芯片測試中監(jiān)控?zé)劢z達(dá)成率的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是一種監(jiān)控集成電路測試中燒熔絲達(dá)成率，并進(jìn)行實(shí)時處理測試過程中因 接觸電阻偏大導(dǎo)致熔絲燒熔絲不完全造成測試低良的情況，從而來提高燒熔絲品質(zhì)的一種 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 集成電路的發(fā)展對電路的精準(zhǔn)度和可編程性提出了更高的要求。隨著對集成電路 尚性能指標(biāo)的要求越來越尚，集成電路面臨尚精度的要求日益明顯，修調(diào)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)尚精 度集成電路的必要手段。熔絲修調(diào)在傳統(tǒng)的模擬電路以及高精度要求的數(shù)字電路中，起到 了越來越高的地位，在AC-DC、DC-DC、LD0(低壓差線性穩(wěn)壓器)等類型的集成電路（IC)中有 廣泛應(yīng)用，燒熔絲不只是修調(diào)輸出電壓這么簡單，視乎設(shè)計而定，其主要原理燒斷IC芯片內(nèi) 的電阻網(wǎng)絡(luò)中的短路鋁條以達(dá)到改變網(wǎng)絡(luò)電阻的作用，熔絲可以修調(diào)的參數(shù)當(dāng)然也取決于 該電阻在電路中的作用，輸出電壓、參考電壓是最為常見的修調(diào)參數(shù)，此外如基準(zhǔn)頻率、電 流等也都可以通過修調(diào)做到很高的精度。
[0003] 燒熔絲的過程中通常應(yīng)當(dāng)注意電流、電壓的這兩項(xiàng)指標(biāo)，用于修調(diào)的電流、電壓都 不能太高。否則輕則影響測試結(jié)果，嚴(yán)重時甚至?xí)?dǎo)致?lián)p毀1C。以下為熔絲的介紹：
[0004] 傳統(tǒng)的燒熔絲方案主要有3種，以激光燒斷金屬熔絲，或是以大電流燒斷金屬熔絲 和多晶硅熔絲。在集成電路設(shè)計中，熔絲作為電子產(chǎn)品內(nèi)的關(guān)鍵性零件，主要應(yīng)用于調(diào)整IC 內(nèi)部的電阻與電容特性，或用于射頻電路之中。
[0005] 如圖1所示，普通的金屬熔絲，一般是由一條條金屬電阻或是薄膜等其他電阻所構(gòu) 成。熔絲通常是中間窄兩頭寬的金屬導(dǎo)線，利用探針引接大電流(一般控制在200mA左右)至 熔絲的修調(diào)點(diǎn)（圖1中的TPAD)熔斷，熔斷之后不可恢復(fù)（由于扎針問題，可能存在燒不斷的 情況發(fā)生）。
[0006] 如圖2所示，一般的熔絲修調(diào)，采用的是電壓源（電流源)將并聯(lián)到電阻(或者電容） 兩端的熔絲燒斷達(dá)到修調(diào)的目的。采用此種方案修調(diào)的電阻只能向阻值大的方向調(diào)整（電 容向小的方向調(diào)整）。圖2的示意圖采用的是電阻串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)；當(dāng)A點(diǎn)接一個供電電壓，B點(diǎn)接 地，當(dāng)燒斷熔絲FO~Fn中的任一個或多個時，串聯(lián)的RO~Rn的阻值會變大，從而調(diào)整電阻Rc 右端節(jié)點(diǎn)的電壓上升。也可以用電阻并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)或者串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，從而燒斷集成電路中的熔 絲，可調(diào)整參考電壓的升降。
[0007] 熔斷熔絲需要較大的瞬間電流。具體所需電流，根據(jù)實(shí)際條寬和厚度而不盡相同， 一般通常是幾百毫安。傳統(tǒng)的熔絲修調(diào)方法通常利用電源或者電容通過繼電器給熔絲間施 加電壓產(chǎn)生較大的瞬間電流使熔絲熔斷。但在需要熔絲修調(diào)的測試項(xiàng)目中，由于外界狀態(tài) 的變化(例如:探針接觸電阻變大)導(dǎo)致熔絲的熔斷率低使得IC電路基準(zhǔn)達(dá)不到工作要求。 由于某些產(chǎn)品的熔絲引起電參數(shù)變化為雙向性，如果第一次熔絲燒不到位的話會導(dǎo)致不可 逆的損失。這就要求測試過程中要時刻關(guān)注良率的異常情況。由于產(chǎn)線的機(jī)臺眾多，操作人 員不可能實(shí)時地關(guān)注某一臺測試機(jī)的情況，所以就可能會在這一過程中造成對測試產(chǎn)品不 可逆的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種芯片測試中監(jiān)控?zé)劢z 達(dá)成率的方法，對于需要熔絲修調(diào)的測試芯片品種可以很好的關(guān)注測試過程中的修調(diào)情 況，從而針對性地做出相應(yīng)調(diào)整;可進(jìn)行再次燒熔絲過程，以及在連續(xù)出現(xiàn)需要再燒熔絲情 況時，及時發(fā)出告警，提醒操作人員調(diào)整燒熔絲操作。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：
[0009] -種芯片測試中監(jiān)控?zé)劢z達(dá)成率的方法，包括下述步驟：
[0010]步驟Sl，建立一張熔絲真值表，熔絲真值表中包含了芯片各個基準(zhǔn)電壓實(shí)測值范 圍與需要燒斷的熔絲的對應(yīng)關(guān)系;所述熔絲數(shù)量至少兩段以上，其中部分熔絲燒斷后能夠 引起基準(zhǔn)電壓上升，部分熔絲燒斷后能夠引起基準(zhǔn)電壓下降，各熔絲燒斷后均對應(yīng)一個基 準(zhǔn)電壓變化量;熔絲真值表中還設(shè)有基準(zhǔn)電壓標(biāo)準(zhǔn)值；
[0011] 熔絲真值表中設(shè)有基準(zhǔn)電壓最低參考值和最高參考值；
[0012] 步驟S2,進(jìn)行一個芯片的測試，監(jiān)控芯片的基準(zhǔn)電壓實(shí)測值；當(dāng)基準(zhǔn)電壓實(shí)測值< 基準(zhǔn)電壓最低參考值，或2基準(zhǔn)電壓最高參考值，直接判定當(dāng)前芯片為壞片；當(dāng)基準(zhǔn)電壓最 低參考值〈基準(zhǔn)電壓實(shí)測值〈基準(zhǔn)電壓最高參考值，則繼續(xù)后續(xù)步驟；
[0013] 步驟S3,基準(zhǔn)電壓實(shí)測值落入一個具體的基準(zhǔn)電壓實(shí)測值范圍，若基準(zhǔn)電壓實(shí)測 值落在基準(zhǔn)電壓標(biāo)準(zhǔn)值所在的一個基準(zhǔn)電壓目標(biāo)范圍內(nèi)，則芯片合格，若基準(zhǔn)電壓實(shí)測值 在基準(zhǔn)電壓目標(biāo)范圍外，則依據(jù)熔絲真值表中各個基準(zhǔn)電壓實(shí)測值范圍與需要燒斷的熔絲 的對應(yīng)關(guān)系，將該具體的基準(zhǔn)電壓實(shí)測值范圍對應(yīng)的芯片各熔絲進(jìn)行燒斷；
[0014] 步驟S4,再次測量芯片基準(zhǔn)電壓實(shí)測值，若得到的基準(zhǔn)電壓實(shí)測值落在基準(zhǔn)電壓 標(biāo)準(zhǔn)值所在的一個基準(zhǔn)電壓目標(biāo)范圍內(nèi)，則芯片燒熔絲成功，執(zhí)行下一芯片的測試或其它 項(xiàng)目的測試；
[0015] 否則，按照燒斷各段熔絲的基準(zhǔn)電壓實(shí)際變化量與基準(zhǔn)電壓理論變化量判斷出相 應(yīng)段的熔絲沒有燒斷，然后返回步驟S3，進(jìn)行再一次燒熔絲過程。
[0016] 更優(yōu)地，所述的芯片測試中監(jiān)控?zé)劢z達(dá)成率的方法中，設(shè)置一個再燒熔絲次數(shù) 計數(shù)變量，以及一個再燒熔絲次數(shù)上限值;再燒熔絲次數(shù)計數(shù)變量初始值為〇;
[0017] 需要進(jìn)行再燒熔絲過程時，再燒熔絲次數(shù)計數(shù)變量累加一，判斷再燒熔絲次數(shù)計 數(shù)變量是否小于等于再燒熔絲次數(shù)上限值，若是，才進(jìn)行當(dāng)前芯片下一次燒熔絲過程，若否 則停止燒熔絲。
[0018] 更優(yōu)地，所述的芯片測試中監(jiān)控?zé)劢z達(dá)成率的方法，各個芯片依次進(jìn)行測試過 程中，統(tǒng)計再燒熔絲次數(shù)計數(shù)變量的累加值，將再燒熔絲次數(shù)計數(shù)變量的累加值與芯片的 總數(shù)之比作為芯片熔絲燒不斷情況的概率，若此概率高于設(shè)定值則報警提示。
[0019] 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:對芯片測試中燒熔絲修調(diào)過程進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測，能夠及時發(fā)現(xiàn) 芯片良率的異常情況，避免了因熔絲第一次熔絲燒不到位而導(dǎo)致的不可逆損失。當(dāng)連續(xù)出 現(xiàn)一次燒熔絲無法到位情況時能夠及時給出報警提示。
【附圖說明】
[0020] 圖1為芯片內(nèi)的熔絲結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2為芯片內(nèi)熔絲修調(diào)示意圖。
[0022]圖3為本發(fā)明的燒熔絲電原理圖。
[0023]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0025] 本實(shí)施例中，芯片測試中監(jiān)控?zé)劢z達(dá)成率的方法，包括下述步驟：
[0026] 步驟Sl，建立一張熔絲真值表，如下表所示；
[0028]本例中熔絲數(shù)量為四段，燒斷某段熔絲后芯片的基準(zhǔn)電壓變化量在熔絲設(shè)計過程 中已經(jīng)預(yù)先做了相關(guān)規(guī)定，本例中，各段熔絲燒斷后引起的基準(zhǔn)電壓變化量分別為：-12.5mV(T3-GND)、-25mV(T2-GND)、-50mV(n-GND)、+100mV(T0-GND);T0-GND、T1-GND、T2-GND、T3-GND代表四段熔絲；
[0029]熔絲真值表中設(shè)有基準(zhǔn)電壓最低參考值500mv和最高參考值700mv;熔絲真值表中 還設(shè)有基準(zhǔn)電壓標(biāo)準(zhǔn)值600mv;芯片測試中，若基準(zhǔn)電壓實(shí)測值Vcs落在基準(zhǔn)電壓標(biāo)準(zhǔn)值所 在的一個基準(zhǔn)電壓目標(biāo)范圍（600mv~612.5mv)內(nèi)，則芯片合格，無需進(jìn)行燒恪絲修調(diào)；
[0030]熔絲真值表中包含了芯片各個基準(zhǔn)電壓實(shí)測值范圍與需要燒斷的熔絲的對應(yīng)關(guān) 系;上表中數(shù)字邏輯1表示需要將該段熔絲燒斷，0表示對應(yīng)段的熔絲不作處理;例如第一行 中的I (TO-GND)表示基準(zhǔn)電壓實(shí)測值Vcs在500mV~512mV之間時需要將TO-GND的熔絲燒斷 使Vcs的電壓抬高到基準(zhǔn)