一種led倒裝芯片的壓模封裝工藝的制作方法
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及LED芯片倒裝壓模封裝工序。
【【背景技術(shù)】】
[0002]在LED封裝技術(shù)中封裝形式多種多樣，常規(guī)現(xiàn)有的封裝方法有支架排封裝和貼片封裝。支架排封裝是最早采用，用來(lái)生產(chǎn)單個(gè)LED器件，也就是我們常見(jiàn)的引線型發(fā)光二極管。貼片封裝是一種無(wú)引線封裝，體積小、薄，很適合做手機(jī)的鍵盤顯示照明，電視機(jī)的背光照明，以及需要照明或指示的電子產(chǎn)品，近年來(lái)貼片封裝有向大尺寸和高功率的方向發(fā)展，一個(gè)貼片內(nèi)封裝三、四個(gè)LED芯片，可用于組裝照明產(chǎn)品。模組封裝也是一種多芯片封裝技術(shù)，在一塊基板上以較小的尺寸、較高的封裝密度封裝多個(gè)或者數(shù)十個(gè)LED芯片，內(nèi)部采用混聯(lián)型的聯(lián)線方式形成一個(gè)電路，這種封裝主要是用來(lái)擴(kuò)大功率，大多數(shù)用于照明產(chǎn)品。在現(xiàn)有的LED倒裝芯片的封裝中，通過(guò)固晶設(shè)備在LED支架或基板上點(diǎn)固晶錫膏，根據(jù)不同芯片大小點(diǎn)的錫膏量也不同，將LED倒裝芯片粘結(jié)在點(diǎn)膠位置上，然后通過(guò)過(guò)回流焊的方式使倒裝芯片正負(fù)極金屬層與支架或基板金屬層進(jìn)行熔合，一般使用高溫錫膏，用時(shí)6-7分鐘。焊接完成后，用壓?；螯c(diǎn)膠的方式在LED芯片上封一層封裝膠，烘烤2-6小時(shí)后進(jìn)行切害I]，最后完成對(duì)顆粒進(jìn)行光電參數(shù)的測(cè)試、分類。在現(xiàn)有的LED倒裝芯片封裝中，通常使用的固晶膠是高溫錫膏，因?yàn)槌尚皖w粒在SMT貼裝中需要再一次過(guò)回流焊，也就是要考慮到此種技術(shù)在封裝過(guò)程中需要進(jìn)行二次回流的問(wèn)題，在多次進(jìn)行回流焊的過(guò)程中高溫可能會(huì)對(duì)顆粒本身造成影響。同時(shí)在固晶階段也可能對(duì)倒裝芯片造成不必要的損壞，由于倒裝芯片底部不像正面發(fā)光面那樣堅(jiān)固，它容易在固晶時(shí)被頂針頂穿受損，而造成后續(xù)成品顆粒的不良。因此需要找一種更加便捷可靠的工藝技術(shù)來(lái)替代現(xiàn)有的倒裝芯片封裝技術(shù)。
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【發(fā)明內(nèi)容】
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[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種LED倒裝芯片的壓模封裝工藝，解決LED在顆粒在倒裝過(guò)程中易損壞、倒裝工藝復(fù)雜等問(wèn)題。
[0004]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種LED倒裝芯片的壓模封裝工藝，其包括:
[0005]提供多個(gè)具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有電極區(qū)；
[0006]翻轉(zhuǎn)LED芯片使第一表面朝下、第二表面朝上；
[0007]提供一耐高溫膜，在所述第一表面上貼覆所述耐高溫膜；
[0008]以封裝膠自所述第二表面以壓膜方式封裝包覆所述LED芯片，形成封裝體，所述第一表面的電極外露于所述膠體；
[0009]去除所述耐高溫膜；
[0010]切割封裝體，形成多個(gè)獨(dú)立的具有第一表面和第二表面的LED顆粒；
[0011 ] 檢測(cè)、分選所述LED顆粒。
[0012]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述LED芯片的第一表面的電極區(qū)具有正、負(fù)電極。
[0013]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述正、負(fù)電極相對(duì)稱。
[0014]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述正、負(fù)電極間的間距大于或等于150um。
[0015]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述LED芯片的第一表面的電極區(qū)鍍有金屬層，所述金屬層由導(dǎo)電金屬構(gòu)成。
[0016]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述金屬層的厚度為5-10um。
[0017]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述導(dǎo)電金屬包括金、銀或銅中的任意一種。
[0018]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述耐高溫膜的耐熱溫度大于150°C。
[0019]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述耐高溫膜為UV膜。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的LED倒裝芯片的壓模封裝工藝，不同于傳統(tǒng)的貼片封裝技術(shù)，本技術(shù)使用倒裝芯片，舍棄了傳統(tǒng)封裝技術(shù)中使用的支架或基板，將倒裝芯片有規(guī)則的固定在耐高溫膜上直接壓模封裝，然后再進(jìn)行切割、分選得到需要的LED顆粒。由于倒裝芯片發(fā)光面和電極在正反兩個(gè)面，壓模封裝后的倒裝芯片正面和側(cè)面都有膠體保護(hù)，背面電極用于導(dǎo)電連接，可以直接用于SMT貼片。與傳統(tǒng)的封裝工藝相比，本技術(shù)很好的優(yōu)化了工藝流程，在倒裝芯片得到應(yīng)用的前提下，省去了常規(guī)的固晶、焊線流程，免去了LED支架或者基板以及金線的使用，大大降低了封裝成本。同時(shí)，與傳統(tǒng)的封裝顆粒相比，此應(yīng)用得到的顆粒也可以直接在SMT中應(yīng)用，而且它通過(guò)錫膏直接焊接在基板上，導(dǎo)熱性更好、散熱更快、更加可靠。
【【附圖說(shuō)明】】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
[0022]圖1為本申請(qǐng)的一種LED倒裝芯片的壓模封裝工藝在一個(gè)實(shí)施例中的流程圖；
[0023]圖2為本申請(qǐng)的一種LED倒裝芯片的壓模封裝工藝的LED顆粒在一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為L(zhǎng)ED芯片，2為封裝膠，3為電極區(qū)。
【【具體實(shí)施方式】】
[0024]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0025]此處所稱的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指可包含于本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說(shuō)明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”并非均指同一個(gè)實(shí)施例，也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實(shí)施例互相排斥的實(shí)施例。
[0026]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本申請(qǐng)的一種LED倒裝芯片的壓模封裝工藝在一個(gè)實(shí)施例中的流程圖。如圖1所示，所述方法100包括如下步驟。
[0027]步驟110，提供多個(gè)具有第一表面和第二表面的LED芯片，所述第一表面具有電極區(qū)。
[0028]具體