以η型硅襯底為例，本發(fā)明的背接觸異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法，包括如下步驟:
51:提供一娃片作為娃基體層I ；
52:對硅基體層I進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗，之后采用HF處理，形成清潔表面，去離子水沖刷后吹干；
S3:將硅基體層I置入擴(kuò)散爐中，在硅基體層的表面形成二氧化硅保護(hù)層，保護(hù)硅片表面；
S4:單面去除二氧化硅保護(hù)層，通過單面制絨工藝，在硅基體層I的前表面形成金字塔結(jié)構(gòu)，隨后進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗；
S5:通過擴(kuò)散工藝在金字塔結(jié)構(gòu)上形成N型前表面場FSF2;
S6:去除PSG，在N型前表面場FSF上沉積氮化硅減反射層3，厚度約80nm;
S7:通過濕法工藝，去除硅基體層I背面的二氧化硅保護(hù)層，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗工藝及HF處理，形成清潔的背表面；
S8:通過CVD技術(shù)，在背表面沉積本征非晶硅薄膜4，厚度約為5納米；
S9:通過印刷工藝，涂布膠水10，固化，形成所需的圖形，沉積P型非晶硅層5和透明導(dǎo)電薄膜(TCO)層7，其中，P型非晶硅層5的厚度為10納米，透明導(dǎo)電薄膜層7的厚度為100納米，P型非晶硅層5和透明導(dǎo)電薄膜層7的寬度為500微米;使用溶劑除去固化后的膠水，通過印刷工藝，在沉積P型非晶硅層和透明導(dǎo)電薄膜(T⑶)層正下方涂布膠水10并固化，形成所需的圖形，沉積η型非晶硅層6和TCO層7;其中，其中，η型非晶硅層6的厚度為10納米，透明導(dǎo)電薄膜層7的厚度為100納米，η型非晶硅層6和透明導(dǎo)電薄膜層7的寬度為500微米;使用溶劑除去固化后的膠水;相鄰的P型非晶硅層5的中心點(diǎn)與N型非晶硅層6的中心點(diǎn)間隔1000微米；S10:通過印刷工藝，在沉積的P型非晶硅層，η型非晶硅層和透明導(dǎo)電薄膜層上涂布膠水10并固化，形成所需的圖形，沉積二氧化硅絕緣隔離層8，厚度為100微米；
Sll:通過絲網(wǎng)印刷工藝，經(jīng)低溫?zé)Y(jié)(<250°C)，形成銀柵電極，銀柵線9的寬度40-100μ??，完成本發(fā)明的背接觸異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備。
[0019]顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池，包括硅基體層，其特征在于:在硅基體層(I)的前表面依次設(shè)置N型前表面場(2)和減反層(3)，在硅基體層(I)的背表面設(shè)置本征非晶硅鈍化層(4)，在本征非晶硅鈍化層(4)上間隔地設(shè)置有P型非晶硅層(5)和N型非晶硅層(6)，P型非晶硅層(5)和N型非晶硅層(6)上分別設(shè)置有透明導(dǎo)電薄膜層(7)，透明導(dǎo)電薄膜層(7)上設(shè)置有電極，所述P型非晶硅層(5)的厚度為5-20nm，寬度為100-1000μπι，Ν型非晶硅層(6)的厚度為5-20nm，寬度為100-1000μπι，相鄰的P型非晶硅層(5)的中心點(diǎn)與N型非晶硅層(6)的中心點(diǎn)間隔150-3000μπι，在所述P型非晶硅層(5)與N型非晶硅層(6)之間設(shè)置有絕緣隔離層(8)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于:所述絕緣隔離層(8)采用二氧化硅、氮化硅、氧化鋁的一種或多種的組合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于:，所述絕緣隔離層(8)的厚度為60-200nmo4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于:所述本征非晶硅鈍化層(4)的厚度為3-15nm05.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于:所述透明導(dǎo)電薄膜層(7)的厚度為60-200nm，寬度為 10-1OOOym06.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池，其特征在于:所述電極為銀柵線(9)，銀柵線(9)的寬度40-100μπι。7.—種制備權(quán)利要求1-6任一所述背接觸異質(zhì)結(jié)太陽電池的方法，其特征在于，包括如下步驟: SI:提供一娃片作為娃基體層(I)； S2:對硅基體層(I)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗，之后采用HF處理，形成清潔表面，去離子水沖刷后吹干； S3:將硅基體層(I)置入擴(kuò)散爐中，在硅基體層的表面形成二氧化硅保護(hù)層； S4:單面去除二氧化硅保護(hù)層，通過單面制絨工藝，在硅基體層的前表面形成金字塔結(jié)構(gòu)，隨后進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗； S5:通過擴(kuò)散工藝在金字塔結(jié)構(gòu)上形成N型前表面場FSF(2); S6:去除PSG，在N型前表面場FSF上沉積氮化硅減反射層(3); 57:通過濕法工藝，去除硅基體層(I)背面的二氧化硅保護(hù)層，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗工藝及HF處理，形成清潔的背表面； 58:通過CVD技術(shù)，在背表面沉積本征非晶硅鈍化層(4)，厚度為3-15nm; S9:通過印刷工藝，涂布膠水，固化，形成所需的圖形，沉積P型非晶硅層(5)和透明導(dǎo)電薄膜(TCO)層(7);溶劑除去固化后的膠水，通過印刷工藝，涂布膠水，固化，形成所需的圖形，沉積η型非晶硅層(6)和透明導(dǎo)電薄膜(TCO)層(7); S10:通過印刷工藝，涂布膠水，固化，形成所需的圖形，在P型非晶硅層和η型非晶硅層和透明導(dǎo)電薄膜(TCO)層之間沉積絕緣隔離層(8); Sll:通過絲網(wǎng)印刷工藝，經(jīng)低溫?zé)Y(jié)，形成銀柵電極，完成本發(fā)明的背接觸異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于:所述P型非晶硅層(5)的厚度為5-20nm，寬度為100-1000μπι，Ν型非晶硅層(6)的厚度為5-20nm，寬度為100-1000μπι，Ρ型非晶硅層(5)的中心點(diǎn)與N型非晶硅層(6 )的中心點(diǎn)間隔150-3000ym，所述透明導(dǎo)電薄膜層(7 )的厚度為60-200nm，寬度為 100-1000μηι。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于:所述絕緣隔離層(8)采用二氧化硅、氮化硅、氧化鋁的一種或多種的組合，絕緣隔離層(8)的厚度為60-200nm。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于:所述銀柵電極的銀柵線(9)的寬度40-100μ??ο
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池，包括硅基體層，其特征在于：在硅基體層的前表面依次設(shè)置前N型表面場和減反層，在硅基體層的背表面設(shè)置本征非晶硅鈍化層，在本征非晶硅鈍化層上間隔地設(shè)置有P型非晶硅層和N型非晶硅層，P型非晶硅層和N型非晶硅層上分別設(shè)置有透明導(dǎo)電薄膜層，透明導(dǎo)電薄膜層上設(shè)置有電極，所述P型非晶硅層的厚度為5-20nm，寬度為100-1000μm，N型非晶硅層的厚度為5-20nm，寬度為100-1000μm，相鄰的P型非晶硅層的中心點(diǎn)與N型非晶硅層的中心點(diǎn)間隔150-3000μm，在所述P型非晶硅層與N型非晶硅層之間設(shè)置有絕緣隔離層。本發(fā)明還公開了一種全背型異質(zhì)結(jié)太陽電池的制備方法。本發(fā)明可防止漏電流的產(chǎn)生，提升太陽電池的開路電壓。
【IPC分類】H01L31/0376, H01L31/20, H01L31/0216, H01L31/072, H01L31/0352
【公開號】CN105514206
【申請?zhí)枴緾N201610028152
【發(fā)明人】包健, 王棟良, 舒欣, 陳奕峰, 楊陽, 張學(xué)玲
【申請人】常州天合光能有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2016年1月16日