孔5與P引線電極31表面相連通，且芯片表面均勻分布有多個N型接觸孔6和多個P型接觸孔5;
[0045]步驟八，如圖7A、圖7所示，在N引線電極32、P引線電極31的外露表面上、以及位于N引線電極32和P引線電極31彼此之間的第一絕緣層16的表面上，通過印刷和電鍍技術制造相互絕緣的N焊盤26與P焊盤27，P焊盤27和N焊盤26均采用鋁、鎳、鈦、鉑金、金中一種材料制成且厚度均為0.5um?2um，所述P焊盤27與N焊盤26之間的間隔為等于或大于150um;其中，N焊盤26通過N型接觸孔6與N引線電極32電連接接觸，P焊盤27通過P型接觸孔5與P引線電極31電連接接觸，至此，完成整個LED倒裝芯片的加工制造。
[0046]以上所述實施例只是為本發(fā)明的較佳實施例，并非以此限制本發(fā)明的實施范圍，除了具體實施例中列舉的情況外;凡依本發(fā)明之形狀、構造及原理所作的等效變化，均應涵蓋于本發(fā)明的保護范圍內。
【主權項】
1.一種含有反射層的LED倒裝芯片，包括襯底、N焊盤和P焊盤，其特征在于: 所述襯底自下至上依次層狀疊加的設置有N型層、發(fā)光層、P型層、反射層和阻擋層，N型層、發(fā)光層、P型層、反射層和阻擋層采用蝕刻工藝露出襯底的上表面形成一溝槽，縱橫設置的溝槽將襯底上的N型層、發(fā)光層、P型層、反射層和阻擋層分割成彼此相互絕緣獨立的多個芯片； 所述芯片表面形成貫穿阻擋層、反射層、P型層、發(fā)光層且與N型層連通的N電極孔； 所述芯片上層疊的阻擋層、反射層采用蒸鍍及光刻工藝后與P型層上表面之間形成臺階，所述阻擋層和反射層外露表面采用濺射或蒸鍍工藝形成具有布線圖案的P引線電極，所述P引線電極與阻擋層導電連接，所述P引線電極覆蓋阻擋層和反射層的四周側壁面以及阻擋層的上表面； 所述N電極孔內采用濺射或蒸鍍工藝形成與N型層導電連接的N引線電極； 所述N引線電極與P引線電極采用相同的材料同時沉積形成； 所述溝槽的表面、所述N電極孔與N引線電極之間所形成的間隙、N引線電極的上表面、以及P引線電極的表面采用濺射或噴涂工藝覆蓋有一層便于相互絕緣的第一絕緣層，所述第一絕緣層上表面采用光刻和蝕刻技術開設有與N引線電極上表面貫通的N型接觸孔，所述第一絕緣層上表面采用光刻和蝕刻技術還開設有與P引線電極上表面貫通的P型接觸孔； 所述N焊盤通過第一絕緣層設置的N型接觸孔與N引線電極導電連接，所述P焊盤通過第一絕緣層設置的P型接觸孔與P引線電極導電連接，所述P焊盤與N焊盤之間采用印刷和電鍍技術相互絕緣。2.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底，所述N型層為N型氮化鎵層，所述P型層為P型氮化鎵層。3.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片，其特征在于，所述芯片表面均勾分布有多個N電極孔。4.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片，其特征在于，所述P焊盤與P引線電極之間的第一絕緣層上均勻分布有多個便于兩者導電連接的P型接觸孔。5.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片，其特征在于，所述N引線電極為圓柱形狀。6.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片，其特征在于，所述N引線電極和？引線電極均采用0、41、附、11、411、？1:中一種材料或其中至少兩種以上的合金制成。7.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片，其特征在于，所述阻擋層采用11、1、祖、？1:、0、411中一種材料或其中至少兩種以上的合金制成。8.—種含有反射層的LED倒裝芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一，在藍寶石襯底上，通過金屬有機化合物化學氣相沉淀方法，在藍寶石襯底的上表面上生長外延層，所述外延層生長過程依次為:在藍寶石襯底表面生長N型氮化鎵層，在N型氮化鎵層上生長發(fā)光層，在發(fā)光層上生長P型氮化鎵層； 步驟二，采用蒸鍍及光刻工藝，依次覆蓋反射層和阻擋層，所述反射層采用鋁、銀中一種材料或兩者制成的合金材料，阻擋層采用不吸光并且能夠有效地阻止反射層的金屬材料迀移的材料制成； 步驟三，通過對外延層采用ICP蝕刻工藝，在所述外延層形成溝槽，所述溝槽露出藍寶石襯底的表面，使藍寶石襯底上的外延層形成彼此相互絕緣獨立的芯片，同時對芯片進行刻蝕，在所述芯片表面形成貫穿阻擋層、反射層、P型氮化鎵層、發(fā)光層、直到停留在N型氮化鎵層表面上的N電極孔，N電極孔的數(shù)量為多個并且在芯片表面均勻分布； 步驟四，通過采用蒸鍍及光刻工藝，在層疊的阻擋層、反射層與P型氮化鎵層表面形成臺階； 步驟五，通過濺射或蒸鍍工藝，在阻擋層、反射層外露表面形成具有布線圖案的P引線電極，同時在N電極孔內采用濺射或蒸鍍工藝形成圓柱形N引線電極，所述N引線電極與N型氮化鎵層電連接形成歐姆接觸，所述P引線電極與阻擋層電連接，所述P引線電極覆蓋阻擋層、反射層四周側壁面以及阻擋層上表面，所述N引線電極和P引線電極采用相同材料并且同時沉積形成； 步驟六，在芯片溝槽的表面、N電極孔與N引線電極之間所形成的間隙、以及P引線電極的表面，采用濺射或噴涂工藝覆蓋有一層厚度為lum?2.5um便于相互絕緣的第一絕緣層，所述第一絕緣層采用氮化鋁、二氧化硅、氮化硅、三氧化二鋁、布拉格反射層DBR、硅膠、樹脂或丙稀酸之其一制成； 步驟七，采用光刻和蝕刻技術在第一絕緣層表面打孔，在第一絕緣層表面分別刻蝕出N型接觸孔與P型接觸孔，其中，N型接觸孔與N引線電極表面相連通，P型接觸孔與P引線電極表面相連通，所述芯片表面均勻分布有多個N型接觸孔和多個P型接觸孔； 步驟八，在N引線電極、P引線電極的外露表面上、以及位于N引線電極和P引線電極彼此之間的第一絕緣層的表面上，通過印刷和電鍍技術制造相互絕緣的N焊盤與P焊盤，其中，N焊盤通過N型接觸孔與N引線電極電連接，P焊盤通過P型接觸孔與P引線電極電連接，至此，完成整個LED倒裝芯片的加工制造。9.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片的制備方法，其特征在于，所述~引線電極和？引線電極均采用具有高反射性能的(》1、附、11^11、？七中一種材料或其中至少兩種以上的合金且同時沉積形成。10.根據(jù)權利要求1所述的一種含有反射層的LED倒裝芯片的制備方法，其特征在于，所述P焊盤和N焊盤均采用鋁、鎳、鈦、鉑金、金中一種材料制成且厚度均為0.5um?2um，所述P焊盤與N焊盤之間的間隔為等于或大于150um。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種含有反射層的LED倒裝芯片，包括襯底、N焊盤和P焊盤，所述襯底依次疊加有N型層、發(fā)光層、P型層、反射層和阻擋層，并蝕刻露出襯底上表面形成一溝槽；所述芯片表面形成貫穿阻擋層、反射層、P型層、發(fā)光層且與N型層連通的N電極孔；阻擋層和反射層外露表面形成P引線電極，N電極孔內形成與N型層導電連接的N引線電極，即N引線電極與P引線電極采用相同的材料同時沉積形成；并在N引線電極和P引線電極的表面及外圍覆蓋一層便于相互絕緣的第一絕緣層；N焊盤和P焊盤通過第一絕緣層上表面開設接觸孔分別與N引線電極和P引線電極電連接；本發(fā)明還提供一種含有反射層的LED倒裝芯片的制備方法。
【IPC分類】H01L33/10, H01L33/14
【公開號】CN105489721
【申請?zhí)枴緾N201510605309
【發(fā)明人】蔣振宇, 陳順利, 莫慶偉
【申請人】大連德豪光電科技有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年9月21日