/c鋰離子電池負(fù)極材料的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于鋰離子電池電極材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種M0S2/C鋰離子電池負(fù)極材料的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子設(shè)備的微型化以及電動(dòng)汽車行業(yè)的迅速發(fā)展,作為主要儲(chǔ)能裝置的鋰離子電池的研究與應(yīng)用越來(lái)越得到重視。目前商業(yè)化所使用的鋰離子負(fù)極材料為石墨電極,它存在著一定的安全隱患,限制了鋰離子電池的應(yīng)用。
[0003]作為鋰離子電池負(fù)極材料的替代材料,納米級(jí)的金屬氧化物如Co304[W.H.Ryu,T.H.Yoon,S.Η.Song,S.Jeon,Υ.J.Park and 1.D.Kim,Nano Lett.,2013,13,4190.],Zn0[D.Bresser,F.Mueller,M.Fiedler,S.Krueger,R.Kloepsch,D.Baither,M.Winter,E.Paillard and S.Passerini,Chem.Mater.,2013,25,4977.],Sn02[P.ffu,N.Du,H.Zhang,C.Zhai and D.Yang, ACS Appl.Mater.Interfaces,2011,3,1946.],和V02[S.J.Chang,J.B.Park,G.Lee,H.J.Kim,J.B.Lee,T.S.Bae,Y.K.Han,T.J.Park,Y.S.Huh and ff.K.Hong,Nanoscale ,2014,6,8068.]等,由于具有較大的理論容量,而受到了研究者的廣泛關(guān)注。然而鋰離子的反復(fù)嵌脫導(dǎo)致這些材料在充放電過(guò)程中體積變化較大,逐漸粉化失效,因而使得他們的循環(huán)性能較差。
[0004]二硫化鉬,具有類石墨烯的結(jié)構(gòu),在電池,儲(chǔ)氫,催化和固體潤(rùn)滑劑方面引起人們廣泛關(guān)注[K.Chang,ff.Chen,ACS Nano2011,5,4720-4728.K.Chang,D.Geng,X.Li,J.Yang,Y.Tang,M.Cai,R.Li,X.Sun,Adv.]。該結(jié)構(gòu)的材料具有的S-Mo-S的夾心層,通過(guò)弱范德華力相互作用像三明治一樣堆疊在一起。具體來(lái)說(shuō),二硫化鉬的層內(nèi)原子通過(guò)強(qiáng)共價(jià)鍵結(jié)合的,而層與層之間通過(guò)弱范德華力相互作用結(jié)合在一起。作為電極材料鋰離子可以插入各層間值得注意的是,通過(guò)鋰化方法擴(kuò)大二硫化鉬晶格參數(shù),增加其循環(huán)性實(shí)現(xiàn)比商業(yè)二硫化鉬更高的容量。膨脹二硫化鉬因?yàn)榫哂懈弑砻婺苋菀装l(fā)生堆積,此外,相鄰的S-Mo-S的片層之間電子/離子影響導(dǎo)電性,因此,許多研究人員已轉(zhuǎn)向通過(guò)把片狀石墨烯結(jié)構(gòu)的MoS2(G)組裝成三維結(jié)構(gòu)MoS2 (3D),得到的MoS2/C復(fù)合材料具有很高的比表面積,較強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度。更重要的是,石墨烯不僅能有效地提高材料的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性,而且還可以顯著抑制剝離的MoS2片層聚集。報(bào)告的研究表明,MoS2/C復(fù)合材料含有層狀二硫化鉬和石墨烯,通過(guò)兩者之間相互協(xié)同作用使電池具有良好的電化學(xué)性能,這種方式能夠充分利用二硫化鉬的優(yōu)勢(shì)。
[0005]MoS2/C復(fù)合材料的制備方法主要有液相法和固相法。然而單純地使用這兩種方法均會(huì)產(chǎn)生一些固有的缺點(diǎn):如,用液相法合成MoS2/氧化石墨烯納米復(fù)合材料,工藝穩(wěn)定性很差,不易規(guī)?;a(chǎn),并且材料結(jié)構(gòu)難于控制;
[0006]固相法合成的產(chǎn)物會(huì)受到石墨烯層與層之間范德華力的影響,使得產(chǎn)物產(chǎn)生面面疊加現(xiàn)象,導(dǎo)致其具有較差的分散性,從而影響到了其電化學(xué)性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種MoS2/C鋰離子電池負(fù)極材料的制備方法,該方法操作簡(jiǎn)單,反應(yīng)時(shí)間短,重復(fù)性高,產(chǎn)率大,產(chǎn)物結(jié)構(gòu)容易控制。
[0008]本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0009]本發(fā)明公開(kāi)了一種MoS2/C鋰離子電池負(fù)極材料的制備方法,包括以下步驟:
[0010]1)將氧化石墨烯分散于去離子水中,充分?jǐn)嚢瑁纬裳趸┧芤?,再?ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20溶于去尚子水中,充分?jǐn)埶?,形?ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20水溶液;
[0011 ] 2)在氧化石墨烯水溶液中滴加(ΝΗ4)Μθ7024.4Η20水溶液,充分?jǐn)嚢柚练稚⒕鶆颍缓笳舭l(fā)水分,形成鉬銨酸/氧化石墨烯預(yù)制體,再加入硫粉,充分研磨,制得混合物;
[0012]其中,氧化石墨烯與(ΝΗ4)Μθ7024.4Η20的質(zhì)量比為(0.02?0.6):1;鉬銨酸/氧化石墨烯預(yù)制體與硫粉的質(zhì)量比為(0.02?0.5):1;
[0013]3)在氬氣氣氛下,將混合物在300?900°C下加熱20?90min,冷卻后,制得MoS2/C鋰離子電池負(fù)極材料。
[0014]步驟1)所述的氧化石墨烯水溶液中氧化石墨烯與去離子水的質(zhì)量比為(0.002?0.07):1ο
[0015]步驟1 )中所述的(ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20水溶液中(ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20與去尚子水的質(zhì)量比為(0.03-0.9):1。
[0016]步驟3)中是將混合物自室溫起,以5-30°Cmin—1的升溫速率加熱。
[0017]加熱在管式爐中進(jìn)行,冷卻為隨爐冷卻。
[0018]步驟1)所述充分?jǐn)嚢枋窃谑覝叵麓帕嚢??96h。
[0019]步驟2)所述充分研磨的時(shí)間為20?40min
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果:
[0021]本發(fā)明公開(kāi)的制備鋰離子電池負(fù)極材料MoS2/C的方法,首先將氧化石墨烯分散于去離子水中,再將(ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20溶于去離子水中,然后氧化石墨烯水溶液中滴加(ΝΗ4)ΜΟ7024.4Η20水溶液,分散均勻后蒸發(fā)水分,形成鉬銨酸/氧化石墨烯預(yù)制體,再加入硫粉制得混合物,將混合物在氬氣氛圍下加熱處理,制得鋰離子電池負(fù)極材料MoS2/C。本發(fā)明以氧化石墨烯為模板,通過(guò)預(yù)制體法和固相法獲得了薄片狀結(jié)構(gòu)MoS2/C復(fù)合材料。該方法操作簡(jiǎn)單,反應(yīng)時(shí)間短,重復(fù)性高,成本較低,產(chǎn)率大,產(chǎn)物結(jié)構(gòu)容易控制。經(jīng)本方法制得的MoS2/C鋰離子電池負(fù)極材料達(dá)到了納米級(jí)尺寸,具有比容量大,導(dǎo)電性好,電阻率低,循環(huán)次數(shù)高等特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1 為M0S2/C 與 MoS2 的 XRD 圖;
[0023]圖2 為M0S2/C 與 MoS2 的 SEM 照片;
[0024]其中,a^MoS2(10.0K),b為MoS2(30.0K),c為MoS2/C(30.0K),dSMoS2/C( 100.0K)
[0025]圖3為MoS2/C與MoS2的倍率性能測(cè)試圖;
[0026]圖4為MoS2/C與MoS2的循環(huán)性能測(cè)試圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明,所述是對(duì)本發(fā)明的解釋而不是限定。
[0028]實(shí)施例1
[0029]一種MoS2/C鋰離子電池負(fù)極材料的制備方法,包括以下步驟:
[0030]1)將氧化石墨烯分散于去離子水中,其中兩者質(zhì)量比m(G0/H20) =0.03,進(jìn)行充分?jǐn)嚢?再將(ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20溶于去離子水中,其中兩者質(zhì)量比m((NH4)Mo7024.4H20/H20) =
0.6,進(jìn)行充分?jǐn)嚢瑁纬?ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20水溶液;在G0/H20中滴加(ΝΗ4)Μο7024水溶液,使得G0與(ΝΗ4)Μθ7θ24.4Η20/Η20的質(zhì)量比m(G0/(NH4)Mo7024.4H20) =0.04,進(jìn)行攪拌使其分散;
[0031]2)蒸發(fā)水分,形成鉬銨酸(衍生物)/氧化石墨烯預(yù)制體,加入硫粉研磨半小時(shí)形成混合物,其中m(預(yù)制體/硫粉)=0.04;
[0032]3)使該混合物在管式爐中600°C下加熱70min,最終形成最終產(chǎn)物MoS2/C。
[0033 ] 參見(jiàn)圖1,從圖中可以看出,MoS2-G0和MoS2的XRD的衍射圖譜比較類似,其每一個(gè)衍射峰均與MoS2標(biāo)準(zhǔn)卡片的衍射峰都相對(duì)應(yīng),并且均沒(méi)有任何雜質(zhì)峰的出現(xiàn),表明了其具有較高的純度。另一方面,MoS2-G0產(chǎn)物的XRD中,并沒(méi)有出現(xiàn)明顯的石墨烯的衍射峰,這是由于石墨烯被MoS2填充在層間,破壞了氧化石墨烯的周期性排列,因而使得測(cè)試結(jié)果中沒(méi)有出現(xiàn)石墨烯的衍射峰。
[0034]參見(jiàn)圖2,從圖2的a中可以看出二硫化鉬的形貌為顆粒狀,并且顆粒均勻,分散性較好。從圖2的b中可以看出,純相的MoS2顆粒的尺寸大約為200?400nm。從圖2的c中可以看出,MoS2-G0的形貌為薄片狀,其尺寸較為均勻。圖2的d中局部放大圖可以看出,該薄片的厚度大約為10nm,整個(gè)薄片的尺寸約為80nm左右。
[0035]參見(jiàn)圖3,體現(xiàn)了二硫化鉬氧,MoS2-G0的倍率性能,不同物質(zhì)的性能差異較大。1032-60明顯具有最高的放電比容量,分別在100、200、500、1000、2000