以下。
[0044] 第一樹脂層1中，將導(dǎo)熱粒子的總量設(shè)為100體積％時的導(dǎo)熱粒子的利用激光衍射 散射法測定的粒度分布優(yōu)選滿足以下的關(guān)系。
[0045] 大于100μπι:1體積％以下
[0046] ΙΟμπι以下：30體積％以上且為70體積％以下 [0047] Ιμπι以下：10體積％以上
[0048]在該粒度分布中，粒徑大于100μπι的粒子的比率為1體積％以下，優(yōu)選為0.5體積％ 以下，更優(yōu)選為〇. 3體積％以下。而且，粒徑大于100μπι的粒子的比率的下限優(yōu)選為0.01體 積％以上。粒徑為ΙΟμηι以下的粒子的比率為30體積％以上且為70體積％以下，優(yōu)選為35體 積％以上且為65體積％以下，更優(yōu)選為40體積％以上且為60體積％以下。此外，粒徑為Ιμπι 以下的粒子的比率為1 〇體積％以上，優(yōu)選為13體積％以上，更優(yōu)選為15體積％以上。而且， 粒徑為lwii以下的粒子的比率的上限優(yōu)選為40體積％以下。通過使粒度分布處于上述特定 的關(guān)系，可以對中空結(jié)構(gòu)附近的樹脂賦予類似膨脹性的作用而合適地抑制樹脂進(jìn)入密封時 的中空結(jié)構(gòu)。粒度分布通過使用從總體中任意地抽出的試樣，用激光衍射散射式粒度分布 測定裝置進(jìn)行測定而導(dǎo)出。
[0049]第一樹脂層1優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂。
[0050] 作為環(huán)氧樹脂，沒有特別限定。例如可以使用三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚線性酚 醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、改性雙酚Α型環(huán)氧樹脂、雙酸Α型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹 月旨、改性雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、苯酚線性酚醛型環(huán)氧樹脂、苯氧基樹脂 等各種環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂既可以單獨(dú)地使用，也可以并用2種以上。
[0051] 從確保環(huán)氧樹脂的反應(yīng)性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選環(huán)氧當(dāng)量為150~250、軟化點(diǎn)或熔點(diǎn) 為50~130°C的在常溫下為固體的環(huán)氧樹脂。其中