5和絕緣層110形成的孔115中的暴露的第一電極125上形成接觸結(jié)構(gòu)(未示出)或焊盤(pán)結(jié)構(gòu)(未示出)，然后可以在絕緣層110上形成接觸該接觸結(jié)構(gòu)或該焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的第一電極125。在此情況下，第一電極125可以通過(guò)該接觸結(jié)構(gòu)或該焊盤(pán)結(jié)構(gòu)電連接到漏電極100上。
[0087]現(xiàn)參考圖10，可以在絕緣層110和第一電極125上形成像素限定層130。像素限定層130可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成。例如，像素限定層130可以使用光刻膠、聚丙烯類(lèi)樹(shù)月旨、聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂、丙烯?；?lèi)樹(shù)脂、硅的化合物等。這些可以單獨(dú)使用或?qū)⑵浣M合使用。
[0088]可以對(duì)像素限定層130部分地蝕刻，以形成在第一電極125的一部分上的開(kāi)口。例如，像素限定層130的開(kāi)口可以使用附加蝕刻掩膜通過(guò)光刻工藝或蝕刻工藝形成。在示例實(shí)施例中，像素限定層130的開(kāi)口的側(cè)壁可以具有與傾斜結(jié)構(gòu)120的第四傾斜角Θ2大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。例如，像素限定層130的開(kāi)口的側(cè)壁可以具有關(guān)于與第一基板50大致平行的方向處于大約20°到大約70°范圍內(nèi)的傾斜角。
[0089]當(dāng)在像素限定層130上設(shè)置開(kāi)口時(shí)，可以限定有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)。也就是說(shuō)，包括像素限定層130的開(kāi)口的區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于發(fā)光區(qū)，而與像素限定層130的開(kāi)口相鄰的區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于非發(fā)光區(qū)。絕緣層110的傾斜結(jié)構(gòu)120可以放置在發(fā)光區(qū)內(nèi)。在發(fā)光區(qū)中，第一電極125可以大致均勻地形成在傾斜結(jié)構(gòu)120的底部和側(cè)壁上。像素限定層130可以延伸到發(fā)光區(qū)的一部分上，使得像素限定層130可以位于傾斜結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁和傾斜結(jié)構(gòu)120的底部的一部分上。換句話說(shuō)，像素限定層130可以覆蓋第一電極125在發(fā)光區(qū)中的側(cè)向部分。因此，像素限定層130在發(fā)光區(qū)中的部分(即開(kāi)口的側(cè)壁)可以具有與傾斜結(jié)構(gòu)120的第四傾斜角Θ2大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。例如，在發(fā)光區(qū)中的像素限定層130可以具有相對(duì)于與第一基板50大致平行的軸線處于大約20°到大約70°范圍內(nèi)的傾斜角。
[0090]可以在發(fā)光區(qū)中的像素限定層130和第一電極125上形成有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135。在示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以具有包括有機(jī)發(fā)光層(EL)、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等的多層結(jié)構(gòu)。根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以包括用于產(chǎn)生多種顏色的光(例如紅色光、綠色光、藍(lán)色光等)的多種發(fā)光材料。在一些不例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括用于產(chǎn)生混合了紅色光、綠色光和藍(lán)色光的白色光的堆疊的發(fā)光材料膜。在其它示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以附加地包括具有大致大于發(fā)光材料的帶隙的帶隙的基質(zhì)材料。
[0091]在示例實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以布置在發(fā)光區(qū)中的傾斜結(jié)構(gòu)120上。此外，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135可以與發(fā)光區(qū)中的第一電極125和像素限定層130接觸。換句話說(shuō)，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135的底部可以放置在第一電極125上，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135的側(cè)向部分可以與像素限定層130接觸。因此，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135的側(cè)向部分可以具有與傾斜結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁的第四傾斜角Θ2大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。例如，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135的側(cè)向部分可以具有關(guān)于與第一基板50大致平行的軸線大約20°到大約70°的傾斜角。
[0092]可以在有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135和像素限定層130上形成第二電極140。第二電極140可以均勻地形成在像素限定層130和有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135上。當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)時(shí)，第二電極140可以包括透明導(dǎo)電材料。例如，第二電極140可以使用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫氧化物、鎵氧化物等形成。這些可以單獨(dú)使用或?qū)⑵浠旌鲜褂谩?br>[0093]在示例實(shí)施例中，第二電極140可以從發(fā)光區(qū)延伸到非發(fā)光區(qū)。在一些示例實(shí)施例中，第二電極140可以?xún)H布置在發(fā)光區(qū)中。例如，第二電極140可以形成在有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135和像素限定層130的一部分(例如開(kāi)口的側(cè)壁)上。這里，第二導(dǎo)電層(未示出)可以形成在有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135和像素限定層上，然后可以對(duì)第二導(dǎo)電層圖案化，以提供發(fā)光區(qū)中的像素限定層140。
[0094]根據(jù)傾斜結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁的第四傾斜角Θ2，第二電極140可以具有與第四傾斜角Θ2大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。例如，第二電極140在發(fā)光區(qū)中的像素限定層130上的側(cè)向部分可以具有相對(duì)于與第一基板50大致平行的軸線處于大約20°到大約70°范圍內(nèi)的傾斜角。
[0095]就具有下電極、有機(jī)發(fā)光層和上電極的傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置來(lái)說(shuō)，從有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的光可能在下電極和上電極之間全反射。因此，由于光的全反射，傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置可能具有大約30%的光損耗。然而，根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括具有凹陷形狀的傾斜結(jié)構(gòu)120，使得第一電極125的側(cè)向部分、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135的側(cè)向部分和第二電極140的側(cè)向部分可以具有用于防止從有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135中產(chǎn)生的光的全反射的傾斜角。因此，根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以保證比傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的光效率大致尚至少約30 %的大大提尚的光效率。此外，根據(jù)不例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯不裝置可以不需要相對(duì)復(fù)雜的用于從有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)135中產(chǎn)生的光的光學(xué)諧振的構(gòu)造，使得該有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有比傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的構(gòu)造大致更簡(jiǎn)單的構(gòu)造。而且，由于簡(jiǎn)化的構(gòu)造，根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以保證擴(kuò)大的視角。
[0096]參考圖11，可以在第二電極140上形成第二保護(hù)層145。第二保護(hù)層145可以從發(fā)光區(qū)延伸到非發(fā)光區(qū)。第二保護(hù)層145可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。例如，第二保護(hù)層145可以使用光刻膠、丙烯?；?lèi)聚合物、聚酰亞胺聚合物、聚酰胺類(lèi)聚合物、硅氧烷類(lèi)聚合物、包含光敏丙烯?；然木酆衔?、酚醛樹(shù)脂、堿溶性樹(shù)脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鎂氧化物、鋅氧化物、鉿氧化物、鋯氧化物等形成。這些可以單獨(dú)使用或?qū)⑵浣M合使用?？紤]到第二保護(hù)層145中包含的成分，第二保護(hù)層145可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂覆工藝、印刷工藝、濺射工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、原子層沉積工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、真空蒸鍍工藝等獲得。
[0097]可以在第二保護(hù)層145上布置第二基板150。第二基板150可以包括透明絕緣基板，例如玻璃基板、透明塑料基板、透明陶瓷基板等。在示例實(shí)施例中，第二保護(hù)層145和第二基板150之間在發(fā)光區(qū)中的間隔148可以充滿空氣或惰性氣體，例如氮?dú)?。在一些示例?shí)施例中，發(fā)光區(qū)中的間隔148可以充滿具有透光率和吸濕性的樹(shù)脂。
[0098]圖12和圖13是圖示依據(jù)一些示例實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖面圖。除絕緣層、第一電極和有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)以外，圖12和圖13中示出的方法可以提供具有與參照?qǐng)D5到圖11描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的構(gòu)造大致相同或大致類(lèi)似的構(gòu)造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可理解，該方法可以提供具有開(kāi)關(guān)器件、保護(hù)層、電極、絕緣層、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)等的多種構(gòu)造的其它有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0099]參考圖12，可以通過(guò)與參照?qǐng)D7和圖8描述的工藝大致相同或大致類(lèi)似的工藝在第一基板50上設(shè)置緩沖層55、開(kāi)關(guān)器件和第一保護(hù)層105。
[0100]可以在第一保護(hù)層105上形成絕緣層110。絕緣層110可以包括傾斜結(jié)構(gòu)120和暴露漏電極100的一部分的孔。可以在絕緣層110的傾斜結(jié)構(gòu)120的底部上形成多個(gè)突起128。也就是說(shuō)，突起128可以形成在絕緣層110的與傾斜機(jī)構(gòu)120的底部對(duì)應(yīng)的表面上。絕緣層110的傾斜結(jié)構(gòu)120可以通過(guò)與參照?qǐng)D1到圖4描述的工藝大致相同或大致類(lèi)似的工藝獲得。在示例實(shí)施例中，絕緣層110的突起128可以通過(guò)對(duì)絕緣層110的表面(即傾斜結(jié)構(gòu)120的底部)執(zhí)行曝光工藝、顯影工藝和/或部分蝕刻工藝來(lái)形成。這里，突起128可以使用半色調(diào)掩膜或半色調(diào)狹縫掩膜獲得。例如，絕緣層110的每個(gè)突起128可以具有多種平面形狀，例如大致圓形形狀、大致橢圓形形狀、大致錐形形狀、大致菱形形狀、大致三角形形狀等。此外，每個(gè)突起128可以具有多種三維形狀，例如大致島體形狀、大致條體形狀、大致桿體形狀、大致六面體形狀等。
[0101]可以在具有傾斜結(jié)構(gòu)120和突起128的絕緣層110上形成填充孔的第一電極133。在傾斜結(jié)構(gòu)120的與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)的底部上，第一電極133可以具有分別接觸突起128的多個(gè)突出部分134。此外，第一電極133位于傾斜結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁上的側(cè)向部分可以具有期望的傾斜角。這里，第一電極133的突出部分134可以具有與絕緣層110的突起128的形狀大致相同或大致類(lèi)似的形狀，這是因?yàn)榭梢允雇怀霾糠?34由突起128形成。在示例實(shí)施例中，從有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155中產(chǎn)生的光(參見(jiàn)圖13)可以被第一電極133的突出部分134有效地反射，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有更加提高的光效率。
[0102]參考圖13，可以在絕緣層110和第一電極133上形成像素限定層130。像素限定層130可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成?？梢詫?duì)像素限定層130部分地蝕刻，以形成暴露第一電極133的突出部分134的開(kāi)口。在此情況下，像素限定層130的開(kāi)口的側(cè)壁可以具有與傾斜結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁的傾斜角大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。
[0103]當(dāng)形成像素限定層130的開(kāi)口時(shí)，可以限定有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)。這里，像素限定層130的開(kāi)口所處的第一區(qū)域可以是發(fā)光區(qū)，并且與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域可以是非發(fā)光區(qū)。絕緣層110的傾斜結(jié)構(gòu)130可以位于發(fā)光區(qū)內(nèi)，并且具有突出部分134的第一電極133可以大致均勻地布置在發(fā)光區(qū)中的傾斜結(jié)構(gòu)120的底部和側(cè)壁上。此外，像素限定層130可以延伸到發(fā)光區(qū)內(nèi)，使得像素限定層130可以位于傾斜結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁上以及位于傾斜結(jié)構(gòu)120的底部的一部分上。從而，像素限定層130在發(fā)光區(qū)中的部分可以具有與傾斜結(jié)構(gòu)120的傾斜角大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。
[0104]可以在發(fā)光區(qū)中的像素限定層130和第一電極133上形成有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155可以具有包括有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等的多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155可以與發(fā)光區(qū)中的第一電極133和像素限定層130接觸。因此，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155的側(cè)向部分可以具有與傾斜結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁的傾斜角大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。
[0105]在示例實(shí)施例中，第一電極133可以包括在發(fā)光區(qū)中的突出部分134，使得有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155可以具有多個(gè)大致分別與突出部分134對(duì)應(yīng)的凹槽、凹坑或凹痕。也就是說(shuō)，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155的下面部分可以包括具有大致由第一電極133的突出部分134導(dǎo)致的形狀的凹槽、凹坑或凹痕。由此，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155可以具有被第一電極133的突出部分134分隔的多個(gè)部分。也就是說(shuō)，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155可以被由第一電極133的突出部分134形成的凹槽、凹坑或凹痕分隔成多個(gè)部分。
[0106]現(xiàn)參考圖13，可以在有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)155和像素限定層130上形成第二電極140。根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)射結(jié)構(gòu)(或發(fā)射方向)，第二電極140可以包括透明導(dǎo)電材料。此外，發(fā)光區(qū)中的第二電極140可以具有與傾斜結(jié)構(gòu)120的傾斜角大致相同或大致類(lèi)似的傾斜角。
[0107]可以在第二電極140上形成第二保護(hù)層145。第二保護(hù)層145可以從發(fā)光區(qū)延伸到非發(fā)光區(qū)內(nèi)。第二保護(hù)層145同樣可以使用有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成。
[0108]可以在第二保護(hù)層145上設(shè)置第二基板150。第二基板150可以包括透明絕緣基板，例如玻璃基板、透明陶瓷基板、透明塑料基板等。第二保護(hù)層145和第二基板150之間的間隔148可以充滿空氣、惰性氣體(例如氮?dú)?、具有透光率和吸濕性的樹(shù)脂等。在一些示例實(shí)施例中，根據(jù)間隔148中的附加填充材料，在第二電極140和第二基板之間可以不形成第二保護(hù)層145。
[0109]圖14到圖19是圖示依據(jù)一些示例實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖面圖。除開(kāi)關(guān)器件和具有傾斜結(jié)構(gòu)的絕緣層以外，圖14到圖19中示出的方法可以