半導(dǎo)體元件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，特別是涉及一種記憶體及其制造方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] -般來說，隨著記憶體的尺寸逐漸縮小，為了克服愈來愈小的線寬以及防止接觸 窗發(fā)生對準失誤（misalignment),會采用自對準接觸窗（self-aligned contact, SAC)工 藝。
[0003] 然而，如何將記憶胞區(qū)中的自對準接觸窗工藝與周邊電路區(qū)中的金屬硅化物工藝 有效整合已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于，提供一種新的半導(dǎo)體元件及其制造方法，所要解決的技術(shù)問 題是使其可使得自對準接觸窗工藝與自動對準金屬硅化物工藝整合，且制造出在周邊電路 區(qū)中具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體元件，非常適于實用。
[0005] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種半導(dǎo)體元件的制造方法包括以下步驟。提供襯底，該襯底具有第一區(qū)與第二區(qū)，其中 第一區(qū)的襯底上已形成多個堆疊柵極結(jié)構(gòu)，各該堆疊柵極結(jié)構(gòu)包括穿隧介電層、電荷儲存 層、柵間介電層、控制柵極，且相鄰的兩個堆疊柵極結(jié)構(gòu)之間具有間隙，以及第二區(qū)的襯底 上已形成至少一柵極結(jié)構(gòu)。在襯底上共形地形成襯層。在第二區(qū)中形成覆蓋襯層的介電層。 在柵極結(jié)構(gòu)的頂部及柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的襯底上形成金屬硅化物層。進行接觸窗工藝，以形 成連接至該金屬硅化物層的多個接觸窗。
[0006] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
[0007] 前述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中所述襯層包括氧化硅層/氮化硅層/氧化硅 層（0N0)的多層結(jié)構(gòu)。
[0008] 前述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部及柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的 襯底上形成金屬硅化物層之前更包括以下步驟。移除部分介電層及襯層，以在襯底上形成 間隙壁以及多個開口。
[0009] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種半導(dǎo)體元件包括：襯底、多個堆疊柵極結(jié)構(gòu)、襯層、至少一柵極結(jié)構(gòu)、金屬硅化物層以及 多個接觸窗。襯底具有第一區(qū)與第二區(qū)。堆疊柵極結(jié)構(gòu)配置在第一區(qū)的襯底上，其中堆疊 柵極結(jié)構(gòu)包括穿隧介電層、電荷儲存層、阻障介電層、控制柵極，且相鄰的兩個堆疊柵極結(jié) 構(gòu)之間具有間隙。襯層配置在堆疊柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。柵極結(jié)構(gòu)配置在第二區(qū)的襯底上。 金屬硅化物層配置在柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的襯底上。接觸窗連接至金屬硅 化物層。
[0010] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
[0011] 前述的半導(dǎo)體元件，其中所述襯層包括氧化硅層/氮化硅層/氧化硅層（0N0)的 多層結(jié)構(gòu)。
[0012] 前述的半導(dǎo)體元件，更包括層間介電層，其配置在第二區(qū)的襯底上且覆蓋柵極結(jié) 構(gòu)，其中層間介電層中具有多個接觸窗開口。
[0013] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種半導(dǎo)體元件：包括襯底、多個第一柵極結(jié)構(gòu)、襯層、至少一第二柵極結(jié)構(gòu)以及多個 接觸窗。襯底具有第一區(qū)與第二區(qū)。第一柵極結(jié)構(gòu)配置在第一區(qū)的襯底上，其中第一柵極 結(jié)構(gòu)包括穿隧介電層、電荷儲存層、柵間介電層、控制柵極，且相鄰的兩個第一柵極結(jié)構(gòu)之 間具有間隙。襯層配置在第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。第二柵極結(jié)構(gòu)配置在第二區(qū)的襯底上。 接觸窗連接至第二柵極結(jié)構(gòu)的頂部及第二柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的襯底。
[0014] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
[0015] 前述的半導(dǎo)體元件，更包括金屬硅化物層，其配置在第二柵極結(jié)構(gòu)的頂部及第二 柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的襯底上。
[0016] 前述的半導(dǎo)體元件，其中位于上述第一區(qū)與上述第二區(qū)的交界處的第一柵極結(jié)構(gòu) 的控制柵極呈階梯狀。
[0017] 前述的半導(dǎo)體元件，其中所述襯層包括氧化硅層/氮化硅層/氧化硅層（0Ν0)的 多層結(jié)構(gòu)。
[0018] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明 半導(dǎo)體元件及其制造方法至少具有下列優(yōu)點及有益效果：本發(fā)明所提出的半導(dǎo)體元件的制 造方法能夠?qū)⒆詫式佑|窗工藝與自動對準金屬硅化物工藝整合，以制造出在第一區(qū)中具 有自對準接觸窗，且在第二區(qū)中具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體元件。
[0019] 綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法。該半導(dǎo)體元件的制造 方法。提供具有第一區(qū)與第二區(qū)的襯底。第一區(qū)的襯底上已形成多個堆疊柵極結(jié)構(gòu)。各堆 疊柵極結(jié)構(gòu)包括穿隧介電層、電荷儲存層、柵間介電層、控制柵極，且相鄰的兩個堆疊柵極 結(jié)構(gòu)之間具有間隙。第二區(qū)的襯底上已形成至少一柵極結(jié)構(gòu)。在襯底上共形地形成襯層。 在第二區(qū)中形成覆蓋襯層的介電層。在柵極結(jié)構(gòu)的頂部及柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的襯底上形成金 屬硅化物層。進行接觸窗工藝，以形成連接至該金屬硅化物層的多個接觸窗。本發(fā)明的半 導(dǎo)體元件的制造方法可使得自對準接觸窗工藝與自動對準金屬硅化物工藝整合，且制造出 在周邊電路區(qū)中具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體元件。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進步，并具有 明顯的積極效果，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
[0020] 上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。
【附圖說明】
[0021] 圖1Α至圖1Ν是依照本發(fā)明一實施方式所繪示的一種半導(dǎo)體元件的制作方法的流 程剖面$意圖。
[0022] 1〇 :半導(dǎo)體元件 100 :襯底
[0023] 101 :第一區(qū) 102 :第二區(qū)
[0024] 103:穿隧介電層 104、106、116 :導(dǎo)體層
[0025] 105 :阻障介電層 107 :柵介電材料層
[0026] 108:導(dǎo)體材料層 110:堆疊柵極結(jié)構(gòu)
[0027] 111 :間隙 112、128:摻雜區(qū)
[0028] 113U14:硬罩幕層 115:柵介電層
[0029] 117 :淺摻雜區(qū) 118:柵極結(jié)構(gòu)
[0030] 119:襯層 120、122:氧化硅層
[0031] 121 :氮化硅層 124:犧牲層
[0032] 124a:圖案化犧牲層 125U30:介電層
[0033] 126 :間隙壁 127、133、135 :開口
[0034] 129、129a :氧化物層 130a:圖案化介電層
[0035] 131、131a :氮化物層 132 :金屬硅化物層
[0036] 134 :蝕刻終止層 134a:圖案化蝕刻終止層
[0037] 136:層間介電層 137U39 :接觸窗開口
[0038] 138:隔離層 141U43:阻障層
[0039] 140、142:接觸窗 140a:第一部分
[0040] 140b:第二部分 A、B1、B2、B3 :框線
[0041] Wa、Wb:寬度
【具體實施方式】
[0042] 為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié) 合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體元件及其制造方法其【具體實施方式】、結(jié) 構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
[0043] 有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實 施例的詳細說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過【具體實施方式】的說明，應(yīng)當可對本發(fā)明為達成預(yù)定 目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考 與說